公开(公告)号：CN117859207A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202180101222.0

申请日：2021-11-26

申请人： 华为技术有限公司 ,  复旦大学

发明人： 陆叶 ,  万景 ,  吴振华 ,  陈志博 ,  许俊豪 ,  侯朝昭 ,  吴颖 ,  董耀旗 ,  王嘉乐

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

摘要： 本申请实施例提供了一种晶体管的制备方法、芯片和终端，涉及半导体技术领域，可以在第一掺杂层与第二掺杂层间形成结面清晰的PN结。一种晶体管的制备方法，其特征在于，所述晶体管包括有源层，所述有源层包括冷源极，所述冷源极的制备方法包括：在衬底上形成半导体层；所述半导体层包括源区，所述源区至少包括第一注入区和与所述第一注入区邻接的第二注入区；对所述半导体层中位于所述第一注入区的部分进行第一类型的掺杂，得到第一掺杂层；对所述半导体层中位于所述第二注入区的部分进行第二类型的掺杂，得到第二掺杂层；所述第一掺杂层和所述第二掺杂层互为P型掺杂和N型掺杂。

公开(公告)号：CN118841433A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202310475059.5

申请日：2023-04-25

申请人： 华为技术有限公司 ,  复旦大学

发明人： 陆叶 ,  陈志博 ,  侯朝昭 ,  张强 ,  赵春松 ,  王嘉乐 ,  董耀旗 ,  许俊豪

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本申请实施例公开了一种半导体器件及电子设备，涉及半导体技术领域，用于解决现有晶体管的SS过高的技术问题。半导体器件包括衬底、栅极、有源层和第一肖特基接触电极，栅极、有源层和第一肖特基接触电极均设置于衬底上。有源层包括沟道部，栅极在衬底上的垂直投影，与沟道部在衬底上的垂直投影重叠。第一肖特基接触电极与有源层相接触，且与有源层之间形成第一肖特基结。其中，有源层中与第一肖特基接触电极接触的部分，与沟道部的掺杂类型相同。该半导体器件具有更低的SS，仅需在栅极施加很小的电压，即可使器件开启。