一种四氯化硅的汽化方法、汽化装置及冷氢化生产系统

    公开(公告)号:CN118993084A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202410909546.2

    申请日:2024-07-08

    Abstract: 本发明提供一种四氯化硅的汽化方法、汽化装置及冷氢化生产系统,所述四氯化硅的汽化方法包括以下步骤:1)对待汽化四氯化硅、氢气和四氯化硅混合气体进行四氯化硅汽化处理,得到四氯化硅汽化产物和第一残余未汽化物;2)对氢气原料和所述第一残余未汽化物进行混合热处理,得到氢气和四氯化硅混合气体以及第二残余未汽化物。本发明提供的四氯化硅的汽化方法,通过对待汽化的四氯化硅、氢气和四氯化硅混合气体进行四氯化硅汽化处理,并将得到的第一残余未汽化物和氢气原料进行混合热处理,可解决四氯化硅除杂不彻底的问题,进而可降低杂质对设备和管道的腐蚀问题,增加装置的运行寿命。

    冷氢化设备和多晶硅制备系统
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118751188A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202410735330.9

    申请日:2024-06-07

    Abstract: 本申请提供一种冷氢化设备和多晶硅制备系统,涉及多晶硅制备技术领域,以解决相关技术中不能较好控制冷氢化反应器内部流场状态的问题。冷氢化设备包括冷氢化装置、测压吹扫装置、破泡装置和控制器;反应腔中具有测压区,测压区位于破泡装置中,测压吹扫装置上设置有压力检测件,压力检测件和控制器电连接,压力检测件被配置为检测测压区内的压差,并发送压差至控制器;控制器被配置为当压差高于预设压差时停止向反应腔中补充硅粉、以及被配置为当压差低于预设压差向反应腔中补充硅粉。本申请利用差压原理进行床层料位的测量,有效防止堵塞问题,准确控制冷氢化设备内部的流场状态,使反应保持稳定,进而保证冷氢化设备内部的稳定性。

    急冷装置及冷氢化急冷系统
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119056180A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202411194091.7

    申请日:2024-08-28

    Abstract: 本发明提供一种急冷装置及冷氢化急冷系统,涉及急冷塔装置领域,用于解决急冷装置内喷淋液不足,反应合成气的杂质分离效率低的问题,急冷装置包括壳体、喷淋组件;壳体具有容纳腔;壳体具有进气口、排气口、进液口和排液口,进气口和排液口设置于壳体的底端,进气口用于与第一级急冷装置连接;排气口和进液口设置于壳体的顶端,均与冷凝器连接;喷淋组件的喷淋端与容纳腔连通,喷淋组件包括主喷淋件和辅助喷淋件,主喷淋件与冷凝器连接,用于向容纳腔通入被冷凝器冷却的反应液体;辅助喷淋件与排液口连接,用于将容纳腔内的液体循环喷淋。本发明提供一种急冷装置及冷氢化急冷系统,急冷装置内喷淋液充足,可以提高杂质分离效率,分离效果佳。

    急冷装置及冷氢化急冷除尘系统
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119015811A

    公开(公告)日:2024-11-26

    申请号:CN202411194242.9

    申请日:2024-08-28

    Abstract: 本申请提供一种急冷装置及冷氢化急冷除尘系统,涉及急冷塔装置领域,用于解决急冷装置内急冷液的液位过低,导致传热效率下降,杂质分离效率低的问题,急冷装置包括急冷容器和补液组件;急冷容器包括进气口、补液口、排气口和回流口,进气口和补液口设置于急冷容器的靠近底端的位置,排气口和回流口设置于急冷容器的靠近顶端的位置,且进气口与冷氢化反应器出口换热器连接;排气口和回流口均与冷凝器连接;补液组件包括补液管路、液体输送泵和储液容器,补液管路的第一端与储液容器连接,补液管路的第二端与补液口连接。本申请提供一种急冷装置及冷氢化急冷除尘系统,可以对急冷装置补充急冷液,提高了传热效率,杂质分离效率高。

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