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公开(公告)号：CN116885411A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310989680.3
申请日：2023-08-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明公开了一种宽阻带、阻带内低反射吸收式带阻滤波器，属于微波技术领域。该滤波器包括两个馈电波端口、金属地、介质基板、金属通孔、贴片电阻、方形微带焊盘、纵向枝节微带线、横向连接微带线。其中贴片电阻、方形微带焊盘、纵向枝节微带线、横向连接微带线位于介质基板正表面，金属地位于介质基板背面。贴片电阻用来吸收反射波，方形微带焊盘用来连接金属通孔与贴片电阻。此滤波器结构新颖、体积小、易加工、成本低廉。
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公开(公告)号：CN119296068A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411833215.1
申请日：2024-12-13
Applicant: 南京邮电大学 , 新微比特纳米科技(苏州)有限公司
IPC: G06V20/56
Abstract: 本发明公开基于光电突触器件和忆阻器件的感存算一体化视觉系统，属于智能视觉和类脑计算领域；视觉系统包括：基于光电突触器件的图像传感模块：利用矩阵排列光电突触器件将待测图像的二维图像信息转化为二维电信号，并进行预处理；还包括基于阵列忆阻器件的图像识别模块：接收预处理后的二维电信号，利用忆阻器阵列结构，先将二维电信号标准化得到图像特征矩阵，再将所述特征矩阵输入多层卷积神经网络，多层卷积神经网络对输入的特征矩阵进行多次矩阵运算，进一步提取图像特征信息，最终输出图像识别结果。该视觉系统可广泛应用于图像传感与识别领域，且具有增强模糊图像、识别率高等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118555906B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411003103.3
申请日：2024-07-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开基于Nb2C‑氧化锌忆阻器的人工突触器件及其制备方法，属于忆阻器领域；人工突触器件由下至上依次包括：衬底层、底电极层、阻变功能层以及顶电极层；阻变功能层为二维Nb2C层与氧化锌层构成的异质结构，阻变功能层是通过采用旋涂或喷涂工艺将二维Nb2C层覆盖在氧化锌层上制备而成；引入二维层状Nb2C与氧化锌构成异质结构，作为忆阻器的阻变功能层，利用二维层状Nb2C特有的结构特性，引导导电细丝的形成，使得忆阻器具有更加优秀的电学性能，更低的工作电压和更低的能耗以及更好的稳定性和耐久性。
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公开(公告)号：CN116885412A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311096595.0
申请日：2023-08-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种基于耦合谐振器的吸收式带通滤波器，包括：第一馈电微带线、第二馈电微带线、介质基板、金属地、带通枝节、带阻枝节；第一馈电微带线、第二馈电微带线不相交地贴在介质基板的正表面上并延伸出介质基板，第一馈电微带线延伸出介质基板的端口作为馈电波输入端口，第二馈电微带线延伸出介质基板的端口作为馈电波输出端口；所述带通枝节与带阻枝节垂直相连，第一馈电微带线连接带阻枝节、以及带通枝节，第二馈电微带线连接带通枝节；所述金属地贴合在介质基板的背面上，带通枝节、带阻枝节均接金属地。此滤波器对反射波有一定的吸收能力，性能优异、易加工、成本低廉。
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公开(公告)号：CN119296068B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411833215.1
申请日：2024-12-13
Applicant: 南京邮电大学 , 新微比特纳米科技(苏州)有限公司
IPC: G06V20/56
Abstract: 本发明公开基于光电突触器件和忆阻器件的感存算一体化视觉系统，属于智能视觉和类脑计算领域；视觉系统包括：基于光电突触器件的图像传感模块：利用矩阵排列光电突触器件将待测图像的二维图像信息转化为二维电信号，并进行预处理；还包括基于阵列忆阻器件的图像识别模块：接收预处理后的二维电信号，利用忆阻器阵列结构，先将二维电信号标准化得到图像特征矩阵，再将所述特征矩阵输入多层卷积神经网络，多层卷积神经网络对输入的特征矩阵进行多次矩阵运算，进一步提取图像特征信息，最终输出图像识别结果。该视觉系统可广泛应用于图像传感与识别领域，且具有增强模糊图像、识别率高等特点。
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公开(公告)号：CN119403434A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411932280.X
申请日：2024-12-26
Applicant: 南京邮电大学 , 新微比特纳米科技(苏州)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化锌/二硫化钼的多功能光电忆阻器及制备方法，所述忆阻器集成了非易失性存储、人工类脑突触、无线通信多种功能，包括自下而上依次设计的位于基底之上的底电极层、阻变功能层和顶电极层，所述阻变功能层为氧化锌薄膜与二硫化钼薄膜构成的异质结。本发明通过利用二硫化钼抑制导电细丝过度生长的特性，降低了操作功耗，提高了电阻存储窗口以及稳定性，因此能够显著优化忆阻器的性能。
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公开(公告)号：CN118555906A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202411003103.3
申请日：2024-07-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开基于Nb2C‑氧化锌忆阻器的人工突触器件及其制备方法，属于忆阻器领域；人工突触器件由下至上依次包括：衬底层、底电极层、阻变功能层以及顶电极层；阻变功能层为二维Nb2C层与氧化锌层构成的异质结构，阻变功能层是通过采用旋涂或喷涂工艺将二维Nb2C层覆盖在氧化锌层上制备而成；引入二维层状Nb2C与氧化锌构成异质结构，作为忆阻器的阻变功能层，利用二维层状Nb2C特有的结构特性，引导导电细丝的形成，使得忆阻器具有更加优秀的电学性能，更低的工作电压和更低的能耗以及更好的稳定性和耐久性。
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