公开(公告)号：CN113437164B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202110661496.7

申请日：2021-06-15

Applicant: 南京理工大学泰州科技学院

Inventor： 董恒平 ,  陈坤基 ,  杨华烽 ,  窦如凤 ,  井娥林 ,  李伟 ,  徐骏

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/09 ,  H01L31/20 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种光导型全硅基日盲紫外探测器及其制作方法，属于光电探测领域，光导型全硅基日盲紫外探测器包括：硅基底，所述硅基底为P型晶硅或本征晶硅，被配置为载流子传输层；非晶掺氧氮化硅薄膜，形成于所述硅基底表面，被配置为紫外光吸收层以产生载流子；叉指状电极，形成于所述非晶掺氧氮化硅薄膜表面。本发明的日盲紫外探测器采用发光的宽禁带非晶掺氧氮化硅(a‑SiNx:O)薄膜作为紫外光吸收层，以P型晶硅(p‑Si)或本征晶硅(i‑Si)作为载流子传输层，构建的光导型全硅基日盲紫外探测器不仅成本低廉，而且能与成熟的CMOS制造工艺相兼容，从而实现大面积生产。

公开(公告)号：CN103938181B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201310210836.X

申请日：2013-05-30

Applicant: 南京理工大学泰州科技学院

Inventor： 董恒平 ,  陈坤基 ,  王昊 ,  窦如凤 ,  郭燕 ,  李伟 ,  徐骏

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明涉及一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法，首先将清洗过的衬底放入PECVD设备的反应腔内，分别将Ar、H2等离子化对衬底进行轰击清洗，然后在20～30℃通入SiH4、NH3、H2混合气体，等离子化后在衬底上淀积a‑SiNx薄膜，通入O2氧化a‑SiNx薄膜形成a‑SiNxOy薄膜，在较低的温度下利用大氢稀释方法制备薄膜，降低了薄膜中的非辐射复合缺陷，从而降低其加压后的漏电流，提高其发光的功率效率，使其与同类薄膜电致发光器件相比发光效率有数量级的增强。

公开(公告)号：CN103938181A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201310210836.X

申请日：2013-05-30

Applicant: 南京理工大学泰州科技学院

Inventor： 董恒平 ,  陈坤基 ,  李伟 ,  徐骏 ,  刘增元 ,  孙正凤

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明涉及一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法，首先将清洗过的衬底放入PECVD设备的反应腔内，分别将Ar、H2等离子化对衬底进行轰击清洗，然后在20～30℃通入SiH4、NH3、H2混合气体，等离子化后在衬底上淀积a-SiNx薄膜，通入O2氧化a-SiNx薄膜形成a-SiNxOy薄膜，在较低的温度下利用大氢稀释方法制备薄膜，降低了薄膜中的非辐射复合缺陷，从而降低其加压后的漏电流，提高其发光的功率效率，使其与同类薄膜电致发光器件相比发光效率有数量级的增强。

公开(公告)号：CN113437164A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202110661496.7

申请日：2021-06-15

Applicant: 南京理工大学泰州科技学院

Inventor： 董恒平 ,  陈坤基 ,  杨华烽 ,  窦如凤 ,  井娥林 ,  李伟 ,  徐骏

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/09 ,  H01L31/20 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种光导型全硅基日盲紫外探测器及其制作方法，属于光电探测领域，光导型全硅基日盲紫外探测器包括：硅基底，所述硅基底为P型晶硅或本征晶硅，被配置为载流子传输层；非晶掺氧氮化硅薄膜，形成于所述硅基底表面，被配置为紫外光吸收层以产生载流子；叉指状电极，形成于所述非晶掺氧氮化硅薄膜表面。本发明的日盲紫外探测器采用发光的宽禁带非晶掺氧氮化硅(a‑SiNx:O)薄膜作为紫外光吸收层，以P型晶硅(p‑Si)或本征晶硅(i‑Si)作为载流子传输层，构建的光导型全硅基日盲紫外探测器不仅成本低廉，而且能与成熟的CMOS制造工艺相兼容，从而实现大面积生产。