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公开(公告)号：CN114973911A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210486233.1
申请日：2022-05-06
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种PUF图案的制作方法及其应用和防伪标签，该制作方法包括：在衬底的表面制备纳米级沟道阵列，对所述表面进行疏水处理；通过物理气相沉积在所述表面制备半导体纳米线阵列；再获取所述半导体纳米线阵列的形貌图像数据，并进行数字化处理，形成对应的PUF编码信息，得到PUF图案。其中，半导体纳米线阵列在生长过程中受物理气相沉积的固有工艺缺陷影响，纳米线形貌的产生具有随机性，其对应形貌图像数值具有随机性和唯一性，进而可用于实现PUF功能，形成PUF编码信息，获得PUF图案，以上制作方法简单，设备简易，普适性强，适用于工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN116471908A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310423199.8
申请日：2023-04-18
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明提供了一种有机纳米线阵形成方法及有机纳米线阵、光电器件。所述的有机纳米线阵形成方法包括步骤S1：施压条件下，使自润滑聚合物材料在衬底上按照设定方向摩擦，在所述衬底表面形成丝状转移膜；步骤S2：将有机纳米线原料沉积到具有丝状转移膜的衬底表面，形成有机纳米线阵。该方法只需通过调整摩擦路径即可改变模板形状实现不同排列的纳米线，大大简化模板的制备流程，降低模板改变时的成本，适用性强。制备得到的纳米线阵可用于基于小分子半导体有机物的微纳光电器件等。
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公开(公告)号：CN114927615A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210485343.6
申请日：2022-05-06
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在衬底的表面制备纳米级沟道阵列，然后在该表面制备栅电极，再在栅电极的表面制备介质层；对介质层的表面进行疏水处理，然后通过物理气相沉积在其上制备有机半导体纳米线阵列层，最后在有机半导体纳米线阵列层的表面制备源电极和漏电极。通过该方法，可有效控制有机半导体纳米线阵列中的纳米线定向有序生长，进而可便于后续源漏电极的制作，整体制作流程简单，易于操作，生产效率高。
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公开(公告)号：CN113913744A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111131954.2
申请日：2021-09-26
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种形成有机纳米线阵列的方法及有机纳米线阵列。一种形成有机纳米线阵列的方法，包括以下步骤：S1，提供设有沟道阵列的衬底，对所述衬底进行表面疏水处理；S2，将镂空掩模版置于步骤S1所述的衬底上，所述镂空掩模版具有若干镂空的通孔，将有机纳米线原料透过所述通孔沉积到所述沟道阵列内，形成有机纳米线阵列。通过上述方法可以形成定向定位生长的有机纳米线阵列，降低了后续制作纳米尺寸器件的难度，操作简易，成本低廉，易于规模化生长，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN113667937A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110868610.3
申请日：2021-07-30
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种Alq3纳米线水平阵列的制备方法及其应用。这种Alq3纳米线水平阵列的制备方法包括以下步骤：S1.将M面蓝宝石于1600℃，恒温10h进行退火处理；S2.以PDMS(聚二甲基硅氧烷)对步骤S1所得M面蓝宝石进行表面处理；S3.利用PVD设备，以Alq3粉末为原料在步骤S2所得M面蓝宝石表面进行物理气相沉积。本发明提出的制备方法能够直接制备Alq3纳米线水平阵列，这种纳米线阵列在有序度、均匀性、密度以及结晶性等方面均具有显著优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113881918A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111131940.0
申请日：2021-09-26
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种金属酞菁纳米线阵列及其制备方法与应用，所述金属酞菁纳米线阵列的制备方法包括步骤：S1，取表面具有沟道阵列的宝石作为衬底，对所述沟道阵列进行疏水处理；S2，取金属酞菁经物理气相沉积于经所述步骤S1处理的衬底表面形成若干金属酞菁纳米线，得到金属酞菁纳米线阵列。本发明公开的制备方法通过对表面具有沟道阵列的蓝宝石衬底进行表面疏水处理，再结合传统的PVD生长方法生长金属酞菁纳米线阵列，制备出的金属酞菁纳米线阵列水平有序、定向笔直、缺陷少，制备流程简单，成本低廉，可用于大规模生产，为基于金属酞菁纳米线批量构筑研发各种微纳光电器件提供理想的材料平台。
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公开(公告)号：CN117062496A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311093540.4
申请日：2023-08-28
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明提供了一种定位定向生长红荧烯纳米线的方法及纳米线和应用，所述的方法通过对M面蓝宝石衬底进行退火，使其表面形成平行排列的水平纳米沟道；然后对其进行表面疏水处理；进而利用气相沉积法在蓝宝石衬底表面定位定向生长红荧烯纳米线阵列，可以同步实现红荧烯纳米线生长和有序排列组装，不仅可以精准控制红荧烯纳米线的生长取向和生长位置，而且便于后续红荧烯纳米线器件集成，利用本发明方法得到的红荧烯纳米线阵具有长度均一性高、分布均匀性好、取向性好、稳定性好以及晶体质量高等优点，可应用于微纳米光电器件产品中。
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公开(公告)号：CN113881918B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202111131940.0
申请日：2021-09-26
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种金属酞菁纳米线阵列及其制备方法与应用，所述金属酞菁纳米线阵列的制备方法包括步骤：S1，取表面具有沟道阵列的宝石作为衬底，对所述沟道阵列进行疏水处理；S2，取金属酞菁经物理气相沉积于经所述步骤S1处理的衬底表面形成若干金属酞菁纳米线，得到金属酞菁纳米线阵列。本发明公开的制备方法通过对表面具有沟道阵列的蓝宝石衬底进行表面疏水处理，再结合传统的PVD生长方法生长金属酞菁纳米线阵列，制备出的金属酞菁纳米线阵列水平有序、定向笔直、缺陷少，制备流程简单，成本低廉，可用于大规模生产，为基于金属酞菁纳米线批量构筑研发各种微纳光电器件提供理想的材料平台。
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公开(公告)号：CN113913744B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202111131954.2
申请日：2021-09-26
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种形成有机纳米线阵列的方法及有机纳米线阵列。一种形成有机纳米线阵列的方法，包括以下步骤：S1，提供设有沟道阵列的衬底，对所述衬底进行表面疏水处理；S2，将镂空掩模版置于步骤S1所述的衬底上，所述镂空掩模版具有若干镂空的通孔，将有机纳米线原料透过所述通孔沉积到所述沟道阵列内，形成有机纳米线阵列。通过上述方法可以形成定向定位生长的有机纳米线阵列，降低了后续制作纳米尺寸器件的难度，操作简易，成本低廉，易于规模化生长，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN113667937B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202110868610.3
申请日：2021-07-30
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种Alq3纳米线水平阵列的制备方法及其应用。这种Alq3纳米线水平阵列的制备方法包括以下步骤：S1.将M面蓝宝石于1600℃，恒温10h进行退火处理；S2.以PDMS(聚二甲基硅氧烷)对步骤S1所得M面蓝宝石进行表面处理；S3.利用PVD设备，以Alq3粉末为原料在步骤S2所得M面蓝宝石表面进行物理气相沉积。本发明提出的制备方法能够直接制备Alq3纳米线水平阵列，这种纳米线阵列在有序度、均匀性、密度以及结晶性等方面均具有显著优势。
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