本申请实施例提供了一种晶体管的制备方法、芯片和终端，涉及半导体技术领域，可以在第一掺杂层与第二掺杂层间形成结面清晰的PN结。一种晶体管的制备方法，其特征在于，所述晶体管包括有源层，所述有源层包括冷源极，所述冷源极的制备方法包括：在衬底上形成半导体层；所述半导体层包括源区，所述源区至少包括第一注入区和与所述第一注入区邻接的第二注入区；对所述半导体层中位于所述第一注入区的部分进行第一类型的掺杂，得到第一掺杂层；对所述半导体层中位于所述第二注入区的部分进行第二类型的掺杂，得到第二掺杂层；所述第一掺杂层和所述第二掺杂层互为P型掺杂和N型掺杂。