公开(公告)号：CN118922036A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410959122.7

申请日：2024-07-17

Applicant: 华侨大学

Inventor： 孙伟海 ,  殷逍遥 ,  金志航 ,  王宇鸿 ,  陈宣衡 ,  何若玮 ,  童安铃 ,  郑青水 ,  王紫欣

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K71/40 ,  H10K30/15

Abstract: 本发明公开了一种溴化铯预掺杂制备CsPbBr3钙钛矿薄膜电池的方法及其电池。该CsPbBr3钙钛矿薄膜电池包括按序设置的导电透明衬底、电子传输层、钙钛矿层和对电极，制备方法包括如下步骤：1)导电透明衬底预处理；2)制备电子传输层：在导电透明衬底表面旋涂SnO2薄膜，形成电子传输层；3)预掺杂溴化铯：在电子传输层表面旋涂PbBr2溶液，同时滴加CsBr的甲醇溶液，在环境氛围下退火，形成预掺杂薄膜；4)制备钙钛矿层：在所述预掺杂薄膜表面旋涂CsBr的甲醇溶液，形成钙钛矿层；5)制备电极：在所述钙钛矿层表面形成电极。