公开(公告)号：CN101777615B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201010018325.4

申请日：2010-01-13

Applicant: 南京大学 ,  南京大学扬州光电研究院

Inventor： 张荣 ,  陈鹏 ,  谢自力 ,  施毅 ,  刘斌 ,  刘荣海 ,  于治国 ,  江若琏 ,  韩平 ,  修向前 ,  郑有炓

IPC: H01L33/22

Abstract: 本发明涉及一种表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片，采用工艺简单、低损伤、高腐蚀速率的湿法腐蚀方法，在GaN基片表面直接获得多孔结构。所述表面多孔的GaN基片的制备方法，包括以下步骤：a.在GaN基片表面的GaN层上镀一层铝膜；b.置于电化学池内的酸溶液中加电压，用电化学方法实现阳极氧化，使铝膜成为多孔氧化铝；c.继续加电压至60～200V，用电化学方法腐蚀GaN基片表面，在GaN层表面形成多孔结构；d.去掉表面的氧化物，得到表面多孔的GaN基片。本发明设计并制备出GaN表面的无序多孔结构，使GaN-空气界面的光传播随机化，最大程度减少了界面全反射，极大地提高了光引出效率。

公开(公告)号：CN101777615A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN201010018325.4

申请日：2010-01-13

Applicant: 南京大学 ,  南京大学扬州光电研究院

Inventor： 张荣 ,  陈鹏 ,  谢自力 ,  施毅 ,  刘斌 ,  刘荣海 ,  于治国 ,  江若琏 ,  韩平 ,  修向前 ,  郑有炓

IPC: H01L33/22

Abstract: 本发明涉及一种表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片，采用工艺简单、低损伤、高腐蚀速率的湿法腐蚀方法，在GaN基片表面直接获得多孔结构。所述表面多孔的GaN基片的制备方法，包括以下步骤：a.在GaN基片表面的GaN层上镀一层铝膜；b.置于电化学池内的酸溶液中加电压，用电化学方法实现阳极氧化，使铝膜成为多孔氧化铝；c.继续加电压至60～200V，用电化学方法腐蚀GaN基片表面，在GaN层表面形成多孔结构；d.去掉表面的氧化物，得到表面多孔的GaN基片。本发明设计并制备出GaN表面的无序多孔结构，使GaN-空气界面的光传播随机化，最大程度减少了界面全反射，极大地提高了光引出效率。

公开(公告)号：CN102903886A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210287527.8

申请日：2012-08-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  智婷 ,  陶涛 ,  谢自力 ,  于治国 ,  刘斌 ,  陈鹏 ,  修向前 ,  李毅 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01M4/04 ,  H05H1/30

CPC classification number: H01M4/0471 ,  H01M4/04 ,  H01M10/0431 ,  H01M10/0436 ,  H01M10/0587 ,  H01M10/42

Abstract: 利用干法腐蚀去除电池极片毛刺的方法，利用电感线圈将反应气体离子化，使得离子化后的反应粒子在DC偏压下轰击电池极片毛刺表面，使电池极片工件边缘的毛刺在物理轰击效果下被消除，从而达到消除因工件加工带来的边缘毛刺。所使用的设备是电感耦合等离子体刻蚀仪（简称ICP）。本发明能完全去除电池极片上的毛刺，从而可以有效避免电池极片在卷绕过程中刺破隔膜而引起电池短路的现象发生。