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公开(公告)号：CN115148890B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202210537121.4
申请日：2022-05-17
Applicant: 南京大学 , 网络通信与安全紫金山实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于金属掩膜的铌铝约瑟夫森结的制备方法，包括：金属掩膜遮挡部分衬底，沉积铝膜；铝膜氧化；磁控溅射沉积50nm铌膜；去除金属掩膜后，使用离子束刻蚀处理铌膜表面，露出其新的表面后，再次沉积160nm铌膜；光刻或电子束曝光显影确定结区和上电极图形；使用反应离子刻蚀即得到结区，然后在有机溶剂中去除光刻胶即可。该法采用金属掩膜、铌膜保护的方法制备约瑟夫森结，大大简化了超导量子电路中制备约瑟夫森结的工艺，突破了传统工艺制备约瑟夫森结时尺寸的限制，有效降低了有机试剂、水和空气对铝膜表面氧化势垒层的影响，有效提高了制备约瑟夫森结的成功率和可靠性。
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公开(公告)号：CN115148890A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210537121.4
申请日：2022-05-17
Applicant: 南京大学 , 网络通信与安全紫金山实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于金属掩膜的铌铝约瑟夫森结的制备方法，包括：金属掩膜遮挡部分衬底，沉积铝膜；铝膜氧化；磁控溅射沉积50nm铌膜；去除金属掩膜后，使用离子束刻蚀处理铌膜表面，露出其新的表面后，再次沉积160nm铌膜；光刻或电子束曝光显影确定结区和上电极图形；使用反应离子刻蚀即得到结区，然后在有机溶剂中去除光刻胶即可。该法采用金属掩膜、铌膜保护的方法制备约瑟夫森结，大大简化了超导量子电路中制备约瑟夫森结的工艺，突破了传统工艺制备约瑟夫森结时尺寸的限制，有效降低了有机试剂、水和空气对铝膜表面氧化势垒层的影响，有效提高了制备约瑟夫森结的成功率和可靠性。
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公开(公告)号：CN115015157A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210560740.5
申请日：2022-05-20
Applicant: 南京大学 , 网络通信与安全紫金山实验室
IPC: G01N21/3586 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开一种基于超导太赫兹源辐射光斑的太赫兹成像装置，包括太赫兹波发生系统、太赫兹波检测系统和信号采集与转换系统；太赫兹波发生系统为成像装置提供太赫兹源；太赫兹波检测系统实现太赫兹信号的检测；信号采集与转换系统把测到的电流信号、电压信号和辐射强度信号转换成计算机可识别的数字信号，并绘制成图片。本发明超导太赫兹源产生的太赫兹波经过平凸透镜扩束后得到较大光斑用于给物体成像，再经斩波器调制后被太赫兹检波器所测量。本发明能够利用超导太赫兹源辐射出的光斑进行成像，具有成本低、系统简单和效率高等优点，降低了现有的太赫兹成像系统的复杂度，有着广阔的研究价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN111983533B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010764379.9
申请日：2020-08-02
Applicant: 南京大学 , 网络通信与安全紫金山实验室
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明公开了一种内置于多种低温平台的超导测试装置，包括样品固定器、顶盖、超导线圈、接线PCB板与线圈支架，所述超导线圈位于线圈支架的中部，所述样品固定器位于线圈支架的内部，所述接线PCB板位于样品固定器的一侧，所述顶盖位于样品固定器一侧。本装置通过内置制冷机内部的方式，适用于多种类型低温测试系统的测试装置，能够集成微波测试天线。本发明能够利用低温环境和超导线材减小线圈导线电阻，能够增大相同匝数的磁场大小。为了减小热辐射，顶盖可以密封测试内部样品台，减小外部环境噪声。密封可以减小热辐射，超导线圈在较小的电流下能够产生较大的磁场，该装置能够满足低温测试环境需求。
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公开(公告)号：CN111983533A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010764379.9
申请日：2020-08-02
Applicant: 南京大学 , 网络通信与安全紫金山实验室
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明公开了一种应用于多种低温平台的超导测试装置，包括样品固定器、顶盖、超导线圈、接线PCB板与线圈支架，所述超导线圈位于线圈支架的中部，所述样品固定器位于线圈支架的内部，所述接线PCB板位于样品固定器的一侧，所述接线PCB板的上端活动连接有顶盖，本装置适用与多种类型低温测试系统的测试装置，能够集成微波测试天线。本发明能够减小线圈导线电阻，能够增大相同匝数和电流下的磁场大小和均匀性，为了让磁场均匀能够施加在磁场，顶盖可以密封测试装置，密封可以隔离电磁辐射等，产生的磁场比较均匀，而且在较小的电流下，能够产生较大的磁场，能够满足低温测试环境需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115207202A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210531719.2
