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发明公开
一种基于氮化铜薄膜的集成电路板制造方法无效

公开(公告)号：CN103596373A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310546250.0

申请日：2013-11-07

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 李兴鳌 , 杨建波 , 吴振利 , 黄赛佳 , 侯雨轩 , 侍宇雨 , 黄维

IPC: H05K3/06 , H01L21/48

Abstract: 本发明是一种基于氮化铜薄膜的集成电路板制造方法，利用磁控溅射镀膜方法在基板上渡一层氮化铜薄膜，使用氮化铜薄膜充当刻蚀电路的介质层，在激光作用下氮化铜发生分解生成铜附着在基板上，使用溶剂清除基板上的氮化铜薄膜，即完成集成电路板的制作。本发明将氮化铜的这种低温热分解特性运用到集成电路板中，并且对集成电路板的制作工艺进行改良，制作出全新且无毒的基于氮化铜的集成电路板。

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