公开(公告)号：CN110436934B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201910617455.0

申请日：2019-07-09

Applicant: 南昌大学

Inventor： 尹传强 ,  周浪 ,  李晓敏 ,  魏秀琴 ,  兰宇

IPC: C04B35/591 ,  C04B35/626 ,  D01F9/08

Abstract: 本发明提供了一种高α相氮化硅粉体、超长氮化硅纳米线的制备方法，属于非氧化物陶瓷材料的制备技术领域。本发明将一定粒径的硅粉在无任何稀释剂、金属及金属盐催化剂的条件下，通过氨气预处理后将氮化气氛转换为氮氢氩混合气，在慢速升温、分段保温、逐步降低辅助氩气的条件下反应生成高α相氮化硅堆积体软块，其上覆有大量超长氮化硅纳米线，将超长氮化硅纳米线剥离后，将疏松堆积体软块通过细化处理可获得高α相氮化硅粉体。本发明可以在无任何添加剂的情况下，通过硅粉氮化直接同步制备高α相氮化硅粉体、超长氮化硅纳米线。

公开(公告)号：CN106340569A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610851356.5

申请日：2016-09-27

Applicant: 南昌大学

Inventor： 周浪 ,  肖志刚 ,  魏秀琴

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/18 ,  H01L31/02363

Abstract: 一种金刚石线锯切割太阳电池用多晶硅片制绒的预处理方法，其特征是将金刚石线锯切割多晶硅片加热到500～1000°C温度，保温0.5~6小时，然后自然缓慢降温至100°C以下出炉。本发明可使金刚石线锯切割硅片适合于常规湿法制绒，使其平均表面光反射率降低到20～23%水平，如表1所示；绒面微观形貌均匀、圆整，不依切割纹分布，外观上切割痕纹表观显著减弱；其工艺过程简单易行，成本低廉，适合于规模化生产应用。

公开(公告)号：CN103553002A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310448729.0

申请日：2013-09-28

Applicant: 南昌大学

Inventor： 尹传强 ,  魏秀琴 ,  周浪

IPC: C01B21/068

Abstract: 本发明提供了一种以回收硅片切割锯屑制备高纯α相氮化硅粉体的方法。其特征是硅片锯屑粉氮化得到氮化硅、然后经过粉磨、酸洗、水洗和干燥等工艺步骤得到高纯α相氮化硅粉体。所得产品纯度高，α相含量>93%，氧含量

公开(公告)号：CN101491888A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200910114992.X

申请日：2009-03-05

Applicant: 南昌大学

Inventor： 熊裕华 ,  魏秀琴 ,  周浪 ,  尹传强 ,  周潘兵 ,  杨志宏

IPC: B24B55/12 ,  B03D1/02 ,  B03B1/04

Abstract: 本发明涉及一种太阳能光伏领域的硅片线锯工艺产生的砂浆中的硅与碳化硅的粉体分离技术，特别是采用泡沫浮选方法分离硅与碳化硅。该分离硅粉体与碳化硅粉体的泡沫浮选方法的步骤如下：向从硅片线锯工艺产生的砂浆中加入处理剂，按重量配比为砂浆100－1000份：处理剂100－1000份；将砂浆与处理剂搅拌均匀，沉降分为三层，分别收集上层的碳化硅和下层的硅粉；中间为液体层。处理剂包括溶剂和表面改性剂按比例混合而成，混合比例为重量百分比99－70％的溶剂，1－30％的表面改性剂。采用本发明收集的硅粉中残存的碳化硅少于0.5％体积百分比，砂浆中剩余的硅少于10％体积百分比。

公开(公告)号：CN101148006A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710053504.X

申请日：2007-10-06

Applicant: 南昌大学

Inventor： 周浪 ,  魏秀琴 ,  黄惠珍 ,  廖福平

IPC: B23K35/26

Abstract: 一种原位生长化合物复合增强锡锌基无铅钎料，以Zn含量为6～9％wt的Sn－Zn合金为基体，加入铜粉，Sn－Zn合金与铜粉的重量百份比为96－99.5％∶0.5－4％。本发明的复合钎料对铜的润湿性比Sn－9Zn合金提高；所形成的焊点为亚共晶Sn－Zn合金基体和Cu－Zn化合物颗粒组成的复合材料，其拉伸强度、塑性及抗蠕变强度都比Sn－9Zn合金显著提高。

