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公开(公告)号：CN104078564A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410316306.8
申请日：2014-07-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于信息存储技术领域，具体公开了一种基于掺杂铁酸铋的阻变存储器及其制备方法。所述存储器由衬底、底电极、阻变存储层和顶电极组成，器件单元为三明治结构，阻变存储层位于底电极和顶电极之间，阻变存储层采用掺杂铁酸铋。具体制备方法为，首先在衬底上用磁控溅射的方法沉积金属层作为底电极，然后在金属层上生长掺杂的铁酸铋薄膜，选用自制的掺杂铁酸铋的靶材，最后用磁控溅射的方法沉积形成顶电极，这样得到基于掺杂铁酸铋的阻变存储器。该阻变存储器性能稳定，制作成本低，结构简单，制造过程简单，对设备要求不高，易于大规模制造。
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