公开(公告)号：CN104030350A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410308789.7

申请日：2014-07-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 朱俊杰 ,  熊维伟 ,  吴兴才 ,  陈晋强

IPC: C01G27/00 ,  H01L21/335 ,  H01L29/772 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种制备HfS3纳米带材料的方法，将铪粉末与升华硫粉末按照1:3比例混合，充分研磨至混合均匀，将混合好的反应原料装入一端封闭的石英管中，抽真空，焰封。将密封好的石英管水平放入卧式管式炉中，在一定温度下反应一段时间后，石英管内生成产物三硫化铪(HfS3)纳米带。由本发明HfS3纳米带材料制备FET或光探测器器件，FET为p型半导体，可见光探测器在可见光的波长范围内具有敏感的光电特性。本发明公开了其制法。

公开(公告)号：CN104261358A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201410460580.2

申请日：2014-09-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 吴兴才 ,  熊维伟 ,  朱俊杰 ,  陈晋强

IPC: C01B19/04 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/80 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/17

Abstract: 一种制备ZrSe3和HfSe3纳米带的方法，即将锆粉(或铪粉)与硒粉按照1∶3比例混合，充分研磨混合均匀并装入一端封闭的石英管中，抽真空，火焰封闭另一端。将密封好的石英管水平放入管式炉的中，原料在炉子中间，在550-750℃反应一段时间后，原料全部转化为ZrSe3(或HfSe3)纳米带。然后，将这两种纳米带分别在SiO2/Si基片上加工成单根纳米带的场效应晶体管作为光探测器。这两种光探测器在可见光的波长范围内具有良好的光敏感特性。本发明公开了其材料制备方法和该探测器的制作方法。