公开(公告)号：CN102315333A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110309884.5

申请日：2011-10-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  喀哈尔·玉苏普 ,  林涛 ,  徐岭 ,  陈坤基 ,  肖金荣 ,  耿雷

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/04 ,  C25D9/04 ,  C25D5/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 三元ZnSnS薄膜的制备方法，以玻璃、陶瓷或硅片镀有金属膜作为电极构成带电极的衬底材料、或采用ITO衬底，经清洗后在电解液中以脉冲电位法进行电沉积，电解液的温度为室温至45℃；电沉积过程：在阴极即工作电极上夹好带电极的衬底或ITO衬底浸入到电解液中，调节脉冲电位法的参数为，开启电位-1.0至-1.2V，开启时间10，沉积时的关断电位不是0V，而是设置为负关断电位-0.6V，关断时间10s；重复上述电沉积过程或增加相应的脉冲次数以获得需要的厚度；本发明的改进脉冲电沉积制备方法，一步获得相关薄膜，其设备和制备过程简单，可实现大面积制备，成本低。

公开(公告)号：CN102544180A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210026928.8

申请日：2012-02-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐岭 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  肖金荣 ,  耿雷 ,  陈坤基 ,  李伟 ,  方力 ,  刘妮 ,  江一帆 ,  杨菲 ,  仝亮

IPC: H01L31/065 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种硫系太阳能电池及其制作方法，硫系太阳能电池包括衬底、ITO、纳米结构层、纳米硅层和下电极；所述下电极设在纳米硅层上；所述纳米硅层设在纳米结构层上；所述纳米结构层设在ITO上；所述ITO设在衬底上；方法包括衬底的处理、透明导电层的生长、纳米结构层的制备、纳米硅层(Nano-Si)生长和蒸镀下电极步骤。基于ZnS、CdS、CdTe纳米晶或nano-Si和非晶硅薄膜组成的多结面硫系太阳能电池结构，对可见光的吸收极大增大，从而其光电转化效率较普通单层薄膜太阳电池高；可以通过改变生长条件控制纳米结构介质层中纳米晶或纳米线的尺寸及分布，从而达到调节纳米晶层的光学带隙宽度的目的；硫系太阳能电池制作方法与传统的半导体硅工艺相兼容。

公开(公告)号：CN102315333B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201110309884.5

申请日：2011-10-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  喀哈尔·玉苏普 ,  林涛 ,  徐岭 ,  陈坤基 ,  肖金荣 ,  耿雷

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/06 ,  C25D9/08 ,  C25D5/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 三元ZnSnS薄膜的制备方法，以玻璃、陶瓷或硅片镀有金属膜作为电极构成带电极的衬底材料、或采用ITO衬底，经清洗后在电解液中以脉冲电位法进行电沉积，电解液的温度为室温至45℃；电沉积过程：在阴极即工作电极上夹好带电极的衬底或ITO衬底浸入到电解液中，调节脉冲电位法的参数为，开启电位-1.0至-1.2V，开启时间10，沉积时的关断电位不是0V，而是设置为负关断电位-0.6V，关断时间10s；重复上述电沉积过程或增加相应的脉冲次数以获得需要的厚度；本发明的改进脉冲电沉积制备方法，一步获得相关薄膜，其设备和制备过程简单，可实现大面积制备，成本低。