公开(公告)号：CN113773838B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202111052741.0

申请日：2021-09-08

Applicant: 南昌大学

Inventor： 罗岚 ,  张澎鹏 ,  郭锐 ,  徐静宜 ,  安浩瑾 ,  周洲

IPC: C09K11/79 ,  C30B13/00 ,  C30B29/34

Abstract: 本发明公开了铕掺杂硅酸钆晶体的用途及其制备方法，铕掺杂硅酸钆晶体用作热释光晶体，其化学表达式为Gd2‑xSiO5：xEu，式中x＝0.03～0.07；该晶体有低温、高温热释峰；低温热释峰位于143℃，波长为585nm，陷阱深度为1.16eV，频率因子为2.76×109s‑；高温热释释峰位于352℃，发射波长978nm，陷阱深度为1.61eV，频率因子为3.84×1012s‑1。铕掺杂硅酸钆热释光晶体采用光学浮区法制备，包括粉体制备、料棒制备、晶体生长、退火处理四个步骤，其中晶体生长时提拉速度可以达到15mm/h、生长方向为[212]。本发明铕掺杂硅酸钆热释光晶体具有良好的热释性能，对γ射线具有良好辐射剂量热释光线性相应；可用于文物断代和辐射剂量探测；制备工艺的过程简单、速度快。

公开(公告)号：CN113773838A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111052741.0

申请日：2021-09-08

Applicant: 南昌大学

Inventor： 罗岚 ,  张澎鹏 ,  郭锐 ,  徐静宜 ,  安浩瑾 ,  周洲

IPC: C09K11/79 ,  C30B13/00 ,  C30B29/34

Abstract: 本发明公开了铕掺杂硅酸钆晶体的用途及其制备方法，铕掺杂硅酸钆晶体用作热释光晶体，其化学表达式为Gd2‑xSiO5：xEu，式中x＝0.03～0.07；该晶体有低温、高温热释峰；低温热释峰位于143℃，波长为585nm，陷阱深度为1.16eV，频率因子为2.76×109s‑；高温热释释峰位于352℃，发射波长978nm，陷阱深度为1.61eV，频率因子为3.84×1012s‑1。铕掺杂硅酸钆热释光晶体采用光学浮区法制备，包括粉体制备、料棒制备、晶体生长、退火处理四个步骤，其中晶体生长时提拉速度可以达到15mm/h、生长方向为[212]。本发明铕掺杂硅酸钆热释光晶体具有良好的热释性能，对γ射线具有良好辐射剂量热释光线性相应；可用于文物断代和辐射剂量探测；制备工艺的过程简单、速度快。