公开(公告)号：CN117912611A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410090348.8

申请日：2024-01-23

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 蒋少清 ,  郭方正 ,  吴诗颖 ,  高玮辰 ,  陈琳

IPC: G16C60/00 ,  G16C20/50 ,  G16C20/30 ,  G06F30/28 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明公开了一种半导体材料技术领域的分析α‑Ga2O3生长情况的氢化物气相外延系统及方法，其包括对氢化物气相外延系统进行三维建模得到三维腔体模型；对三维腔体模型进行网格划分；将网格划分文件导入计算流体力学仿真软件，设定三维腔体模型的边界条件和材料参数，并选定计算模型和求解器；设置求解器控制参数，利用求解器对仿真反应过程进行迭代求解，得到计算结果；根据计算结果对α‑Ga2O3生长情况进行分析，得到α‑Ga2O3生长情况的分析结果。本发明通过对氢化物气相外延系统进行三维网格建模，分析其流场和反应物分布，并深入研究壁面温度等生长参数对生成物质量及均匀性的影响，进而对实现大面积均匀外延提供优化参数。

公开(公告)号：CN117926217A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410090329.5

申请日：2024-01-23

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 郭方正 ,  蒋少清 ,  吴诗颖 ,  陈琳

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/40 ,  C23C16/52 ,  G06F30/28 ,  G06F30/10 ,  G06F119/14 ,  G06F113/08

Abstract: 本发明公开了一种半导体材料技术领域的分析α‑Ga2O3生长情况的雾化学气相沉积系统及方法，旨在解决现有技术中Mist‑CVD系统连续生长亚稳定相α‑Ga2O3的初始成核过程中存在生成物均匀性较差的问题，其包括构建雾化学气相沉积系统的三维模型，对三维模型进行网格划分生成网格文件；将网格文件导入计算流体力学仿真软件中，设定三维模型的边界条件，并选定多相流求解器；利用多相流求解器对三维模型内反应进行计算；根据计算结果对α‑Ga2O3生长情况进行分析等步骤。本发明可以有效对α‑Ga2O3在雾化学气相沉积系统在的生长情况进行分析，促进生成物α‑Ga2O3的生长均匀性。