公开(公告)号：CN105897207A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610182628.7

申请日：2016-03-28

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 李治 ,  诸小胜 ,  饶进

IPC分类号： H03G1/00

CPC分类号： H03G1/0088

摘要： 本发明公开了一种连续可变增益放大器，包括增益控制电路、电阻网络及跨阻放大器：增益控制电路用于生成增益控制电平以控制电阻网络中的电流开关的导通或关闭，并控制每个电流开关对应的分流比连续变化；电阻网络用于在增益控制电平的控制下，将输入电压信号转换成连续可变的电流信号并输出；跨阻放大器用于将电阻网络输出的电流信号转换为输出电压信号。即，本发明的连续可变增益放大器可采用多个电流开关实现电流域的连续增益控制，使得其可工作于电流模式下，从而可以在较低的功耗下实现高带宽和高线性度，满足超宽带应用。另外，由于本发明连续可变增益放大器的实现不依赖于高性能放大器，且电路的结构相对简单，因而，较易实现且成本较低。

公开(公告)号：CN102684621B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201210159711.4

申请日：2012-05-22

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 饶进 ,  刘全 ,  朱芸 ,  王华江

IPC分类号： H03G3/20 ,  H03F3/45

CPC分类号： H03G3/004 ,  H03G1/0029

摘要： 本发明实施例公开了一种可变增益放大器，涉及电子电路领域，该可变增益放大器的输出电流与控制电压之间的对数线性较为理想。该可变增益放大器包括包括拟合差分模块组以及偏移电压输出模块，其中，所述拟合差分模块组用于在驱动电压和偏移电压的控制下，根据基准电流输出所述可变增益放大器的输出电流，所述拟合差分模块组中包括n个拟合差分模块，所述n个拟合差分模块依次级联，其中n为大于1的任意正整数。

公开(公告)号：CN118556292A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202280088884.3

申请日：2022-04-24

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 汤岑 ,  饶进 ,  刘涛

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/20 ,  H01L21/762

摘要： 本公开的实施例提供了一种半导体器件及其制备方法。该该半导体器件包括基底，基底的表面具有第一区域、第二区域和第三区域；第一介质层，施加在基底的第一区域和第三区域；栅电极，耦合至基底，包括栅帽区以及与基底的第二区域接触的接触区，栅帽区经由第一介质层而与基底的第一区域间隔开第一间距；第二介质层，施加在栅电极和第一介质层的外部，在第三区域，第二介质层与基底间隔开第二间距，第二间距小于第一间距。通过将栅帽区与基底间隔开的第一间距设置为比第二介质层与基底间隔开的第二间距大，能够在不改变其他设计结构的前提下降低寄生电容的容值，从而能够提高半导体器件在高频下的增益特性。

公开(公告)号：CN118215989A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202280076593.2

申请日：2022-02-28

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 李水明 ,  李海军 ,  张志利 ,  刘涛 ,  饶进

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/772 ,  H01L29/768

摘要： 本申请实施例提供了一种芯片及其制备方法、射频功率放大器和终端，涉及半导体技术领域，可以确保外延层与源极导电层充分接触。该芯片包括第一晶体管和第二晶体管，该方法包括：在衬底(10)上形成依次层叠设置的外延层(11)和源极导电层(21)；外延层包括第一通孔，以形成第一晶体管的第一外延层(101)和第二晶体管的第二外延层(102)。源极导电层包括第一晶体管的第一源极(211)和第二晶体管的第二源极(212)。第一源极(211)的边沿与第一外延层(101)贴近第一通孔侧的边沿齐平，第二源极(212)的边沿与第二外延层(102)贴近第一通孔侧的边沿。在第一通孔中形成第一导电层(13)；第一导电层(13)与第一源极(211)和第二源极(212)接触；形成第二通孔；在第二通孔中形成第二导电层(14)，第二导电层(14)与第一导电层(13)接触、并接地。

公开(公告)号：CN116868334A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202180094101.8

申请日：2021-02-26

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 李水明 ,  王瑜 ,  马平 ,  鲁明 ,  汤岑 ,  张志利 ,  贺强 ,  李海军 ,  刘涛 ,  饶进

IPC分类号： H01L23/373

摘要： 本申请实施例提供一种半导体器件、电子设备及半导体器件的制备方法，涉及芯片制造封装技术领域，用于在不增加尺寸的情况下，能够提高半导体器件的散热效率。该半导体器件包括：衬底、源极、漏极和栅极，以及槽；源极、漏极和栅极均形成在衬底上，衬底上的位于源极和漏极之间形成有有源区；槽开设在衬底内，槽与有源区之间具有间距；散热层形成在槽内，且散热层的热导率大于衬底的热采用此种半导体结构可以保障高功率密度的器件也具有很好的散热效果。

