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公开(公告)号：CN112562773B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201911024559.7
申请日：2019-10-25
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 郝中蓬
IPC: G11C29/44
Abstract: 本发明公开了一种逻辑状态校正装置与逻辑状态校正方法，逻辑状态校正装置包含侦测电路、校正电路以及调整电路。侦测电路用以侦测输入信号的初始逻辑状态，以及响应于初始逻辑状态产生具有第一逻辑状态的第一信号。校正电路用以将具有第一逻辑状态的第一信号与具有第二逻辑状态的第二信号比较，并根据比较结果产生致能信号。当第一信号的第一逻辑状态和第二信号的第二逻辑状态不同时，调整电路用以被致能信号致能以产生调整信号至侦测电路。侦测电路还用以根据调整信号被调整以产生经调整的第一信号。通过本发明中将输出信号与参考信号比较以及调整侦测电路，能够输出具有正确逻辑状态的信号给后续的核心逻辑电路。
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公开(公告)号：CN111291872B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201910160095.6
申请日：2019-03-04
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 郝中蓬
Abstract: 本公开提供一种集成电路元件及电路。该集成电路元件包括一测量电路以及一分类器电路。该测量电路经配置以获取一实际电压。该分类器电路经配置以：通过比较一预设电压和该实际电压来产生关于一不成熟分类的信息；接收关于一参考分类的信息，该参考分类是通过人工比较该预设电压和该实际电压获得的；基于该不成熟分类和该参考分类，将该预设电压更新为一经学习电压；以及基于该经学习电压，产生经配置以调整回转率的预测。
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公开(公告)号：CN112562773A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201911024559.7
申请日：2019-10-25
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 郝中蓬
IPC: G11C29/44
Abstract: 本发明公开了一种逻辑状态校正装置与逻辑状态校正方法，逻辑状态校正装置包含侦测电路、校正电路以及调整电路。侦测电路用以侦测输入信号的初始逻辑状态，以及响应于初始逻辑状态产生具有第一逻辑状态的第一信号。校正电路用以将具有第一逻辑状态的第一信号与具有第二逻辑状态的第二信号比较，并根据比较结果产生致能信号。当第一信号的第一逻辑状态和第二信号的第二逻辑状态不同时，调整电路用以被致能信号致能以产生调整信号至侦测电路。侦测电路还用以根据调整信号被调整以产生经调整的第一信号。通过本发明中将输出信号与参考信号比较以及调整侦测电路，能够输出具有正确逻辑状态的信号给后续的核心逻辑电路。
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公开(公告)号：CN111291872A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201910160095.6
申请日：2019-03-04
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 郝中蓬
Abstract: 本公开提供一种集成电路元件及电路。该集成电路元件包括一测量电路以及一分类器电路。该测量电路经配置以获取一实际电压。该分类器电路经配置以：通过比较一预设电压和该实际电压来产生关于一不成熟分类的信息；接收关于一参考分类的信息，该参考分类是通过人工比较该预设电压和该实际电压获得的；基于该不成熟分类和该参考分类，将该预设电压更新为一经学习电压；以及基于该经学习电压，产生经配置以调整回转率的预测。
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公开(公告)号：CN117677186A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202310712387.2
申请日：2023-06-15
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 郝中蓬
IPC: H10B12/00 , H10B10/00 , H10B41/35 , H10B43/35 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一第一位元线以及一第一字元线，该第一位元线在一第一方向上延伸，该第一字元线一第二方向上延伸，该第二方向大致垂直于该第一方向。该半导体元件亦包括一第一通道。该第一位元线与该第一字元线电性耦接到该第一通道。该半导体元件亦包括一第一栅极线，设置在该第一位元线与该第一字元线之间。该第一栅极线电性耦接到该第一通道且经配置以一旦该第一位元线与该第一字元线经由该第一通道而短路连接在一起时即关闭该第一通道。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111146184B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201910194328.4
申请日：2019-03-14
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 郝中蓬
Abstract: 本公开提供一种半导体元件及其液体的液面变化的感测方法。该半导体元件包括一基板、一对壁以及一导电层。该对壁设置在该基板上。该对壁经配置以于该对壁之间界定出一凹槽。该凹槽接收一液体。该导电层设置在该基板上方并具有一电阻。该电阻的一变化与该凹槽中该液体的表面张力相关。
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公开(公告)号：CN1285120C
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN03156537.9
申请日：2003-09-03
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/8242 , H01L21/8239
Abstract: 本发明提出一种部分垂直存储单元的双边角圆化制程，第一次圆化制程是于半导体基底中蚀刻形成隔离区的沟槽后进行，第二次圆化制程是于支持区形成浅沟槽隔离结构后，再次暴露出存储单元数组区的主动区的边角，以对存储单元数组区的主动区的边角进行第二次圆化制程。
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公开(公告)号：CN112687658B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202010942008.5
申请日：2020-09-09
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/525
Abstract: 一种反熔丝元件，具有一导电区、一介电层、一第一导电栓、一第二导电栓、一第一导电组件以及一第二导电组件；该导电区形成在一半导体基底中，并在一第一方向延伸；该介电层形成在该导电区的一部分上；该第一导电栓形成在该介电层上；该第二导电栓形成在该导电区的其他部分上；该第一导电组件形成在该第一导电栓上；该第二导电组件形成在该第二导电栓上。该介电层具有一第一介电部以及一第二介电部，该第一介电部在一第二方向延伸，该第二介电部在该第一方向延伸，而该介电层实现位在该导电区与该第一导电栓之间的一电性绝缘。该第一导电栓具有一第一区与一第二区，该第一区具有一第一宽度，该第二区具有一第二宽度，而该第一宽度大于该第二宽度。
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公开(公告)号：CN111277246B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201911080804.6
申请日：2019-11-07
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 郝中蓬
IPC: H03J7/04
Abstract: 本发明提出一种驱动电平自动调整系统、方法及电脑可读取的记录媒体，驱动电平自动调整系统包括驱动电路、谐振电路、驱动控制器以及自动调谐器。谐振电路与驱动电路电连接，驱动控制器电连接到驱动电路，自动调谐器电连接到驱动控制器。自动调谐器获取从谐振电路所测量的均方根电流，据以命令驱动控制器自动调节驱动电路的增益。借此，本发明的驱动电平自动调整系统，可自动调节驱动电平。
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公开(公告)号：CN112687658A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010942008.5
申请日：2020-09-09
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/525
Abstract: 一种反熔丝元件，具有一导电区、一介电层、一第一导电栓、一第二导电栓、一第一导电组件以及一第二导电组件；该导电区形成在一半导体基底中，并在一第一方向延伸；该介电层形成在该导电区的一部分上；该第一导电栓形成在该介电层上；该第二导电栓形成在该导电区的其他部分上；该第一导电组件形成在该第一导电栓上；该第二导电组件形成在该第二导电栓上。该介电层具有一第一介电部以及一第二介电部，该第一介电部在一第二方向延伸，该第二介电部在该第一方向延伸，而该介电层实现位在该导电区与该第一导电栓之间的一电性绝缘。该第一导电栓具有一第一区与一第二区，该第一区具有一第一宽度，该第二区具有一第二宽度，而该第一宽度大于该第二宽度。
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