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公开(公告)号：CN102631916B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201110342575.8
申请日：2011-11-03
Applicant: 常州大学 , 南京大学连云港高新技术研究院
IPC: B01J23/44 , B01J35/10 , C07C309/46 , C07C303/22
Abstract: 本发明涉及一种负载钯的介孔碳催化剂，其特征在于介孔碳在负载钯之前进行预处理，处理方法包括以下步骤之一或其组合：(1)将介孔碳加入10％?30％过氧化物溶液中浸泡1?24小时，洗涤去除过氧化物；(2)将介孔碳加入1?6M盐酸溶液中浸泡1?24小时，洗涤去除盐酸。此外，本发明还涉及将该催化剂应用于4，4’?二氨基二苯乙烯?2，2’?二磺酸(DSD酸)的制备。本发明所述对催化剂载体进行预处理提高催化剂活性，降低催化剂消耗；对工艺条件进行优化，有效的提高了DNS酸转化为DSD酸的转化率，并保持产物DSD酸的高选择性。
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公开(公告)号：CN101781054A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN201010109182.8
申请日：2010-02-11
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C02F9/00 , C02F1/46114 , C02F1/4672 , C02F1/5236 , C02F1/66
Abstract: 本发明公开了一种三维电极混凝组合深度处理焦化废水的方法，属于废水处理领域。其步骤为：用H2SO4或盐酸调节废水pH值，然后将废水引入流化床三维电极反应器，在粒子电极和主电极的共同作用下强化对有机物质的氧化破坏，然后废水流入混凝反应池，投加一定量聚硅酸铁镁混凝剂进行混凝处理后流入沉淀池自然沉淀，将上清液引出即得出水。本发明对焦化废水生化出水进行深度处理，出水COD、氨氮和色度可以达到国家一级排放要求。本发明工艺简单，易操作，处理效果显著，运行费用低，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101759236A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910264222.3
申请日：2009-12-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种工业园区点源污染物的调控方法，属于污染控制领域。其步骤为：概率分布的确定；进行马氏链模拟，包括污染因子序列状态空间的统计、马氏链轨道的模拟和模拟序列的确定；预测模型的检验规则，采用双检验规则确定污染因子序列实测序列和模拟序列的相关系数；确定混合废水的调控方案，根据混合废水模型公式计算工业园区待调控污染因子的混合浓度，根据待调控污染因子的指标阈值判断该浓度是否超过调控要求。本发明将随机理论和废水混合原理应用到工业园区点源污染物的调控中，经过验证本方法具有较高的吻合度，通过建立的混合废水的调控方案进行调控，可为工业园区污水处理厂长效稳定建设运行、设施智能化控制和接管收费等提供指导。
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公开(公告)号：CN101759236B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910264222.3
申请日：2009-12-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种工业园区点源污染物的调控方法，属于污染控制领域。其步骤为：概率分布的确定；进行马氏链模拟，包括污染因子序列状态空间的统计、马氏链轨道的模拟和模拟序列的确定；预测模型的检验规则，采用双检验规则确定污染因子序列实测序列和模拟序列的相关系数；确定混合废水的调控方案，根据混合废水模型公式计算工业园区待调控污染因子的混合浓度，根据待调控污染因子的指标阈值判断该浓度是否超过调控要求。本发明将随机理论和废水混合原理应用到工业园区点源污染物的调控中，经过验证本方法具有较高的吻合度，通过建立的混合废水的调控方案进行调控，可为工业园区污水处理厂长效稳定建设运行、设施智能化控制和接管收费等提供指导。
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公开(公告)号：CN1877798A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610085390.2
申请日：2006-06-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 硅基单电子器件结构的制备方法，以(100)晶向的表层硅SOI为衬底；低压化学气相沉积LPCVD在表层硅上依次淀积氮化硅、多晶硅、氮化硅，并对作为顶栅材料的多晶硅层进行磷离子注入掺杂；以电子束光刻EBL显影，感应耦合等离子体刻蚀将在氮化硅上图形转移到多晶硅层；用各向异性腐蚀液腐蚀形成硅的点接触的结构；以光学光刻开源漏注入窗口，注入窗口与顶栅略有重叠，经磷离子注入并热退火RTA；以等离子体化学气相沉积PECVD法在注入窗口沉积二氧化硅绝缘层；以光学光刻注入窗口上光刻接触窗口，以氢氟酸腐蚀去掉接触窗口中的二氧化硅；以光学光刻电极窗口并制备铝电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101781054B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201010109182.8
