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公开(公告)号：CN118216085A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202180103610.2
申请日：2021-11-02
Applicant: 上海华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种极坐标发射机和基站，其中，极坐标发射机的功放中设置有双栅极晶体管，通过向双栅极晶体管的直流栅极和漏极输入包络信号，向射频栅极输入调相信号，以输出调制信号的放大信号，有利于减小极坐标发射机所需的包络信号的电压动态范围，进而有利于提高发射机的带宽和效率。
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公开(公告)号：CN119069522A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202310622206.7
申请日：2023-05-30
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/778 , H01L29/08
Abstract: 本申请提供了一种晶体管，该晶体管的源极接触掺杂区和漏极接触掺杂区之间设置有p型阱区和n型漂移区，该p型阱区和晶体管的栅极分别位于晶体管的金属氧化物层的两侧，且p型阱区与金属氧化物层的第一面的第一区域接触，栅极与金属氧化物层的第二面的第二区域接触，第二区域在金属氧化物层厚度方向上的投影落入第一区域在金属氧化物层厚度方向上线的投影内，或者两个投影重合。在对栅极上施加电压的情况下，栅极反型产生的载流子可以限定在p型阱区内，从而晶体管的源极和漏极之间的导通特性随栅极上外加电压的变化更加可控，有利于降低该晶体管的静态功耗和热损耗，有利于提高晶体管以及使用该晶体管的电子设备的热稳定性。
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公开(公告)号：CN118160220A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202180103988.2
申请日：2021-11-18
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H03F3/20
Abstract: 本申请提供了一种功率放大装置和无线通信装置，该功率放大装置包括：N个功率放大管，N为大于或等于1的整数，N个功率放大管中包括至少一个双栅型晶体管，双栅型晶体管包括射频RF栅极和直流DC栅极，其中，双栅型晶体管的RF栅极用于接收第一射频信号，双栅型晶体管的DC栅极用于输入与第二射频信号对应的包络信号的包络幅度相关的栅压，第二射频信号为功率放大装置需要放大的射频信号。本申请旨在提升功率放大装置的功放效率和性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108432129A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201580085531.8
申请日：2015-12-24
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H03F3/20
Abstract: 一种功放控制方法、装置及功放控制系统，适用于包括包络控制电路以及多赫蒂功放电路的功放系统，可根据基带单元输出的包络信号，生成调相控制信号(401)，并根据调相控制信号对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相，使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为与包络信号的当前值相对应的设定值，该设定值为多赫蒂功放电路的供电电压为与包络信号的当前值相对应的包络电压时，多赫蒂功放电路的最佳相位值(402)，从而解决了现有的高效率功放技术存在的效果较差、性能不佳等的问题。
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公开(公告)号：CN112910422A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201911222360.5
申请日：2019-12-03
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种级间匹配网络电路以及射频功率放大器，级间匹配网络电路使用第一键合线和第二键合线调谐级间匹配网络电路的总电感值，由于第一键合线与第二键合线与集成该级间匹配网络电路的衬底之间存在一定空间，而空气中电磁波的损耗最小，避免了衬底带来电磁波损耗的问题。以实现减轻电感的损耗，对于应用该级间匹配网络电路的射频功率放大器来说，增加了射频功率放大器的增益幅度。应用该射频功率放大器的通信装置，在更低功耗的前提下，实现了最终输出的最大峰值功率。
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公开(公告)号：CN108432129B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201580085531.8
申请日：2015-12-24
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H03F3/20
Abstract: 一种功放控制方法、装置及功放控制系统，适用于包括包络控制电路以及多赫蒂功放电路的功放系统，可根据基带单元输出的包络信号，生成调相控制信号(401)，并根据调相控制信号对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相，使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为与包络信号的当前值相对应的设定值，该设定值为多赫蒂功放电路的供电电压为与包络信号的当前值相对应的包络电压时，多赫蒂功放电路的最佳相位值(402)，从而解决了现有的高效率功放技术存在的效果较差、性能不佳等的问题。
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公开(公告)号：CN103326678A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310260399.2
申请日：2010-09-14
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种功率放大器、不对称达赫笛功率放大设备和基站。本发明实施例采用将不同的射频功率放大通道集中在一个器件内部，构成一种功率放大器，从而可以通过在生产时进行测试并加以筛选的方式来减少不同射频功率放大通道之间的离散性，避免现有技术只有在应用时才能发现不同射频放大通道之间的由于器件离散性所导致的无法控制性能的情况的发生；由于该功率放大器是单一器件，所以在应用时能保证具有较低的离散性，有利于提高ADPA电路的性能。
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公开(公告)号：CN102130657A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010281316.4
申请日：2010-09-14
Applicant: 华为技术有限公司
CPC classification number: H03F3/193 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0655 , H01L2223/6644 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/3011 , H03F1/0288 , H03F3/211 , H03F3/601 , H03F3/602 , H03F2200/405 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明实施例公开了一种功率放大器、不对称达赫笛功率放大设备和基站。本发明实施例采用将不同的射频功率放大通道集中在一个器件内部，构成一种功率放大器，从而可以通过在生产时进行测试并加以筛选的方式来减少不同射频功率放大通道之间的离散性，避免现有技术只有在应用时才能发现不同射频放大通道之间的由于器件离散性所导致的无法控制性能的情况的发生；由于该功率放大器是单一器件，所以在应用时能保证具有较低的离散性，有利于提高ADPA电路的性能。
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