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公开(公告)号：CN119744035A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510244932.9
申请日：2025-03-04
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供一种硝酸铅界面修饰的钙钛矿薄膜、太阳能电池及其制备方法，属于半导体器件技术领域。所述太阳能电池的制备方法包括以下步骤：S1、导电透明衬底预处理；S2、制备电子传输层：在导电透明衬底表面沉积TiO2薄膜，形成电子传输层；S3、制备钙钛矿层：在电子传输层上先旋涂PbBr2溶液，随后旋涂CsBr溶液形成钙钛矿层；S4、制备Pb(NO3)2修饰层：在所述钙钛矿层上旋涂Pb(NO3)2溶液，形成Pb(NO3)2修饰层；S5、制备电极：在所述钙钛矿层表面涂覆碳电极。在钙钛矿层上引入所述Pb(NO3)2，可以提高钙钛矿层的长期稳定性，并增强钙钛矿太阳能电池的光伏性能。
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公开(公告)号：CN113471366B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202110705185.6
申请日：2021-06-24
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种基于环己甲胺碘盐的2D/3D钙钛矿太阳能电池的制备方法，通过环己甲胺与三维钙钛矿层表面多余的PbI2反应原位生成二维钙钛矿，最终形成2D/3D复合钙钛矿薄膜。与三维钙钛矿太阳能电池器件相比，2D/3D钙钛矿太阳能电池器件的载流子复合减少，缺陷态密度降低，开路电压大幅度提升，经过优化取得了22.06％的效率，且电池的迟滞效应减小。二维钙钛矿能阻挡三维钙钛矿层和空穴传输层之间的离子迁移，器件的迟滞效应有明显降低，2D/3D复合钙钛矿太阳能电池器件的稳定性有显著的提升，在空气中放置50天仍能保持其初始效率的80％以上。
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公开(公告)号：CN119031796A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411157154.1
申请日：2024-08-22
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体公开了一种基于1‑(2‑甲氧基苯基)哌嗪盐酸盐界面修饰法制备高效稳定的钙钛矿太阳能电池的方法，包括以下步骤：导电透明衬底预处理；制备空穴传输层：配制(2‑(4‑(双(4‑甲氧基苯基)氨基)苯基)‑1‑氰乙烯基)膦酸/乙醇溶液，涂覆到导电透明衬底上，退火形成空穴传输层；制备钙钛矿层：在空穴传输层上用两步旋涂法旋涂钙钛矿前驱液，接着旋涂氯苯溶液，配置1‑(2‑甲氧基苯基)哌嗪盐酸盐氯苯溶液，并用相同参数旋涂得到经界面修饰的钙钛矿层；制备电子传输层：在钙钛矿层上旋涂PCBM氯苯溶液，形成电子传输层；制备电极：在电子传输层表面形成银电极。本发明旋涂制备的钙钛矿薄膜电池具有更低的缺陷密度和更长的寿命。
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公开(公告)号：CN116887605A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310823225.6
申请日：2023-07-06
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体公开了一种基于HAL作为分子桥制备钙钛矿太阳能电池的方法，包括TO导电玻璃的清洗、ETL的制备、HAL分子桥的制备、钙钛矿层的制备、空穴传输层的制备、对电极的制备。本发明通过在电子传输层(ETL)和钙钛矿(PVK)之间引入具有双侧供电子基团的6‑氨基‑1‑己醇(HAL)作为分子桥，实现对SnO2层表面的钝化，并改善其能级，更有利于电子传输，同时HAL中的供电子基团连接ETL和PVK，并钝化PVK的缺陷，降低PVK的缺陷密度，减少非辐射复合，加速了电子的提取与传输速度，达到提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率(PCE)和长期稳定性。
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公开(公告)号：CN116782678A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310787299.9
申请日：2023-06-29
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种环己甲胺盐酸盐钝化的钙钛矿太阳能电池及制备方法，其电子传输层的制备是将环己甲胺盐酸盐溶解在SnO2水溶液中得到混合溶液，将混合溶液涂覆在导电透明衬底上，在环境氛围下退火，形成环己甲胺盐酸盐掺杂的SnO2薄膜作为电子传输层。本发明采用在SnO2电子传输层引入环己甲胺盐酸盐的方式，实现了对电子传输层和钙钛矿层的双重钝化，在优化钙钛矿结晶情况的同时钝化界面处的缺陷，抑制了作为非辐射复合中心的多晶钙钛矿薄膜中载流子的复合行为，并加速了电子的提取与传输速度，进而起到提高钙钛矿太阳能电池光电转化效率的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118922036A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410959122.7
