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公开(公告)号：CN114927615A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210485343.6
申请日：2022-05-06
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在衬底的表面制备纳米级沟道阵列，然后在该表面制备栅电极，再在栅电极的表面制备介质层；对介质层的表面进行疏水处理，然后通过物理气相沉积在其上制备有机半导体纳米线阵列层，最后在有机半导体纳米线阵列层的表面制备源电极和漏电极。通过该方法，可有效控制有机半导体纳米线阵列中的纳米线定向有序生长，进而可便于后续源漏电极的制作，整体制作流程简单，易于操作，生产效率高。
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公开(公告)号：CN113913744A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111131954.2
申请日：2021-09-26
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种形成有机纳米线阵列的方法及有机纳米线阵列。一种形成有机纳米线阵列的方法，包括以下步骤：S1，提供设有沟道阵列的衬底，对所述衬底进行表面疏水处理；S2，将镂空掩模版置于步骤S1所述的衬底上，所述镂空掩模版具有若干镂空的通孔，将有机纳米线原料透过所述通孔沉积到所述沟道阵列内，形成有机纳米线阵列。通过上述方法可以形成定向定位生长的有机纳米线阵列，降低了后续制作纳米尺寸器件的难度，操作简易，成本低廉，易于规模化生长，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN113881918B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202111131940.0
申请日：2021-09-26
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种金属酞菁纳米线阵列及其制备方法与应用，所述金属酞菁纳米线阵列的制备方法包括步骤：S1，取表面具有沟道阵列的宝石作为衬底，对所述沟道阵列进行疏水处理；S2，取金属酞菁经物理气相沉积于经所述步骤S1处理的衬底表面形成若干金属酞菁纳米线，得到金属酞菁纳米线阵列。本发明公开的制备方法通过对表面具有沟道阵列的蓝宝石衬底进行表面疏水处理，再结合传统的PVD生长方法生长金属酞菁纳米线阵列，制备出的金属酞菁纳米线阵列水平有序、定向笔直、缺陷少，制备流程简单，成本低廉，可用于大规模生产，为基于金属酞菁纳米线批量构筑研发各种微纳光电器件提供理想的材料平台。
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公开(公告)号：CN113913744B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202111131954.2
申请日：2021-09-26
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种形成有机纳米线阵列的方法及有机纳米线阵列。一种形成有机纳米线阵列的方法，包括以下步骤：S1，提供设有沟道阵列的衬底，对所述衬底进行表面疏水处理；S2，将镂空掩模版置于步骤S1所述的衬底上，所述镂空掩模版具有若干镂空的通孔，将有机纳米线原料透过所述通孔沉积到所述沟道阵列内，形成有机纳米线阵列。通过上述方法可以形成定向定位生长的有机纳米线阵列，降低了后续制作纳米尺寸器件的难度，操作简易，成本低廉，易于规模化生长，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN113894018B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202111134070.2
申请日：2021-09-26
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种在柔性基底表面形成有机纳米线的方法、有机纳米线及其应用，所述在柔性基底表面形成有机纳米线的方法包括步骤：S1，取带有沟道阵列的模板，通过热压印将所述模板上的沟道阵列复制到柔性基底表面，从而在所述柔性基底表面构建沟道阵列；S2，取纳米线原料经物理气相沉积于经所述步骤S1处理的柔性基底表面形成有机纳米线。本发明避免了传统方法在转移过程中导致的纳米线断裂、杂乱等损伤以及不可控的杂质污染，具有所需设备简便、工艺简单、成本低廉、可控性高等优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114927620A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210486215.3
申请日：2022-05-06
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种有机异质结纳米线阵列及其制备方法和光电器件，该制备方法包括：在衬底的表面制备纳米级沟道阵列，而后对该表面进行疏水处理；借助具有第一通孔阵列的第一掩模版，通过物理气相沉积在所述表面制备金属酞菁纳米线阵列；再借助具有第二通孔阵列的第二掩模版，通过物理气相沉积在所述表面制备三(8‑羟基喹啉)铝纳米线阵列，其中，第二通孔阵列用于控制三(8‑羟基喹啉)铝纳米线阵列的生长区域，使得三(8‑羟基喹啉)铝纳米线阵列与金属酞菁纳米线阵列搭接，制得有机异质纳米线阵列。该制备方法可实现有机异质结纳米线的定向生长和对齐，进而可实现纳米线器件阵列的原位大规模构筑和集成。
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公开(公告)号：CN113921713A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111131958.0
申请日：2021-09-26
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种在柔性薄膜表面构建沟道阵列的方法、带有沟道阵列的柔性薄膜及其应用，所述在柔性薄膜表面构建沟道阵列的方法包括步骤：取带有沟道阵列的模板，通过热压印将模板上的沟道阵列复制到待处理的柔性薄膜表面，从而在柔性薄膜表面构建沟道阵列。本发明采用热压印技术将模板上的沟道阵列复制到柔性薄膜上，柔性薄膜易于从模板上剥离，不易发生破损或撕裂，柔性薄膜上得到的沟道阵列清晰、完整、精度可到纳米级，适用范围广，实用性高。
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公开(公告)号：CN113894018A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111134070.2
申请日：2021-09-26
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种在柔性基底表面形成有机纳米线的方法、有机纳米线及其应用，所述在柔性基底表面形成有机纳米线的方法包括步骤：S1，取带有沟道阵列的模板，通过热压印将所述模板上的沟道阵列复制到柔性基底表面，从而在所述柔性基底表面构建沟道阵列；S2，取纳米线原料经物理气相沉积于经所述步骤S1处理的柔性基底表面形成有机纳米线。本发明避免了传统方法在转移过程中导致的纳米线断裂、杂乱等损伤以及不可控的杂质污染，具有所需设备简便、工艺简单、成本低廉、可控性高等优势。
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公开(公告)号：CN114973911A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210486233.1
申请日：2022-05-06
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种PUF图案的制作方法及其应用和防伪标签，该制作方法包括：在衬底的表面制备纳米级沟道阵列，对所述表面进行疏水处理；通过物理气相沉积在所述表面制备半导体纳米线阵列；再获取所述半导体纳米线阵列的形貌图像数据，并进行数字化处理，形成对应的PUF编码信息，得到PUF图案。其中，半导体纳米线阵列在生长过程中受物理气相沉积的固有工艺缺陷影响，纳米线形貌的产生具有随机性，其对应形貌图像数值具有随机性和唯一性，进而可用于实现PUF功能，形成PUF编码信息，获得PUF图案，以上制作方法简单，设备简易，普适性强，适用于工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN113881918A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111131940.0
申请日：2021-09-26
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种金属酞菁纳米线阵列及其制备方法与应用，所述金属酞菁纳米线阵列的制备方法包括步骤：S1，取表面具有沟道阵列的宝石作为衬底，对所述沟道阵列进行疏水处理；S2，取金属酞菁经物理气相沉积于经所述步骤S1处理的衬底表面形成若干金属酞菁纳米线，得到金属酞菁纳米线阵列。本发明公开的制备方法通过对表面具有沟道阵列的蓝宝石衬底进行表面疏水处理，再结合传统的PVD生长方法生长金属酞菁纳米线阵列，制备出的金属酞菁纳米线阵列水平有序、定向笔直、缺陷少，制备流程简单，成本低廉，可用于大规模生产，为基于金属酞菁纳米线批量构筑研发各种微纳光电器件提供理想的材料平台。
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