-
公开(公告)号：CN109716681A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201680089217.1
申请日：2016-09-27
申请人： 华为技术有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种功率放大器、射频拉远单元RRU及基站。多相脉冲宽度调制器调制产生N个多相脉冲宽度调制PWM信号；对所述多相脉冲宽度调制信号PWMn放大；对所述多相脉冲宽度调制信号PWMn滤波；并在功率管漏极或集电极合路。本申请提供的新型射频放大器，可有效降低包络馈电环路电感，提高视频带宽与DPD校正性能。
-
公开(公告)号：CN105518991A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480031944.3
申请日：2014-08-11
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H03F1/02
CPC分类号： H03F1/0222 , H03F1/02 , H03F1/0227 , H03F1/0288 , H03F1/56 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F2200/451 , H03F2203/21106 , H03F2203/21139 , H04B1/16
摘要： 提供了一种功率放大器，包括包络调制器(101)，主功率放大器(102)以及辅助功率放大器(103)，其中，所述包络调制器(101)，分别与所述主功率放大器(102)的漏极以及所述辅助功率放大器(103)的漏极相连，用于根据接收到的包络信号得到包络电压，分别向所述主功率放大器(102)以及所述辅助功率放大器(103)的漏极输出所述包络电压；所述主功率放大器(102)，与所述至包络调制器(101)相连，用于在工作状态下，将从所述包络调制器(101)接收到的所述包络电压作为工作电压，对所述主功率放大器的源极输入的信号进行放大处理；所述辅助功率放大器(103)，与所述主功率放大器(102)并联，且与所述包络调制器(101)相连，用于在工作状态下，将从所述包络调制器(101)接收到的所述包络电压作为工作电压，对所述辅助功率放大器(103)的源极输入的信号进行放大处理。
-
公开(公告)号：CN109716681B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201680089217.1
申请日：2016-09-27
申请人： 华为技术有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种功率放大器、射频拉远单元RRU及基站。多相脉冲宽度调制器调制产生N个多相脉冲宽度调制PWM信号；对所述多相脉冲宽度调制信号PWMn放大；对所述多相脉冲宽度调制信号PWMn滤波；并在功率管漏极或集电极合路。本申请提供的新型射频放大器，可有效降低包络馈电环路电感，提高视频带宽与DPD校正性能。
-
公开(公告)号：CN116190354A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310210090.6
申请日：2018-11-26
申请人： 华为技术有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种封装结构和应用其的通信设备，封装结构包括基板、晶片及用于将晶片粘接至基板上的粘接层，粘接层内设有带电粒子，晶片之背离粘接层的表面设有电极，电极与带电粒子的电位相反，封装结构还包括第一屏蔽结构，基板为零电位，第一屏蔽结构位于所述晶片的外表面且位于所述粘接层和所述电极之间，以阻止所述带电粒子迁移至所述电极。本申请实施例中提供了一种实现了抑制粘接材料中的离子迁移的封装方案，才对封装结构中的电极进行保护。
-
公开(公告)号：CN105264768A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480000388.3
申请日：2014-01-02
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H03F1/32
CPC分类号： H03F3/24 , H03F1/02 , H03F1/0227 , H03F1/3247 , H03F2200/102
摘要： 本发明实施例提供包络放大器及基站。该包络放大器包括：电压产生模块，用于生成n个电压，n为大于1的正整数；电压选择模块，用于：接收控制信号，从所述电压产生模块接收所述n个电压，根据所述控制信号从所述n个电压中选择m个电压，并根据所述m个电压生成包络电压，所述包络电压用于跟踪信号的包络，m为小于或等于n的正整数。本发明实施例中，通过电压选择模块根据控制信号从n个电压中选择m个电压，并根据m个电压生成包络电压，能够有效实现对信号包络的跟踪。
-
公开(公告)号：CN105264768B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201480000388.3
申请日：2014-01-02
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H03F1/32
摘要： 本发明实施例提供包络放大器及基站。该包络放大器包括：电压产生模块，用于生成n个电压，n为大于1的正整数；电压选择模块，用于：接收控制信号，从所述电压产生模块接收所述n个电压，根据所述控制信号从所述n个电压中选择m个电压，并根据所述m个电压生成包络电压，所述包络电压用于跟踪信号的包络，m为小于或等于n的正整数。本发明实施例中，通过电压选择模块根据控制信号从n个电压中选择m个电压，并根据m个电压生成包络电压，能够有效实现对信号包络的跟踪。
-
公开(公告)号：CN108432129A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201580085531.8
申请日：2015-12-24
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H03F3/20
摘要： 一种功放控制方法、装置及功放控制系统，适用于包括包络控制电路以及多赫蒂功放电路的功放系统，可根据基带单元输出的包络信号，生成调相控制信号(401)，并根据调相控制信号对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相，使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为与包络信号的当前值相对应的设定值，该设定值为多赫蒂功放电路的供电电压为与包络信号的当前值相对应的包络电压时，多赫蒂功放电路的最佳相位值(402)，从而解决了现有的高效率功放技术存在的效果较差、性能不佳等的问题。
-
公开(公告)号：CN113169139B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN201880099731.2
申请日：2018-11-26
申请人： 华为技术有限公司(CN)
IPC分类号： H01L23/28
摘要： 本申请实施例公开了一种封装结构和应用其的通信设备，封装结构包括基板、晶片及用于将晶片粘接至基板上的粘接层，粘接层内设有带电粒子，晶片之背离粘接层的表面设有电极，电极与带电粒子的电位相反，封装结构还包括第一屏蔽结构，基板为零电位，第一屏蔽结构位于所述晶片的外表面且位于所述粘接层和所述电极之间，以阻止所述带电粒子迁移至所述电极。本申请实施例中提供了一种实现了抑制粘接材料中的离子迁移的封装方案，才对封装结构中的电极进行保护。
-
公开(公告)号：CN113169139A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201880099731.2
申请日：2018-11-26
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H01L23/28
摘要： 本申请实施例公开了一种封装结构和应用其的通信设备，封装结构包括基板、晶片及用于将晶片粘接至基板上的粘接层，粘接层内设有带电粒子，晶片之背离粘接层的表面设有电极，电极与带电粒子的电位相反，封装结构还包括第一屏蔽结构，基板为零电位，第一屏蔽结构位于所述晶片的外表面且位于所述粘接层和所述电极之间，以阻止所述带电粒子迁移至所述电极。本申请实施例中提供了一种实现了抑制粘接材料中的离子迁移的封装方案，才对封装结构中的电极进行保护。
-
公开(公告)号：CN108432129B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201580085531.8
申请日：2015-12-24
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H03F3/20
摘要： 一种功放控制方法、装置及功放控制系统，适用于包括包络控制电路以及多赫蒂功放电路的功放系统，可根据基带单元输出的包络信号，生成调相控制信号(401)，并根据调相控制信号对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相，使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为与包络信号的当前值相对应的设定值，该设定值为多赫蒂功放电路的供电电压为与包络信号的当前值相对应的包络电压时，多赫蒂功放电路的最佳相位值(402)，从而解决了现有的高效率功放技术存在的效果较差、性能不佳等的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
11 条记录 (耗时 0.023 秒)
