公开(公告)号：CN118555906B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411003103.3

申请日：2024-07-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 桂友杉 ,  刘晓艳 ,  汪舟 ,  陈骏原 ,  周鹏程 ,  沈竹贤 ,  王凯妮 ,  杨贺然 ,  童祎

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公开基于Nb2C‑氧化锌忆阻器的人工突触器件及其制备方法，属于忆阻器领域；人工突触器件由下至上依次包括：衬底层、底电极层、阻变功能层以及顶电极层；阻变功能层为二维Nb2C层与氧化锌层构成的异质结构，阻变功能层是通过采用旋涂或喷涂工艺将二维Nb2C层覆盖在氧化锌层上制备而成；引入二维层状Nb2C与氧化锌构成异质结构，作为忆阻器的阻变功能层，利用二维层状Nb2C特有的结构特性，引导导电细丝的形成，使得忆阻器具有更加优秀的电学性能，更低的工作电压和更低的能耗以及更好的稳定性和耐久性。

公开(公告)号：CN119403434A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411932280.X

申请日：2024-12-26

Applicant: 南京邮电大学 ,  新微比特纳米科技(苏州)有限公司

Inventor： 刘晓艳 ,  桂友杉 ,  汪舟 ,  周鹏程 ,  陈骏原 ,  杨贺然 ,  沈竹贤 ,  王凯妮 ,  童祎 ,  张浩 ,  陈强

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种基于氧化锌/二硫化钼的多功能光电忆阻器及制备方法，所述忆阻器集成了非易失性存储、人工类脑突触、无线通信多种功能，包括自下而上依次设计的位于基底之上的底电极层、阻变功能层和顶电极层，所述阻变功能层为氧化锌薄膜与二硫化钼薄膜构成的异质结。本发明通过利用二硫化钼抑制导电细丝过度生长的特性，降低了操作功耗，提高了电阻存储窗口以及稳定性，因此能够显著优化忆阻器的性能。

公开(公告)号：CN118555906A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202411003103.3

申请日：2024-07-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 桂友杉 ,  刘晓艳 ,  汪舟 ,  陈骏原 ,  周鹏程 ,  沈竹贤 ,  王凯妮 ,  杨贺然 ,  童祎

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公开基于Nb2C‑氧化锌忆阻器的人工突触器件及其制备方法，属于忆阻器领域；人工突触器件由下至上依次包括：衬底层、底电极层、阻变功能层以及顶电极层；阻变功能层为二维Nb2C层与氧化锌层构成的异质结构，阻变功能层是通过采用旋涂或喷涂工艺将二维Nb2C层覆盖在氧化锌层上制备而成；引入二维层状Nb2C与氧化锌构成异质结构，作为忆阻器的阻变功能层，利用二维层状Nb2C特有的结构特性，引导导电细丝的形成，使得忆阻器具有更加优秀的电学性能，更低的工作电压和更低的能耗以及更好的稳定性和耐久性。