公开(公告)号：CN104681654A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510035931.X

申请日：2015-01-23

申请人： 华南师范大学

发明人： 高进伟 ,  容齐坤 ,  韩兵 ,  李若朋 ,  彭强 ,  林振炫

IPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/20

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/076 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/20

摘要： 本发明公开了一种双n层结构非晶硅太阳能电池，包括玻璃基体，依次设置在玻璃基体上的透明导电膜、P型非晶硅层、缓冲层、非晶硅本征层i层、双层n型非晶硅层、背反射层和背电极，所述的双层n型非晶硅层是由轻掺杂n型非晶硅层与重掺杂n型非晶硅层两层构成的双n层结构。该双n层结构非晶硅太阳能电池具有较高的电流密度和光电转换效率。本发明还公开了上述双n层结构非晶硅太阳能电池的制备方法，该制备方法工艺简洁、不需要增加新的设备投资成本。

公开(公告)号：CN104681654B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201510035931.X

申请日：2015-01-23

申请人： 华南师范大学

发明人： 高进伟 ,  容齐坤 ,  韩兵 ,  李若朋 ,  彭强 ,  林振炫

IPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/20

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种双n层结构非晶硅太阳能电池，包括玻璃基体，依次设置在玻璃基体上的透明导电膜、P型非晶硅层、缓冲层、非晶硅本征层i层、双层n型非晶硅层、背反射层和背电极，所述的双层n型非晶硅层是由轻掺杂n型非晶硅层与重掺杂n型非晶硅层两层构成的双n层结构。该双n层结构非晶硅太阳能电池具有较高的电流密度和光电转换效率。本发明还公开了上述双n层结构非晶硅太阳能电池的制备方法，该制备方法工艺简洁、不需要增加新的设备投资成本。