Invention Publication
- Patent Title: 反熔丝元件
-
Application No.: CN202010942008.5Application Date: 2020-09-09
-
Publication No.: CN112687658APublication Date: 2021-04-20
- Inventor: 郝中蓬 , 黄仲麟
- Applicant: 南亚科技股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新北市
- Assignee: 南亚科技股份有限公司
- Current Assignee: 南亚科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新北市
- Agency: 隆天知识产权代理有限公司
- Agent 聂慧荃; 闫华
- Priority: 16/656,711 20191018 US
- Main IPC: H01L23/525
- IPC: H01L23/525

Abstract:
一种反熔丝元件,具有一导电区、一介电层、一第一导电栓、一第二导电栓、一第一导电组件以及一第二导电组件;该导电区形成在一半导体基底中,并在一第一方向延伸;该介电层形成在该导电区的一部分上;该第一导电栓形成在该介电层上;该第二导电栓形成在该导电区的其他部分上;该第一导电组件形成在该第一导电栓上;该第二导电组件形成在该第二导电栓上。该介电层具有一第一介电部以及一第二介电部,该第一介电部在一第二方向延伸,该第二介电部在该第一方向延伸,而该介电层实现位在该导电区与该第一导电栓之间的一电性绝缘。该第一导电栓具有一第一区与一第二区,该第一区具有一第一宽度,该第二区具有一第二宽度,而该第一宽度大于该第二宽度。
Public/Granted literature
- CN112687658B 反熔丝元件 Public/Granted day:2024-05-28
Information query
IPC分类: