-
公开(公告)号：CN112398001A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011079270.8
申请日：2020-10-10
申请人： 华芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了新型复合量子阱结构的VCSEL芯片结构及制备方法。该VCSEL芯片包括衬底；衬底上依次生长的缓冲层、N型布拉格反射镜、量子阱、氧化层、P型布拉格反射镜以及P型GaAs层；所述量子阱包括依次生长的第一space层、第一外垒层、阱垒层、第二外垒层和第二space层；所述阱垒层包括重叠生长的A1GaAs势垒和InGaAs势阱，所述重叠生长的A1GaAs势垒和InGaAs势阱中包括至少两个不同的A1GaAs势垒或/和至少两个不同的InGaAs势阱。本发明将阱垒重复循环生长方式变更为复合生长方式，生长多个MQW峰值波长，增加了增益谱宽度，更大的温度范围内得到平坦的增益。
-
公开(公告)号：CN112133643B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010868764.8
申请日：2020-08-25
申请人： 华芯半导体研究院(北京)有限公司 , 华芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了测试垂直腔面发射激光器的氧化孔径的方法，通过传输矩阵法模拟/计算数据得到整个多层介质的透射系数和反射系数，从而得到模拟的外延结构，进行外延生长后再通过反射谱测试机得到生长后的外延层的白光反射图谱，进而调整得到氧化前后对比模拟/计算图，然后根据反射率差值较大的波段对应的波长，在观测台的下方设置滤光片或/和单色激光器，根据观测台上预先做的氧化标记处是否出现不同明暗度的成像，从而高效快速准确的判断氧化孔径是否达到所需尺寸。在N侧布拉格反射镜或P侧布拉格反射镜增加λ2/2光学厚度来提高白光反射谱的反射率差，从而更直观地观察到明暗度的成像，从而判断氧化孔径的尺寸。
-
公开(公告)号：CN112467517A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011270985.1
申请日：2020-11-13
申请人： 华芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了新型调制高功率VCSEL芯片及其制备方法，包括依次生长的缓冲层、N型布拉格反射镜、第一量子阱、P型布拉格反射镜、设置在缓冲层远离N型布拉格反射镜的至少部分表面上的第一反向电极、设置在P型布拉格反射镜远离N型布拉格反射镜的表面的边缘的正向电极、设置在正向电极以及正向电极未覆盖的P型布拉格反射镜的表面上的第二量子阱以及设置在第二量子阱远离P型布拉格反射镜的表面的边缘的第二反向电极。通过在最外层生长第二量子阱结构，使得对激光器件的调制不再是对激光器添加电激励，而是通过改变第二量子阱结构的特性来控制激光的出射，大大减小了激光器在接通电源时的驰豫振荡的影响，从而提高了芯片的性能。
-
公开(公告)号：CN112260062A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010949421.4
申请日：2020-09-10
申请人： 华芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了垂直腔面发射激光器及其制备方法。其中，垂直腔面发射激光器包括：N型衬底、N型布拉格反射镜、多重量子阱层、x对第一P型布拉格反射镜、电流限制层、n对第二P型布拉格反射镜和电极。该垂直腔面发射激光器的可靠性强、发光效率高，且制备成本较低。
-
公开(公告)号：CN112993750A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110118628.1
申请日：2021-01-28
申请人： 华芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了VCSEL芯片及其制备方法和激光扫描雷达。该VCSEL芯片包括衬底和在所述衬底上依次生长的缓冲层、N型布拉格反射镜、有源区、氧化层和P型布拉格反射镜，其中：所述氧化层和/或所述P型布拉格反射镜上形成有多个透光孔；或者，所述P型布拉格反射镜远离所述衬底的一侧设有多孔膜，所述多孔膜上形成有多个透光孔。该VCSEL芯片可以利用多个透光孔来改变光束在空间中的光场能量分布和波束方向，将其用于激光扫描雷达可以显著提高扫描精度。
-
公开(公告)号：CN112134138A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010868910.7
申请日：2020-08-25
申请人： 华芯半导体科技有限公司 , 华芯半导体研究院(北京)有限公司
摘要： 本发明公开了高功率vcsel芯片及其制备方法。包括：衬底；衬底上依次生长的缓冲层、N型布拉格反射镜、谐振腔、氧化层以及P型布拉格反射镜；沟道，所述沟道设置在所述芯片底部或者所述芯片底部除发光区域以外的区域；金属膜，所述金属膜设置在所述沟道的表面。根据本发明实施例的高功率vcsel芯片，在芯片底部设置沟道，增大芯片的散热面积，在沟道表面设置高导热性的金属膜，芯片沟道通过其表面的金属膜将芯片的热量传导出去，提高散热效率，从而增大了芯片自身的散热能力，提高芯片的性能和寿命。采用该发明的芯片，在正常工作时会比普通的芯片温度更低，输出功率更高，性能更好。
-
公开(公告)号：CN112133643A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010868764.8
申请日：2020-08-25
申请人： 华芯半导体研究院(北京)有限公司 , 华芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了测试垂直腔面发射激光器的氧化孔径的方法，通过传输矩阵法模拟/计算数据得到整个多层介质的透射系数和反射系数，从而得到模拟的外延结构，进行外延生长后再通过反射谱测试机得到生长后的外延层的白光反射图谱，进而调整得到氧化前后对比模拟/计算图，然后根据反射率差值较大的波段对应的波长，在观测台的下方设置滤光片或/和单色激光器，根据观测台上预先做的氧化标记处是否出现不同明暗度的成像，从而高效快速准确的判断氧化孔径是否达到所需尺寸。在N侧布拉格反射镜或P侧布拉格反射镜增加λ2/2光学厚度来提高白光反射谱的反射率差，从而更直观地观察到明暗度的成像，从而判断氧化孔径的尺寸。
-
-
-
-
-
-
搜索结果
7 条记录 (耗时 0.031 秒)
