主链含β-二酮的共轭小分子或共轭聚合物及制备方法

    公开(公告)号:CN101973885A

    公开(公告)日:2011-02-16

    申请号:CN201010278975.2

    申请日:2010-09-10

    Inventor: 凌启淡 傅华 宋娟

    Abstract: 主链含β-二酮的共轭小分子或共轭聚合物及制备方法。包括将带有卤素的β-二酮与二碳酸二叔丁酯在有机溶剂中反应,分离和得到的产物与富电子单体或缺电子单体通过Sonogashir和Suzuki偶联反应制备得到主链含β-二酮的共轭小分子或共轭聚合物。利用β-二酮的强配位能力,使共轭小分子和不同的金属配位生成不同的配合物,或把共轭聚合物与各种不同的金属共混,使聚合物中的二酮与金属配位,达到改变其光电性能,以期在有机电致发光、生物传感、有机电存储等领域得到应用。

    4-芳基嘧啶或4-杂环芳基嘧啶化合物发光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102206207B

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201110094791.5

    申请日:2011-04-15

    Abstract: 本发明涉及类4-芳基嘧啶或4-杂环芳基嘧啶化合物发光材料及其制备方法,其结构可由通式(1)、通式(2)、通式(3)或通式(4)表示,其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基及取代杂环芳基。本发明是将含有乙酰基的芳香或杂环芳香化合物与原甲酸三酯、乙酸铵在催化剂作用下一锅法进行三组分偶联反应,生成一类含有芳基或杂环芳基的4-取代嘧啶化合物。本发明得到的发光材料具有良好的溶解性、成膜性和稳定性,内量子效率高,其荧光发射光谱可从蓝光调控到黄光,可以单独作为发光材料,还有望成为性能优异的主体材料,对发展性能优越的平面显示器件具有重要意义。

    4-芳基嘧啶或4-杂环芳基嘧啶化合物发光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102206207A

    公开(公告)日:2011-10-05

    申请号:CN201110094791.5

    申请日:2011-04-15

    Abstract: 本发明涉及类4-芳基嘧啶或4-杂环芳基嘧啶化合物发光材料及其制备方法,其结构可由通式(1)、通式(2)、通式(3)或通式(4)表示,其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基及取代杂环芳基。本发明是将含有乙酰基的芳香或杂环芳香化合物与原甲酸三酯、乙酸铵在催化剂作用下一锅法进行三组分偶联反应,生成一类含有芳基或杂环芳基的4-取代嘧啶化合物。本发明得到的发光材料具有良好的溶解性、成膜性和稳定性,内量子效率高,其荧光发射光谱可从蓝光调控到黄光,可以单独作为发光材料,还有望成为性能优异的主体材料,对发展性能优越的平面显示器件具有重要意义。

    具有聚集态诱导磷光发射特性的铂配合物制备和应用

    公开(公告)号:CN101838291A

    公开(公告)日:2010-09-22

    申请号:CN201010187556.8

    申请日:2010-05-28

    Abstract: 本发明属于光电材料技术领域,具体为一类具有聚集态诱导磷光发射特性的铂配合物材料及其制备方法,并将该类材料应用于有机平板显示、气体传感等有机电子领域。该类配合物材料由环金属配体、金属中心和希夫碱配体组成,结构通式如下。该材料合成步骤简单、条件温和,在溶液中发光很弱甚至不发光,但在聚集状态下发光增强且为三线态磷光发射。可以预期,该类材料将成为有商业化潜力的有机光电功能材料。

    后修饰的聚乙烯基咔唑材料及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN100582129C

    公开(公告)日:2010-01-20

    申请号:CN200710131486.2

    申请日:2007-08-31

    Abstract: 后修饰的聚乙烯基咔唑材料及制备方法和应用属有机光电材料科技领域,具体为一种后修饰的聚乙烯基咔唑材料及其制备方法,并将该类材料应用于有机闪存器件和有机发光显示等有机电子领域,该材料具有如下结构:(见图)。该材料具有:(1)合成步骤简单、条件温和;(2)具有特殊的电子结构和光电性质,如闪存电双稳态效应;(3)保持了高热稳定性和玻璃化温度等优点。可以预期,该类材料将成为有商业化潜力的有机光电功能材料。

    一种基于二芳基六氟苯酰亚胺的聚合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN102127209A

    公开(公告)日:2011-07-20

    申请号:CN201010568836.3

    申请日:2010-11-30

    Abstract: 一种基于二芳基六氟苯酰亚胺的聚合物及其制备方法,通过Suzuki聚合、Yamamoto聚合或者Stille聚合制备了一系列不同二芳基六氟苯酰亚胺含量的电活性聚合物。基于六氟二芳酰亚胺的聚合物,具有如下结构通式:其中-Ar1-,-Ar2-,-Ar3-具体为如下结构中的任意一种或-Ar2-不存在:M为各自独立地选自O、C、S和N等原子;x为聚合单体的摩尔数,取值:0.001~1;n为聚合物的链节数,取值:5~200;-Ar1-,-Ar2-,-Ar3-上的修饰单元分别选自氢或正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正十二烷基、正十四烷基、正十八烷基、2-乙基己基、正壬基或正葵基或正辛氧基链中的任一种。

    后修饰的聚乙烯基咔唑材料及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN101161692A

    公开(公告)日:2008-04-16

    申请号:CN200710131486.2

    申请日:2007-08-31

    Abstract: 后修饰的聚乙烯基咔唑材料及制备方法和应用属有机光电材料科技领域,具体为一种后修饰的聚乙烯基咔唑材料及其制备方法,并将该类材料应用于有机闪存器件和有机发光显示等有机电子领域,该材料具有如右式,该材料具有:(1)合成步骤简单、条件温和;(2)具有特殊的电子结构和光电性质,如闪存电双稳态效应;(3)保持了高热稳定性和玻璃化温度等优点。可以预期,该类材料将成为有商业化潜力的有机光电功能材料。

    含有铱配合物的共轭聚合物及其电存储器件的制备方法

    公开(公告)号:CN101280054A

    公开(公告)日:2008-10-08

    申请号:CN200810025558.X

    申请日:2008-04-29

    Abstract: 含有铱配合物的共轭聚合物及其电存储器件的制备方法是:将ITO导电玻璃在超声波中分别用水、丙酮和2-丙醇等洗涤。以权利要求1所述的含有铱配合物的共轭聚合物作为存储材料,配置浓度为0.1-500mg/mL的聚合物溶液,并旋涂到ITO导电玻璃上,真空下除去溶剂,得到聚合物膜。然后蒸镀金、铝、铜等金属作为上电极,ITO导电玻璃等作下电极,所述的聚合物材料作为存储介质,制备得到单层聚合物存储器件。这类聚合物同时含有推电子单元(芴等单元)和拉电子单元(铱配合物),本发明中涵盖的材料可旋涂成膜,不存在重金属配合物分散不均匀的问题,并可根据需要,在聚合物分子链中引入其他功能性基团,有望制备高效、稳定的存储器件。

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