公开(公告)号：CN104332529A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410579880.2

申请日：2014-10-27

Applicant: 南昌大学

Inventor： 周浪 ,  张范 ,  肖志刚

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/022425

Abstract: 本发明公开了一种在铝硅熔池中液相外延制备n型晶体硅太阳电池发射极的方法，其特征是首先将含硅12～40％wt、含硼0～5ppmw的铝-硅-硼混合原料熔融，然后将n型硅片置入熔体中生长p型掺杂硅晶体层，生长完毕后取出硅片，最后清洗除去硅片表面粘附铝层。本发明可在n型单晶硅片表面外延生长形成连续均匀的p型晶体硅层，其厚度可在0.5～20μm范围调节；其电阻率可在0.5～10Ω·cm范围调节。

公开(公告)号：CN104332529B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201410579880.2

申请日：2014-10-27

Applicant: 南昌大学

Inventor： 周浪 ,  张范 ,  肖志刚

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种在铝硅熔池中液相外延制备n型晶体硅太阳电池发射极的方法，其特征是首先将含硅12～40％wt、含硼0～5ppmw的铝‑硅‑硼混合原料熔融，然后将n型硅片水平放置于熔体表面，在硅片与熔体接触面外延生长p型掺杂硅晶体层，生长完毕后取出硅片，最后清洗除去硅片表面粘附铝层。本发明可在n型单晶硅片表面外延生长形成连续均匀的p型晶体硅层，其厚度可在0.5～20μm范围调节；其电阻率可在0.5～10Ω·cm范围调节。