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公开(公告)号:CN112301395B
公开(公告)日:2022-06-24
申请号:CN201910707497.3
申请日:2019-08-01
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种附有陶瓷与聚合物复合膜的镍钛合金的制备方法。所述方法通过阴极等离子体电解沉积技术先在NiTi合金表面沉积一层Ti(C,N)‑TiO2陶瓷膜层,再通过恒电位沉积技术沉积一层聚吡咯‑壳聚糖聚合物膜层,制得附有Ti(C,N)‑TiO2/PPy‑CHI复合膜层的NiTi合金,沉积的Ti(C,N)‑TiO2陶瓷膜层形成的多孔通道为PPy‑CHI膜层的沉积提供了铆接点,改善了结合性能,而PPy‑CHI的沉积填充Ti(C,N)‑TiO2涂层表面的微孔,提高膜层表面的致密度。本发明制备的附有陶瓷与聚合物复合膜的镍钛合金的耐磨性及耐蚀性显著改善,同时降低Ni2+释放率,在医用NiTi合金中具有应用前景。
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公开(公告)号:CN112301395A
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN201910707497.3
申请日:2019-08-01
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种附有陶瓷与聚合物复合膜的镍钛合金的制备方法。所述方法通过阴极等离子体电解沉积技术先在NiTi合金表面沉积一层Ti(C,N)‑TiO2陶瓷膜层,再通过恒电位沉积技术沉积一层聚吡咯‑壳聚糖聚合物膜层,制得附有Ti(C,N)‑TiO2/PPy‑CHI复合膜层的NiTi合金,沉积的Ti(C,N)‑TiO2陶瓷膜层形成的多孔通道为PPy‑CHI膜层的沉积提供了铆接点,改善了结合性能,而PPy‑CHI的沉积填充Ti(C,N)‑TiO2涂层表面的微孔,提高膜层表面的致密度。本发明制备的附有陶瓷与聚合物复合膜的镍钛合金的耐磨性及耐蚀性显著改善,同时降低Ni2+释放率,在医用NiTi合金中具有应用前景。
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公开(公告)号:CN110747440A
公开(公告)日:2020-02-04
申请号:CN201910965485.0
申请日:2019-10-12
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公布了一种超低磁阻尼的软磁CoFeMnSi合金薄膜及其制备方法,属于磁性薄膜领域。该合金薄膜由原子比为1:1:1:1的四种元素Co、Fe、Mn、Si组成,为B2结构。本发明通过物理气相沉积法,通过控制退火温度在软磁CFMS合金薄膜上实现了0.002的超低阻尼,与传统磁性金属薄膜相比磁阻尼降低了一个数量级,本发明能够获得具有低磁阻尼且保持优异磁性能的软磁薄膜材料,有助于自旋电子学器件的应用。
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公开(公告)号:CN111441012B
公开(公告)日:2021-12-17
申请号:CN202010322708.4
申请日:2020-04-22
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种低磁死层厚度的磁性薄膜材料及其制备方法,属于磁性材料制备领域,通过在含有N2的混合气体氛围下利用Pt反应溅射得到PtN缓冲层,在PtN缓冲层上利用磁控溅射方法得到目标磁性薄膜材料。本发明通过控制混合气体中N2气体含量Q,使不同N2气体含量下界面反应程度不同,损失的磁性薄膜量不同,从而可降低磁性薄膜的磁死层厚度。
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公开(公告)号:CN111441012A
公开(公告)日:2020-07-24
申请号:CN202010322708.4
申请日:2020-04-22
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种低磁死层厚度的磁性薄膜材料及其制备方法,属于磁性材料制备领域,通过在含有N2的混合气体氛围下利用Pt反应溅射得到PtN缓冲层,在PtN缓冲层上利用磁控溅射方法得到目标磁性薄膜材料。本发明通过控制混合气体中N2气体含量Q,使不同N2气体含量下界面反应程度不同,损失的磁性薄膜量不同,从而可降低磁性薄膜的磁死层厚度。
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