公开(公告)号：CN113113541B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202110387448.3

申请日：2021-04-08

Applicant: 华侨大学

Inventor： 孙伟海 ,  邹宇 ,  王仕博 ,  李昭 ,  颜惠英 ,  何若玮 ,  花国鑫

IPC: H10K30/88 ,  H10K30/15 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40

Abstract: 本发明公开了一种以双三氟甲基磺酰基亚胺钠钝化钙钛矿太阳能电池界面缺陷的方法，属于钙钛矿太阳能电池技术领域，包括以下步骤：S1、对刻蚀后的FTO导电玻璃进行清洗，S2、将TiO2量子点溶液均匀铺展在FTO导电玻璃表面，制备成电子传输层，将旋涂好的薄膜转移至马弗炉中在450℃下烧结30min，S3、冷却至室温，在TiO2薄膜上旋涂NaTFSI乙腈溶液。本发明中，采用溶液旋涂法在平面TiO2薄膜上制备一层NaTFSI，用来修饰电子传输层与钙钛矿之间的界面，并将其组装成PSCs，NaTFSI修饰层不仅可以提高钙钛矿薄膜的结晶性，降低钙钛矿薄膜的非辐射复合损失，而且还能优化ETL表面的能级结构，使其与钙钛矿的能级更加匹配，从而加速电子在界面间的提取和传输效率。

公开(公告)号：CN113113541A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110387448.3

申请日：2021-04-08

Applicant: 华侨大学

Inventor： 孙伟海 ,  邹宇 ,  王仕博 ,  李昭 ,  颜惠英 ,  何若玮 ,  花国鑫

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种以双三氟甲基磺酰基亚胺钠钝化钙钛矿太阳能电池界面缺陷的方法，属于钙钛矿太阳能电池技术领域，包括以下步骤：S1、对刻蚀后的FTO导电玻璃进行清洗，S2、将TiO2量子点溶液均匀铺展在FTO导电玻璃表面，制备成电子传输层，将旋涂好的薄膜转移至马弗炉中在450℃下烧结30min，S3、冷却至室温，在TiO2薄膜上旋涂NaTFSI乙腈溶液。本发明中，采用溶液旋涂法在平面TiO2薄膜上制备一层NaTFSI，用来修饰电子传输层与钙钛矿之间的界面，并将其组装成PSCs，NaTFSI修饰层不仅可以提高钙钛矿薄膜的结晶性，降低钙钛矿薄膜的非辐射复合损失，而且还能优化ETL表面的能级结构，使其与钙钛矿的能级更加匹配，从而加速电子在界面间的提取和传输效率。