申请日：2010-02-11
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C02F9/00 , C02F1/46114 , C02F1/4672 , C02F1/5236 , C02F1/66
Abstract: 本发明公开了一种三维电极混凝组合深度处理焦化废水的方法，属于废水处理领域。其步骤为：用H2SO4或盐酸调节废水pH值，然后将废水引入流化床三维电极反应器，在粒子电极和主电极的共同作用下强化对有机物质的氧化破坏，然后废水流入混凝反应池，投加一定量聚硅酸铁镁混凝剂进行混凝处理后流入沉淀池自然沉淀，将上清液引出即得出水。本发明对焦化废水生化出水进行深度处理，出水COD、氨氮和色度可以达到国家一级排放要求。本发明工艺简单，易操作，处理效果显著，运行费用低，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102631916A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201110342575.8
申请日：2011-11-03
Applicant: 常州大学 , 南京大学连云港高新技术研究院
IPC: B01J23/44 , B01J35/10 , C07C309/46 , C07C303/22
Abstract: 本发明涉及一种负载钯的介孔碳催化剂，其特征在于介孔碳在负载钯之前进行预处理，处理方法包括以下步骤之一或其组合：(1)将介孔碳加入10％-30％过氧化物溶液中浸泡1-24小时，洗涤去除过氧化物；(2)将介孔碳加入1-6M盐酸溶液中浸泡1-24小时，洗涤去除盐酸。此外，本发明还涉及将该催化剂应用于4，4’-二氨基二苯乙烯-2，2’-二磺酸(DSD酸)的制备。本发明所述对催化剂载体进行预处理提高催化剂活性，降低催化剂消耗；对工艺条件进行优化，有效的提高了DNS酸转化为DSD酸的转化率，并保持产物DSD酸的高选择性。
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公开(公告)号：CN1884043B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200610088283.5
申请日：2006-07-07
Applicant: 南京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 纳米点结构制备中电子束直写版图的图形补偿方法，以(100)晶向的SOI为衬底；采用热氧化和缓冲氢氟酸BHF对SOI表层硅处理以获得需要的表层硅厚度；旋涂电子束抗蚀剂，以电子束曝光剂量进行电子束直写工艺；以扫描电子显微镜SEM观察结果以确定最优的曝光剂量；根据显影结果，对第一次曝光版图做图形补偿修正；对原始的设计版图进行图形修补，确定最好的修补版图；干法刻蚀将电子束抗蚀剂图形转移到表层硅上，最后湿法去胶。
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公开(公告)号：CN1884043A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610088283.5
申请日：2006-07-07
Applicant: 南京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 纳米点结构制备中电子束直写版图的图形补偿方法，以(100)晶向的SOI为衬底；采用热氧化和缓冲氢氟酸BHF对SOI表层硅处理以获得需要的表层硅厚度；旋涂电子束抗蚀剂，以电子束曝光剂量进行电子束直写工艺；以扫描电子显微镜SEM观察结果以确定最优的曝光剂量；根据显影结果，对第一次曝光版图做图形补偿修正；对原始的设计版图进行图形修补，确定最好的修补版图；干法刻蚀将电子束抗蚀剂图形转移到表层硅上，最后湿法去胶。
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公开(公告)号：CN103985136A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410107054.8
申请日：2014-03-21
Applicant: 南京大学
IPC: G06T7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于局部特征点特征流型的目标跟踪方法，包括以下步骤：指定第一帧图像中的目标，提取特征点；对局部区域图像进行变换；对每个变换后图像的特征点提取尺度不变特征描述向量，构成特征向量集；采用线性子空间逼近特征向量集；在下一帧中提取目标临近区域特征点尺度不变特征描述；将下一帧中提取的特征点与当前帧的特征流型集合以及候选特征点集合中的元素进行匹配，生成匹配关系；根据匹配关系计算连续两帧匹配点之间的单应变换矩阵；对目标区域顶点坐标进行单应变换，计算出目标的位移；更新并记录目标位置，更新特征流型集合及候选特征点集合；若下一帧非最后一帧，移动至下一帧；否则，结束。
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