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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118197227B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410620291.8
申请日：2024-05-20
Applicant: 南京邮电大学 , 湖州深芯智能科技有限公司
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种有源驱动电路及Micro‑LED器件多色显示方法，属于半导体光电器件驱动技术领域。有源驱动电路包括记忆存储器件、分压电阻和薄膜晶体管，薄膜晶体管的漏极连接驱动电源、源极与Micro‑LED器件串联后接地；记忆存储器件与分压电阻串联后分别连接驱动电源与接地，记忆存储器件与分压电阻的中间节点连接至薄膜晶体管的栅极；记忆存储器件与分压电阻连接的一侧引出外部管脚，用于从外界输入控制信号，以控制改变记忆存储器件的阻值，从而改变Micro‑LED器件的发光颜色。本发明能够在非常简单的电路结构基础上，实现灵活稳定且精确的Micro‑LED多色显示控制效果。
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公开(公告)号：CN118555906B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411003103.3
申请日：2024-07-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开基于Nb2C‑氧化锌忆阻器的人工突触器件及其制备方法，属于忆阻器领域；人工突触器件由下至上依次包括：衬底层、底电极层、阻变功能层以及顶电极层；阻变功能层为二维Nb2C层与氧化锌层构成的异质结构，阻变功能层是通过采用旋涂或喷涂工艺将二维Nb2C层覆盖在氧化锌层上制备而成；引入二维层状Nb2C与氧化锌构成异质结构，作为忆阻器的阻变功能层，利用二维层状Nb2C特有的结构特性，引导导电细丝的形成，使得忆阻器具有更加优秀的电学性能，更低的工作电压和更低的能耗以及更好的稳定性和耐久性。
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公开(公告)号：CN118197227A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410620291.8
申请日：2024-05-20
Applicant: 南京邮电大学 , 湖州深芯智能科技有限公司
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种有源驱动电路及Micro‑LED器件多色显示方法，属于半导体光电器件驱动技术领域。有源驱动电路包括记忆存储器件、分压电阻和薄膜晶体管，薄膜晶体管的漏极连接驱动电源、源极与Micro‑LED器件串联后接地；记忆存储器件与分压电阻串联后分别连接驱动电源与接地，记忆存储器件与分压电阻的中间节点连接至薄膜晶体管的栅极；记忆存储器件与分压电阻连接的一侧引出外部管脚，用于从外界输入控制信号，以控制改变记忆存储器件的阻值，从而改变Micro‑LED器件的发光颜色。本发明能够在非常简单的电路结构基础上，实现灵活稳定且精确的Micro‑LED多色显示控制效果。
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公开(公告)号：CN119403434A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411932280.X
申请日：2024-12-26
Applicant: 南京邮电大学 , 新微比特纳米科技(苏州)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化锌/二硫化钼的多功能光电忆阻器及制备方法，所述忆阻器集成了非易失性存储、人工类脑突触、无线通信多种功能，包括自下而上依次设计的位于基底之上的底电极层、阻变功能层和顶电极层，所述阻变功能层为氧化锌薄膜与二硫化钼薄膜构成的异质结。本发明通过利用二硫化钼抑制导电细丝过度生长的特性，降低了操作功耗，提高了电阻存储窗口以及稳定性，因此能够显著优化忆阻器的性能。
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公开(公告)号：CN118555906A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202411003103.3
申请日：2024-07-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开基于Nb2C‑氧化锌忆阻器的人工突触器件及其制备方法，属于忆阻器领域；人工突触器件由下至上依次包括：衬底层、底电极层、阻变功能层以及顶电极层；阻变功能层为二维Nb2C层与氧化锌层构成的异质结构，阻变功能层是通过采用旋涂或喷涂工艺将二维Nb2C层覆盖在氧化锌层上制备而成；引入二维层状Nb2C与氧化锌构成异质结构，作为忆阻器的阻变功能层，利用二维层状Nb2C特有的结构特性，引导导电细丝的形成，使得忆阻器具有更加优秀的电学性能，更低的工作电压和更低的能耗以及更好的稳定性和耐久性。
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