申请日：2022-05-16
Applicant: 南京大学 , 网络通信与安全紫金山实验室
Abstract: 本发明公开一种新型铌基约瑟夫森结的制备方法，属于低温超导技术领域，制备方法主要包含以下过程：清洗基片；光刻定义底电极区域；制备Nb底电极；剥离；制备Al‑AlOx‑Al势垒层；生长Nb顶层电极；再次光刻，定义结区和顶电极区域；反应离子刻蚀和离子束刻蚀；去胶。本发明通过微加工技术、真空镀膜技术和刻蚀技术制备铌基约瑟夫森结，简化了工艺；采用两次光刻的工艺制备铌基约瑟夫森结，减少了器件在制备过程中界面退化的可能性，简化了制备铌基约瑟夫森结的工艺，避免了复杂的加工流程，有利于约瑟夫森结的大规模制造和应用。
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公开(公告)号：CN111994867A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010764389.2
申请日：2020-08-02
Applicant: 南京大学 , 网络通信与安全紫金山实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于悬空掩模和生长薄膜法制备大面积可控纳米沟道的方法，准备一片450微米厚2英寸的单抛 硅片和一块有若干2微米宽度微桥结构的掩模版，在清洗后的硅片表面上首先旋涂一层LOR10B底层胶，在硅片上滴上LOR10B使胶能够完全覆盖在硅片上。本发明的一种基于悬空掩模和生长薄膜法制备大面积可控纳米沟道的方法，采用悬空掩模技术、角度蒸发生长薄膜法和反应离子刻蚀技术，制备出硅片上的纳米沟道；通过紫外曝光双层胶显影得到光刻胶悬空微桥，再通过电子束蒸发角度生长铝膜，得到铝膜的纳米间隙，最后使用铝薄膜作为掩模，通过反应离子刻蚀技术刻蚀硅片，去除铝膜后即可得到硅的纳米沟道，同时这种方法可以实现大规模量化生产，价格低廉。
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公开(公告)号：CN117538270A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311607272.3
申请日：2023-11-28
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室
Abstract: 本申请公开了一种光谱标定方法及系统、数据测量方法及系统、设备及介质，所属的技术领域为光学仪器技术。所述光谱标定方法包括：设置SNSPI成像器的当前偏置电流值；设置激光器的能量值，以使所述激光器对所述SNSPI成像器的光子输出速率达到预设值；利用所述激光器依次按照待标定光谱数据的每一波长向所述SNSPI成像器发射激光，得到所述SNSPI成像器中像元的电脉冲时间差，并根据所述电脉冲时间差计算所述像元对所述待标定光谱数据中每一波长的光子响应率；根据所述光子响应率构建所述SNSPI成像器的光谱响应矩阵，完成光谱标定。本申请能够通过光谱标定得到条件数较低的光谱响应矩阵，提高测量精度。
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公开(公告)号：CN116067511A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211718817.3
申请日：2022-12-29
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明公开了一种微波单光子探测器和方法。其中，该探测器包括：金属腔腔体，包括第一谐振腔和第二谐振腔，第一谐振腔的一侧装配第一探针，第二谐振腔的一侧装配第二探针和第三探针，第二探针连接微波单光子探测器的控制读取信号输入端口，第三探针连接微波单光子探测器的控制读取信号输出端口；多端口器件，多端口器件的第一端口连接微波单光子探测器的微波单光子输入端口，多端口器件的第二端口连接第一探针，多端口器件的第三端口连接第一探针连接微波单光子探测器的微波单光子输出端口；超导量子比特，横贯第一谐振腔和第二谐振腔。本发明解决了相关技术中对微波单光子探测的探测效果差的技术问题。
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公开(公告)号：CN117555357A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311494427.7
申请日：2023-11-10
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室
IPC: G05D3/12
Abstract: 本申请公开了一种快速反射镜的控制方法、系统、电子设备及存储介质，所属的技术领域为激光跟瞄技术。所述快速反射镜的控制方法包括：确定快速反射镜的测试角度集合；控制所述快速反射镜按照所述测试角度集合中的所述偏转角度进行转动，得到每一所述偏转角度下出射激光在所述光电探测器靶面的激光照射点；根据所述激光照射点的坐标值和所述偏转角度计算方向矢量组；接收激光跟瞄任务，根据所述方向矢量组计算所述激光跟瞄任务对应的角度修正值，并控制所述快速反射镜按照所述角度修正值转动。本申请能够实现快速反射镜的快速标定，提高对入射激光的跟踪精度。
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