公开(公告)号：CN102315333B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201110309884.5

申请日：2011-10-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  喀哈尔·玉苏普 ,  林涛 ,  徐岭 ,  陈坤基 ,  肖金荣 ,  耿雷

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/06 ,  C25D9/08 ,  C25D5/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 三元ZnSnS薄膜的制备方法，以玻璃、陶瓷或硅片镀有金属膜作为电极构成带电极的衬底材料、或采用ITO衬底，经清洗后在电解液中以脉冲电位法进行电沉积，电解液的温度为室温至45℃；电沉积过程：在阴极即工作电极上夹好带电极的衬底或ITO衬底浸入到电解液中，调节脉冲电位法的参数为，开启电位-1.0至-1.2V，开启时间10，沉积时的关断电位不是0V，而是设置为负关断电位-0.6V，关断时间10s；重复上述电沉积过程或增加相应的脉冲次数以获得需要的厚度；本发明的改进脉冲电沉积制备方法，一步获得相关薄膜，其设备和制备过程简单，可实现大面积制备，成本低。

公开(公告)号：CN102315333A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110309884.5

申请日：2011-10-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  喀哈尔·玉苏普 ,  林涛 ,  徐岭 ,  陈坤基 ,  肖金荣 ,  耿雷

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/04 ,  C25D9/04 ,  C25D5/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 三元ZnSnS薄膜的制备方法，以玻璃、陶瓷或硅片镀有金属膜作为电极构成带电极的衬底材料、或采用ITO衬底，经清洗后在电解液中以脉冲电位法进行电沉积，电解液的温度为室温至45℃；电沉积过程：在阴极即工作电极上夹好带电极的衬底或ITO衬底浸入到电解液中，调节脉冲电位法的参数为，开启电位-1.0至-1.2V，开启时间10，沉积时的关断电位不是0V，而是设置为负关断电位-0.6V，关断时间10s；重复上述电沉积过程或增加相应的脉冲次数以获得需要的厚度；本发明的改进脉冲电沉积制备方法，一步获得相关薄膜，其设备和制备过程简单，可实现大面积制备，成本低。