公开(公告)号：CN106299031A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610837134.8

申请日：2016-09-21

Applicant: 南昌大学

Inventor： 周浪 ,  肖志刚 ,  岳之浩 ,  魏秀琴

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/02363

Abstract: 本发明公开了一种太阳电池用带硅片的微液滴刻蚀制绒方法，通过密布在带硅片表面的混合酸溶液微液滴与硅化学反应来刻蚀多晶带硅片表面，可以在制绒过程速率不低于现行混合酸溶液湿法刻蚀制绒的条件下解决太阳电池用带硅片的表面制绒问题。而且本发明的微液滴刻蚀制绒方法使刻蚀反应仅在表面有微液滴处发生，有很强的选择性，可以对难于制绒的带硅表面进行制绒，形成高质量的绒面，使表面平均光反射率减低到16.5～19%水平。

公开(公告)号：CN104332529B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201410579880.2

申请日：2014-10-27

Applicant: 南昌大学

Inventor： 周浪 ,  张范 ,  肖志刚

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种在铝硅熔池中液相外延制备n型晶体硅太阳电池发射极的方法，其特征是首先将含硅12～40％wt、含硼0～5ppmw的铝‑硅‑硼混合原料熔融，然后将n型硅片水平放置于熔体表面，在硅片与熔体接触面外延生长p型掺杂硅晶体层，生长完毕后取出硅片，最后清洗除去硅片表面粘附铝层。本发明可在n型单晶硅片表面外延生长形成连续均匀的p型晶体硅层，其厚度可在0.5～20μm范围调节；其电阻率可在0.5～10Ω·cm范围调节。

公开(公告)号：CN105405930B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201510956665.4

申请日：2015-12-21

Applicant: 南昌大学

Inventor： 周浪 ,  肖志刚 ,  陈文浩 ,  耿国营

IPC: H01L31/18 ,  C30B33/10

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种太阳电池用多晶硅片的微液滴刻蚀制绒方法，通过密布多晶硅片表面的混合酸溶液微液滴与硅进行化学反应来刻蚀多晶硅片表面的方法。微液滴通过加热混合酸溶液产生的蒸气在一定温度条件下的多晶硅片表面凝结而成。混合酸溶液由硝酸、氢氟酸和水配制而得。本发明的微液滴刻蚀制绒方法使刻蚀反应仅在表面有微液滴处发生，有很强的选择性，不仅使得刻蚀绒面的减反射效果优于上述常规湿法制绒方法，而且可以对难于制绒的金刚石线锯切割多晶硅表面进行制绒，形成高质量的绒面，使表面光反射率减低到17～21%水平，并消除其切割纹。

公开(公告)号：CN106340569A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610851356.5

申请日：2016-09-27

Applicant: 南昌大学

Inventor： 周浪 ,  肖志刚 ,  魏秀琴

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/18 ,  H01L31/02363

Abstract: 一种金刚石线锯切割太阳电池用多晶硅片制绒的预处理方法，其特征是将金刚石线锯切割多晶硅片加热到500～1000°C温度，保温0.5~6小时，然后自然缓慢降温至100°C以下出炉。本发明可使金刚石线锯切割硅片适合于常规湿法制绒，使其平均表面光反射率降低到20～23%水平，如表1所示；绒面微观形貌均匀、圆整，不依切割纹分布，外观上切割痕纹表观显著减弱；其工艺过程简单易行，成本低廉，适合于规模化生产应用。

公开(公告)号：CN106299031B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201610837134.8

申请日：2016-09-21

Applicant: 南昌大学

Inventor： 周浪 ,  肖志刚 ,  岳之浩 ,  魏秀琴

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种太阳电池用带硅片的微液滴刻蚀制绒方法，通过密布在带硅片表面的混合酸溶液微液滴与硅化学反应来刻蚀多晶带硅片表面，可以在制绒过程速率不低于现行混合酸溶液湿法刻蚀制绒的条件下解决太阳电池用带硅片的表面制绒问题。而且本发明的微液滴刻蚀制绒方法使刻蚀反应仅在表面有微液滴处发生，有很强的选择性，可以对难于制绒的带硅表面进行制绒，形成高质量的绒面，使表面平均光反射率减低到16.5～19%水平。

公开(公告)号：CN105405930A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510956665.4

申请日：2015-12-21

Applicant: 南昌大学

Inventor： 周浪 ,  肖志刚 ,  陈文浩 ,  耿国营

IPC: H01L31/18 ,  C30B33/10

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  C30B33/10 ,  H01L31/1876

Abstract: 一种太阳电池用多晶硅片的微液滴刻蚀制绒方法，通过密布多晶硅片表面的混合酸溶液微液滴与硅进行化学反应来刻蚀多晶硅片表面的方法。微液滴通过加热混合酸溶液产生的蒸气在一定温度条件下的多晶硅片表面凝结而成。混合酸溶液由硝酸、氢氟酸和水配制而得。本发明的微液滴刻蚀制绒方法使刻蚀反应仅在表面有微液滴处发生，有很强的选择性，不仅使得刻蚀绒面的减反射效果优于上述常规湿法制绒方法，而且可以对难于制绒的金刚石线锯切割多晶硅表面进行制绒，形成高质量的绒面，使表面光反射率减低到17～21%水平，并消除其切割纹。

公开(公告)号：CN104332529A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410579880.2

申请日：2014-10-27

Applicant: 南昌大学

Inventor： 周浪 ,  张范 ,  肖志刚

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/022425

Abstract: 本发明公开了一种在铝硅熔池中液相外延制备n型晶体硅太阳电池发射极的方法，其特征是首先将含硅12～40％wt、含硼0～5ppmw的铝-硅-硼混合原料熔融，然后将n型硅片置入熔体中生长p型掺杂硅晶体层，生长完毕后取出硅片，最后清洗除去硅片表面粘附铝层。本发明可在n型单晶硅片表面外延生长形成连续均匀的p型晶体硅层，其厚度可在0.5～20μm范围调节；其电阻率可在0.5～10Ω·cm范围调节。