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公开(公告)号：CN113430575A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110770965.9
申请日：2021-07-07
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种稀土镁中间合金的配比精控制备方法，包括熔盐配制、熔盐熔化、熔盐电解和提取中间合金等步骤。本发明基于熔盐电解法，以稀土氧化物和氧化镁、或稀土氯化物和氯化镁、或稀土氟化物和氟化镁为熔盐/原料，通过控制电压实现稀土镁中间合金的配比一步精控制备。配比精确可控(配比波动
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公开(公告)号：CN113773838A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111052741.0
申请日：2021-09-08
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了铕掺杂硅酸钆晶体的用途及其制备方法，铕掺杂硅酸钆晶体用作热释光晶体，其化学表达式为Gd2‑xSiO5：xEu，式中x＝0.03～0.07；该晶体有低温、高温热释峰；低温热释峰位于143℃，波长为585nm，陷阱深度为1.16eV，频率因子为2.76×109s‑；高温热释释峰位于352℃，发射波长978nm，陷阱深度为1.61eV，频率因子为3.84×1012s‑1。铕掺杂硅酸钆热释光晶体采用光学浮区法制备，包括粉体制备、料棒制备、晶体生长、退火处理四个步骤，其中晶体生长时提拉速度可以达到15mm/h、生长方向为[212]。本发明铕掺杂硅酸钆热释光晶体具有良好的热释性能，对γ射线具有良好辐射剂量热释光线性相应；可用于文物断代和辐射剂量探测；制备工艺的过程简单、速度快。
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公开(公告)号：CN115354183B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211036782.5
申请日：2022-08-26
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种钆镁中间合金净化熔剂，所述净化熔剂包括以下组分：MgCl2、KCl、BaCl2、CaF2、GdCl3；各组分纯度需要99.99wt％以上，熔剂配比应根据钆镁中间合金密度加以调整，其配比范围为：37～44％MgCl2、25～37％KCl、10～18％BaCl2、2～5％CaF2、5～12％GdCl3。该熔剂具有显著降低Fe、Si等杂质、抑制稀土元素损耗、提高中间合金纯度效果。本发明中还可推广到其他稀土镁中间合金净化，如钇镁中间合金、钕镁中间合金、镧镁中间合金，其熔剂中的GdCl3可采用稀土氯化物替换。
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公开(公告)号：CN113430575B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202110770965.9
申请日：2021-07-07
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种稀土镁中间合金的配比精控制备方法，包括熔盐配制、熔盐熔化、熔盐电解和提取中间合金等步骤。本发明基于熔盐电解法，以稀土氧化物和氧化镁、或稀土氯化物和氯化镁、或稀土氟化物和氟化镁为熔盐/原料，通过控制电压实现稀土镁中间合金的配比一步精控制备。配比精确可控(配比波动
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114807839B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210440458.3
申请日：2022-04-25
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明所提出的一种牙科用阶梯降解镁合金屏障膜及其制备方法。其制备方法为：(1)镁合金屏障膜的粗糙度控制；(2)TiN/TiO2纳米复合膜沉积。步骤(1)使得镁合金屏障膜整体呈现均匀降解，步骤(2)使得限制了体内植入4周(或体外1周Hank’s37℃溶液)的降解速度。所得到的牙科用阶梯降解镁合金屏障膜，粗糙度控制后屏障膜呈现均匀降解；镀膜后体内植入4周(或体外1周Hank’s37℃溶液)的降解速度明显降低；粗糙度+镀膜调控后呈现先慢后快的阶梯降解。本发明提出一种牙科用阶梯降解镁合金屏障膜，除用于牙科牙槽骨修复，还可用于颌骨、颅骨等骨修复临床。
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公开(公告)号：CN115354183A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211036782.5
申请日：2022-08-26
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种钆镁中间合金净化熔剂，所述净化熔剂包括以下组分：MgCl2、KCl、BaCl2、CaF2、GdCl3；各组分纯度需要99.99wt％以上，熔剂配比应根据钆镁中间合金密度加以调整，其配比范围为：37～44％MgCl2、25～37％KCl、10～18％BaCl2、2～5％CaF2、5～12％GdCl3。该熔剂具有显著降低Fe、Si等杂质、抑制稀土元素损耗、提高中间合金纯度效果。本发明中还可推广到其他稀土镁中间合金净化，如钇镁中间合金、钕镁中间合金、镧镁中间合金，其熔剂中的GdCl3可采用稀土氯化物替换。
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公开(公告)号：CN113773838B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202111052741.0
申请日：2021-09-08
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了铕掺杂硅酸钆晶体的用途及其制备方法，铕掺杂硅酸钆晶体用作热释光晶体，其化学表达式为Gd2‑xSiO5：xEu，式中x＝0.03～0.07；该晶体有低温、高温热释峰；低温热释峰位于143℃，波长为585nm，陷阱深度为1.16eV，频率因子为2.76×109s‑；高温热释释峰位于352℃，发射波长978nm，陷阱深度为1.61eV，频率因子为3.84×1012s‑1。铕掺杂硅酸钆热释光晶体采用光学浮区法制备，包括粉体制备、料棒制备、晶体生长、退火处理四个步骤，其中晶体生长时提拉速度可以达到15mm/h、生长方向为[212]。本发明铕掺杂硅酸钆热释光晶体具有良好的热释性能，对γ射线具有良好辐射剂量热释光线性相应；可用于文物断代和辐射剂量探测；制备工艺的过程简单、速度快。
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公开(公告)号：CN114807839A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210440458.3
申请日：2022-04-25
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明所提出的一种牙科用阶梯降解镁合金屏障膜及其制备方法。其制备方法为：(1)镁合金屏障膜的粗糙度控制；(2)TiN/TiO2纳米复合膜沉积。步骤(1)使得镁合金屏障膜整体呈现均匀降解，步骤(2)使得限制了体内植入4周(或体外1周Hank’s37℃溶液)的降解速度。所得到的牙科用阶梯降解镁合金屏障膜，粗糙度控制后屏障膜呈现均匀降解；镀膜后体内植入4周(或体外1周Hank’s37℃溶液)的降解速度明显降低；粗糙度+镀膜调控后呈现先慢后快的阶梯降解。本发明提出一种牙科用阶梯降解镁合金屏障膜，除用于牙科牙槽骨修复，还可用于颌骨、颅骨等骨修复临床。
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公开(公告)号：CN216133012U
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202121746587.2
申请日：2021-07-29
Applicant: 南昌大学
IPC: G01N31/18
Abstract: 本实用新型涉及气体收集计量装置领域，具体是一种微量析氢收集装置。包括酸式滴定管和气球囊体，所述酸式滴定管安装于支架上，用于气体计量计，所述气球囊体与酸式滴定管开口处通过密封胶布密封连接，用作囊体反应器的同时充当集气装置，本实用新型中气球囊体不同于普通化学实验用作集气或体积可变反应器气球囊体，当气球囊体中注入液体和腐蚀反应过程中气球囊体不发生形变和体积变化。本实用新型不仅适用于小尺寸或降解速度较慢生物镁合金植入件降解析氢量测量，也可用于降解析气量较小的生物锌基合金、生物铁基合金、生物非晶合金等植入件的析气测量。
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