申请日：2024-07-17
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种溴化铯预掺杂制备CsPbBr3钙钛矿薄膜电池的方法及其电池。该CsPbBr3钙钛矿薄膜电池包括按序设置的导电透明衬底、电子传输层、钙钛矿层和对电极，制备方法包括如下步骤：1)导电透明衬底预处理；2)制备电子传输层：在导电透明衬底表面旋涂SnO2薄膜，形成电子传输层；3)预掺杂溴化铯：在电子传输层表面旋涂PbBr2溶液，同时滴加CsBr的甲醇溶液，在环境氛围下退火，形成预掺杂薄膜；4)制备钙钛矿层：在所述预掺杂薄膜表面旋涂CsBr的甲醇溶液，形成钙钛矿层；5)制备电极：在所述钙钛矿层表面形成电极。
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公开(公告)号：CN118829258A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410956849.X
申请日：2024-07-17
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Fc的反溶剂工程制备的钙钛矿太阳能电池和制备方法。制备方法中包括I TO导电玻璃的清洗、空穴传输层的制备、反溶剂的制备、钙钛矿层的制备、电子传输层的制备、对电极的制备和电池组装，其中钙钛矿层通过在氯苯反溶剂中添加Fc的反溶剂工程制备，Fc的添加不仅能通过闭环链式反应持续地恢复Pb0和I0缺陷并抑制I2扩散，实现了对钙钛矿层的缺陷钝化，还改善了钙钛矿层的能级，更有利于电子传输，加速了电子的提取与传输速度，达到提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率(PCE)和长期稳定性。
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公开(公告)号：CN113113541B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202110387448.3
申请日：2021-04-08
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种以双三氟甲基磺酰基亚胺钠钝化钙钛矿太阳能电池界面缺陷的方法，属于钙钛矿太阳能电池技术领域，包括以下步骤：S1、对刻蚀后的FTO导电玻璃进行清洗，S2、将TiO2量子点溶液均匀铺展在FTO导电玻璃表面，制备成电子传输层，将旋涂好的薄膜转移至马弗炉中在450℃下烧结30min，S3、冷却至室温，在TiO2薄膜上旋涂NaTFSI乙腈溶液。本发明中，采用溶液旋涂法在平面TiO2薄膜上制备一层NaTFSI，用来修饰电子传输层与钙钛矿之间的界面，并将其组装成PSCs，NaTFSI修饰层不仅可以提高钙钛矿薄膜的结晶性，降低钙钛矿薄膜的非辐射复合损失，而且还能优化ETL表面的能级结构，使其与钙钛矿的能级更加匹配，从而加速电子在界面间的提取和传输效率。
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公开(公告)号：CN113471366A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110705185.6
申请日：2021-06-24
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种基于环己甲胺碘盐的2D/3D钙钛矿太阳能电池的制备方法，通过环己甲胺与三维钙钛矿层表面多余的PbI2反应原位生成二维钙钛矿，最终形成2D/3D复合钙钛矿薄膜。与三维钙钛矿太阳能电池器件相比，2D/3D钙钛矿太阳能电池器件的载流子复合减少，缺陷态密度降低，开路电压大幅度提升，经过优化取得了22.06％的效率，且电池的迟滞效应减小。二维钙钛矿能阻挡三维钙钛矿层和空穴传输层之间的离子迁移，器件的迟滞效应有明显降低，2D/3D复合钙钛矿太阳能电池器件的稳定性有显著的提升，在空气中放置50天仍能保持其初始效率的80％以上。
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公开(公告)号：CN113113541A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110387448.3
申请日：2021-04-08
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种以双三氟甲基磺酰基亚胺钠钝化钙钛矿太阳能电池界面缺陷的方法，属于钙钛矿太阳能电池技术领域，包括以下步骤：S1、对刻蚀后的FTO导电玻璃进行清洗，S2、将TiO2量子点溶液均匀铺展在FTO导电玻璃表面，制备成电子传输层，将旋涂好的薄膜转移至马弗炉中在450℃下烧结30min，S3、冷却至室温，在TiO2薄膜上旋涂NaTFSI乙腈溶液。本发明中，采用溶液旋涂法在平面TiO2薄膜上制备一层NaTFSI，用来修饰电子传输层与钙钛矿之间的界面，并将其组装成PSCs，NaTFSI修饰层不仅可以提高钙钛矿薄膜的结晶性，降低钙钛矿薄膜的非辐射复合损失，而且还能优化ETL表面的能级结构，使其与钙钛矿的能级更加匹配，从而加速电子在界面间的提取和传输效率。
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