公开(公告)号：CN110357050B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201910592615.0

申请日：2019-07-03

Applicant: 南昌大学

Inventor： 尹传强 ,  周浪 ,  李晓敏 ,  魏秀琴 ,  兰宇

IPC: C01B21/068

Abstract: 一种等轴状β相氮化硅粉体的制备方法，按粒径

公开(公告)号：CN110459621B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201910680382.X

申请日：2019-07-26

Applicant: 南昌大学

Inventor： 魏秀琴 ,  周浪 ,  黄海宾 ,  尹传强

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，具体公开了一种取代低温银浆制备太阳电池电极栅线的焊膏及其制备方法。该焊膏以质量份数计包括：低熔点合金粉体165‑185份、有机粘接剂4‑8份、助焊剂1‑4份；所述的合金粉体，以质量百分比计包括锡45‑65％、铋3‑25％、铅0‑40％、铟0‑25％。本发明采用能够与ITO透明导电膜表面接触和附着良好的低温焊料，所获得的焊膏能取代低温银浆的栅线材料，其导电率显著高于相同温度条件下烘烤的银浆栅线。本发明以丝网印刷方法在电池表面印制栅线电极，以钎焊方法实现栅线在电池表面的熔融凝固附着，在基本不改变生产线设备和工艺的条件下取代银浆。

公开(公告)号：CN111170746B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010038702.4

申请日：2020-01-14

Applicant: 南昌大学

Inventor： 尹传强 ,  周浪 ,  李晓敏 ,  魏秀琴 ,  兰宇

IPC: C04B35/597 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种空气气氛下制备氮氧化硅粉体的方法。该法以硅粉为原料，通过将不同粒径和厚度的硅粉堆积体，在常压高温条件下进行氮氧化合成，再除去上层微烧结态及少量边部产物后，得到氮氧化硅粉体成品。本发明相对现有技术，不但使得氮氧化反应生成的氧化硅、氮化硅等杂相易与氮氧化硅分离，从而大幅度提高产品纯度，而且收得率也非常高，再者利用常压空气作为氮、氧源，节约成本，使得该制备方法，工艺简单，易于操作，成本低廉，适合于工业大规模生产。

公开(公告)号：CN110357051A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910617315.3

申请日：2019-07-09

Applicant: 南昌大学

Inventor： 尹传强 ,  周浪 ,  李晓敏 ,  魏秀琴 ,  兰宇

IPC: C01B21/068

Abstract: 本发明提供了一种单晶α相氮化硅纳米晶须的制备方法，属于一维纳米材料的制备技术领域。一种单晶α相氮化硅纳米晶须的制备方法，将一定粒径的硅粉在无任何稀释剂、金属及金属盐催化剂的条件下，通过氨气预处理后将氮化气氛转换为氮氢氩混合气，在氧辅助生长机制下反应生成长径比5-50的单晶α相氮化硅纳米晶须。本发明工艺简单，无任何添加剂，可以一步制备单晶α相氮化硅纳米晶须。

公开(公告)号：CN101265408B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200810060965.4

申请日：2008-04-01

Applicant: 南昌大学

Inventor： 罗岚 ,  周浪 ,  魏秀琴 ,  熊志华

IPC: C09K11/80

Abstract: 一种钐掺杂铝酸钆基荧光粉体及其制备方法，荧光粉体的化学组成式为Gd1-x1-x2AlyOz:Smx1，REx2，其中y值范围为0～5/3，RE是稀土元素离子和/或过渡金属离子的一种或多种，X1为Sm掺杂克分子量，0.01＜x1＜0.1，X2为RE掺杂克分子量，含量为Sm含量的0-0.1倍。制备过程是按化学计量比，将氧化钆、氧化钐、RE离子溶解在60～70℃醋酸中，然后加入硝酸铝，搅拌均匀；之后按3≥乙二醇的摩尔数/金属离子的摩尔数≥1.5，将乙二醇加入反应溶液中，搅拌均匀；60～70℃搅拌蒸发溶液，干燥，研磨，在空气气氛、600～800℃预烧2～3h，升温速度≤5℃/min；研磨预烧粉末后，空气气氛下，≥1000℃烧结3～4h，该工艺过程简单易行，原料便宜易得，粉体在蓝光和近紫外激发下发光强度大、粒径分布均匀。