公开(公告)号：CN105552053B

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201610098995.9

申请日：2016-02-23

申请人： 华天科技(昆山)电子有限公司 ,  磊曜微电子(上海)股份有限公司

发明人： 于大全 ,  耿增华 ,  翟玲玲 ,  崔磊 ,  沈歆煜

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/11

摘要： 本发明公开了一种MOSFET封装结构及其晶圆级制作方法，该封装结构包括芯片，该芯片具有源极、栅极、漏极区及重掺杂区，源极和栅极分别电性连接芯片上表面的第一导电体和第二导电体，漏极区内形成有延伸到重掺杂区的至少一孔或槽，孔或槽内壁上铺有金属层，金属层连接芯片上表面的第三导电体，作为漏极。这样，可将垂直结构的MOSFET下表面重掺杂区的电流引至MOSFET的上表面，实现了源极、栅极、漏极在同一侧面，以便进行晶圆级封装，且槽内大面积金属层保证了芯片良好的散热效果；槽内的金属层与连接源极、栅极的焊盘或者金属线路层可同时形成，避免将晶圆背面金属化，简化了工艺步骤，降低封装成本。

公开(公告)号：CN105552053A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610098995.9

申请日：2016-02-23

申请人： 华天科技(昆山)电子有限公司 ,  磊曜微电子(上海)股份有限公司

发明人： 于大全 ,  耿增华 ,  翟玲玲 ,  崔磊 ,  沈歆煜

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/11 ,  H01L24/26 ,  H01L24/83

摘要： 本发明公开了一种MOSFET封装结构及其晶圆级制作方法，该封装结构包括芯片，该芯片具有源极、栅极、漏极区及重掺杂区，源极和栅极分别电性连接芯片上表面的第一导电体和第二导电体，漏极区内形成有延伸到重掺杂区的至少一孔或槽，孔或槽内壁上铺有金属层，金属层连接芯片上表面的第三导电体，作为漏极。这样，可将垂直结构的MOSFET下表面重掺杂区的电流引至MOSFET的上表面，实现了源极、栅极、漏极在同一侧面，以便进行晶圆级封装，且槽内大面积金属层保证了芯片良好的散热效果；槽内的金属层与连接源极、栅极的焊盘或者金属线路层可同时形成，避免将晶圆背面金属化，简化了工艺步骤，降低封装成本。

公开(公告)号：CN205488107U

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201620135741.5

申请日：2016-02-23

申请人： 华天科技(昆山)电子有限公司 ,  磊曜微电子(上海)股份有限公司

发明人： 于大全 ,  耿增华 ,  翟玲玲 ,  崔磊 ,  沈歆煜

IPC分类号： H01L23/485

CPC分类号： H01L2224/11

摘要： 本实用新型公开了一种MOSFET封装结构，包括芯片，该芯片具有源极、栅极、漏极区及重掺杂区，源极和栅极分别电性连接芯片上表面的第一导电体和第二导电体，漏极区内形成有延伸到重掺杂区的至少一孔或槽，孔或槽内壁上铺有金属层，金属层连接芯片上表面的第三导电体，作为漏极。这样，可将垂直结构的MOSFET下表面重掺杂区的电流引至MOSFET的上表面，实现了源极、栅极、漏极在同一侧面，以便进行晶圆级封装，且槽内大面积金属层保证了芯片良好的散热效果；槽内的金属层与连接源极、栅极的焊盘或者金属线路层可同时形成，避免将晶圆背面金属化，简化了工艺步骤，降低封装成本。

公开(公告)号：CN105870098B

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201610397411.8

申请日：2016-06-07

申请人： 华天科技(昆山)电子有限公司

发明人： 于大全 ,  肖智轶 ,  崔志勇 ,  耿增华

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/482 ,  H01L21/60

摘要： 本发明公开了一种MOSFET封装结构及其制作方法，封装结构，包括硅基板和MOSFET芯片，MOSFET芯片正面包含有源极导电垫和栅极导电垫，背面包含有漏极区及金属层，硅基板表面有下沉凹槽，下沉凹槽底部铺设有延伸至基板表面上的导电层，作为漏极导电垫，MOSFET芯片背面贴装到下沉凹槽的底部，金属层与下沉凹槽底部的导电层通过金属键合连接，源极导电垫、栅极导电垫及漏极导电垫上均形成有与外部互连的导电体，硅基板正面上导电体以外部分由保护层包封。本发明将垂直结构的MOSFET背面漏极电流引至MOSFET的正面，实现了源极、栅极、漏极电性在同一侧面，以便进行晶圆级封装，且大面积导电层保证了芯片良好的散热效果；避免硅通孔TSV制程，简化了工艺步骤，降低了封装成本。

公开(公告)号：CN105870098A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610397411.8

申请日：2016-06-07

申请人： 华天科技(昆山)电子有限公司

发明人： 于大全 ,  肖智轶 ,  崔志勇 ,  耿增华

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/482 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/15153 ,  H01L23/49844 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/9201 ,  H01L2224/92144

摘要： 本发明公开了一种MOSFET封装结构及其制作方法，封装结构，包括硅基板和MOSFET芯片，MOSFET芯片正面包含有源极导电垫和栅极导电垫，背面包含有漏极区及金属层，硅基板表面有下沉凹槽，下沉凹槽底部铺设有延伸至基板表面上的导电层，作为漏极导电垫，MOSFET芯片背面贴装到下沉凹槽的底部，金属层与下沉凹槽底部的导电层通过金属键合连接，源极导电垫、栅极导电垫及漏极导电垫上均形成有与外部互连的导电体，硅基板正面上导电体以外部分由保护层包封。本发明将垂直结构的MOSFET背面漏极电流引至MOSFET的正面，实现了源极、栅极、漏极电性在同一侧面，以便进行晶圆级封装，且大面积导电层保证了芯片良好的散热效果；避免硅通孔TSV制程，简化了工艺步骤，降低了封装成本。

公开(公告)号：CN205789951U

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201620545574.1

申请日：2016-06-07

申请人： 华天科技(昆山)电子有限公司

发明人： 于大全 ,  肖智轶 ,  崔志勇 ,  耿增华

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/482 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/73253

摘要： 本实用新型公开了一种MOSFET封装结构，封装结构，包括硅基板和MOSFET芯片，MOSFET芯片正面包含有源极导电垫和栅极导电垫，背面包含有漏极区，漏极区上沉积有金属层，硅基板表面有下沉凹槽，下沉凹槽底部铺设有导电层，该导电层延伸至基板表面上，作为漏极导电垫，MOSFET芯片背面贴装到下沉凹槽的底部，漏极区的金属层与下沉凹槽底部的导电层通过金属键合连接，源极导电垫、栅极导电垫及漏极导电垫上均形成有与外部互连的导电体；硅基板正面上导电体以外部分由保护层包封。这样，可将垂直结构的MOSFET背面漏极电流引至MOSFET的正面，实现源极、栅极、漏极电性在同一侧面，以便进行晶圆级封装，且大面积导电层保证了芯片良好的散热效果。