公开(公告)号：CN104320913A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410497288.8

申请日：2014-09-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 李兴鳌 ,  杨建波 ,  李潼 ,  吴振利 ,  闫猛 ,  赵建华 ,  黄维

IPC: H05K3/00

CPC classification number: H05K3/022 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/35 ,  H05K3/027 ,  H05K2203/085 ,  H05K2203/107

Abstract: 本发明是一种基于氮化铜薄膜的柔性线路板制造方法，利用磁控溅射方法在基膜上氮化铜薄膜，充当刻蚀电路的介质层，在激光照射作用下氮化铜发生分解生成铜附着在基板形成铜线或铜点，使用溶剂溶解基板上的氮化铜薄膜，即完成柔性线路板的制作。本发明将氮化铜的低温热分解特性运用到柔性线路板中，并且对柔性线路板的制作工艺进行改良，制作出全新的柔性线路板。

公开(公告)号：CN103596373A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310546250.0

申请日：2013-11-07

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 李兴鳌 ,  杨建波 ,  吴振利 ,  黄赛佳 ,  侯雨轩 ,  侍宇雨 ,  黄维

IPC: H05K3/06 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明是一种基于氮化铜薄膜的集成电路板制造方法，利用磁控溅射镀膜方法在基板上渡一层氮化铜薄膜，使用氮化铜薄膜充当刻蚀电路的介质层，在激光作用下氮化铜发生分解生成铜附着在基板上，使用溶剂清除基板上的氮化铜薄膜，即完成集成电路板的制作。本发明将氮化铜的这种低温热分解特性运用到集成电路板中，并且对集成电路板的制作工艺进行改良，制作出全新且无毒的基于氮化铜的集成电路板。

公开(公告)号：CN104078564A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410316306.8

申请日：2014-07-04

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 毛巍威 ,  李兴鳌 ,  王兴福 ,  韩玉敏 ,  全楚烨 ,  杨建波

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明属于信息存储技术领域，具体公开了一种基于掺杂铁酸铋的阻变存储器及其制备方法。所述存储器由衬底、底电极、阻变存储层和顶电极组成，器件单元为三明治结构，阻变存储层位于底电极和顶电极之间，阻变存储层采用掺杂铁酸铋。具体制备方法为，首先在衬底上用磁控溅射的方法沉积金属层作为底电极，然后在金属层上生长掺杂的铁酸铋薄膜，选用自制的掺杂铁酸铋的靶材，最后用磁控溅射的方法沉积形成顶电极，这样得到基于掺杂铁酸铋的阻变存储器。该阻变存储器性能稳定，制作成本低，结构简单，制造过程简单，对设备要求不高，易于大规模制造。