公开(公告)号：CN116529891A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202080107211.9

申请日：2020-12-15

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 张志利 ,  饶进 ,  刘涛 ,  李海军 ,  鲁微 ,  李水明 ,  汤岑 ,  贺强 ,  马俊彩 ,  樊春华 ,  术洋溢

IPC分类号： H01L29/778

摘要： 提供一种高电子迁移率晶体管(100)，包括依次层叠设置的GaN基材层(102)、势垒层(103)、电路层和场板(108)，GaN基材层(102)包括层叠设置的主体层(1021)和沟道层(104)，沟道层(104)邻接势垒层(103)，电路层包括源极(106)、漏极(105)和介质层(107)，介质层(107)设于源极(106)和漏极(105)之间，介质层(107)背离势垒层(103)的一侧设场板(108)，场板(108)在沟道层(104)上的正投影为场板(108)投影，沟道层(104)包括调制区(1041)和非调制区，非调制区包围调制区(1041)，调制区(1041)与场板(108)投影至少部分重合，调制区(1041)内的二维电子气的浓度小于非调制区内的二维电子气的浓度，从而能够提升了器件的器件增益及确保器件的高功率密度。同时还提供一种高电子迁移率晶体管(100)的制作方法、一种芯片和一种电子设备。

公开(公告)号：CN115836394A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202080102939.2

申请日：2020-11-27

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 汤岑 ,  饶进 ,  刘涛 ,  李海军 ,  鲁微 ,  乐伶聪 ,  马俊彩 ,  张志利

IPC分类号： H01L29/778

摘要： 本申请实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件可以包括衬底、栅极、第二介质层、场板，其中衬底上具有第一介质层，第一介质层在第一区域的厚度大于在第一区域之外的第二区域的厚度，栅极位于衬底上且位于第一区域，栅极包括垂直衬底表面的方向上连接的第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构垂直衬底表面的方向上贯穿第一介质层，第二栅极结构形成于第一介质层远离所述衬底的一侧且覆盖部分第一介质层，第二介质层覆盖栅极和第一介质层，场板位于第二介质层上，且同时存在于第一区域和第二区域，这样，第二栅极结构和漏极之间的电容降低，而场板与沟道之间的电容增加，使器件的寄生电容减小，提高器件在高频下的增益特性。

公开(公告)号：CN118866845A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202310488328.1

申请日：2023-04-28

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 胡彬 ,  饶进 ,  何涛 ,  陆天皓 ,  段焕涛 ,  李海军 ,  仲正

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本申请实施例提供一种晶体管、半导体器件封装结构以及电子设备。涉及半导体技术领域。提供可以降低热阻的晶体管的工艺结构和实现方式。晶体管包括衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面，第一表面一侧设置有源层，第二表面一侧设置金属层；还包括贯通衬底和有源层至少一部分的孔，沿衬底至有源层方向，孔包括第一孔段和第二孔段，第一孔段和第二孔段连接处具有连接界面，第一孔段的孔径大于第二孔段的孔径，第一孔段和第二孔段的壁面上均形成有导电层，导电层与金属层电连接；第一孔段和第二孔段内还填充有散热材料，比如，散热材料包括银材料和金刚石材料中的至少一种。通过设置多段孔，并在孔内填充散热材料，以提升对有源层的驱热。

公开(公告)号：CN118541810A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202280088965.3

申请日：2022-04-24

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 汤岑 ,  饶进 ,  刘涛

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L29/92

摘要： 本公开的实施例提供了一种电容器以及制造电容器的方法。该电容器包括：衬底，具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面，该衬底设置有从该第一表面贯穿至该第二表面的通孔；第一极板，耦合至该衬底的该第一表面；第一导电部，设置在该衬底的该第二表面；第二导电部，设置在该第一极板的面向该通孔的一侧；以及第三导电部，设置在该通孔的内壁，从而将该第一导电部耦合至该第二导电部。通过本方案，将衬底的第一表面与第二表面经由各个导电部进行短接，这样可以对衬底形成有效的旁路作用，从而能够显著地降低电容器在高频工况下的介质损耗，提高电容器的性能。

公开(公告)号：CN117941074A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202180102317.4

申请日：2021-09-15

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 张志利 ,  饶进 ,  刘涛 ,  李海军 ,  李水明 ,  鲁明

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、功率放大电路、电子设备，涉及半导体技术领域，用于降低设置背孔对半导体器件带来的影响。半导体器件包括：衬底；沟道层和势垒层，依次层叠设置于衬底上；源极、栅极和漏极，设置于势垒层上；背孔，贯穿从衬底至源极下方的势垒层区域；背面导电层，覆盖于背孔和衬底的背面，源极与背面导电层接触连接。