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公开(公告)号：CN112005271B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201980024251.4
申请日：2019-04-02
申请人： 华为技术有限公司
摘要： 公开了一种视频编解码机制。所述机制包括至少一个预编码器，其中，所述至少一个预编码器用于对接收的输入视频信号进行预编码，并输出经预编码的视频信号。所述机制还包括编码器，其中，所述编码器用于从所述预编码器获取所述经预编码的视频信号，并将所述经预编码的视频信号编码为码流，以将所述码流传输到解码器进行解码。
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公开(公告)号：CN109196651B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201680086216.1
申请日：2016-10-28
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明实施例公开了一种场效应晶体管结构及其制作方法，该场效应晶体管结构包括：底栅电极；底栅介质层；纳米条带沟道层，所述纳米条带沟道层是由多个平行间隔开的双层石墨烯纳米条带构成，所述纳米条带沟道层覆盖于所述底栅介质层的上表面，且与所述底栅介质层的上表面接触；源极和漏极；顶栅介质层；顶栅电极。本发明实施例提供的场效应晶体管结构及其制作方法，能够在不牺牲器件开态电流的情况下，有效地减少栅介质电荷中心的影响，使器件能够有较好地关断，提升器件开关比。
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公开(公告)号：CN109564921B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201780003245.1
申请日：2017-07-20
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/00 , H01L29/78
摘要： 一种场效应管以及制造方法，属于电子技术领域。场效应管包括：衬底层(201)；设置于衬底层(201)之上的第一背栅电极(202)和第二背栅电极(203)；覆盖于衬底层(201)和第一背栅电极(202)和第二背栅电极(203)之上的背栅绝缘层(204)；覆盖于背栅绝缘层(204)之上的半导体层(205)；覆盖于半导体层(205)之上的顶栅绝缘层(206)；设置于背栅绝缘层(204)之上的漏电极(207)和源电极(208)，漏电极(207)的一部分覆盖于半导体层(205)的第一边缘，源电极(207)的一部分覆盖于半导体层(205)的第二边缘；设置于顶栅绝缘层(206)之上的第一顶栅电极(209)和第二顶栅电极(210)，其中，漏电极(207)和第二顶栅电极(210)电连接。这种场效应管具有高峰值电流，芯片占用面积小，制造工艺复杂度低，可实现大面积、低成本制造。
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公开(公告)号：CN109429526B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201780003485.1
申请日：2017-06-30
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H01L21/335
摘要： 一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，涉及场效应晶体管技术领域，可在线隧穿结构中，抑制点隧穿。隧穿场效应晶体管的制备方法包括：在衬底(10)上形成隔离结构(20)，隔离结构(20)定义出有源区(30)；形成第一介质层(41)和第一掩膜结构(50)；第一掩膜结构(50)包括外侧(51)和内层(52)，外层(51)包括第一侧壁(511)和硬掩膜(512)；对露出的有源区(30)进行工艺处理形成漏区(31)；使用第一填充物进行填充进行平坦化工艺，露出内层(52)，以去除内层(52)以及其覆盖的第一介质层(41)；对露出的有源区(30)进行工艺处理形成源区(32)；在源区(32)上形成第二介质层(42)，且第二介质层(42)的厚度小于第一介质层(41)的厚度；形成第二侧壁(513)，使用第二填充物进行填充进行平坦化工艺；去除第一侧壁(511)和第二侧壁(513)、露出的第二介质层(42)，以形成栅介质层(43)和栅极(70)。
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公开(公告)号：CN110088912B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201780080089.9
申请日：2017-02-28
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H01L29/78
摘要： 一种隧穿场效应晶体管及其制造方法，该隧穿场效应晶体管包括：衬底层(21)；导电层(22)包括第一导电部(221)和第二导电部(222)，第一导电部(221)和第二导电部(222)覆盖在衬底层(21)的部分表面，第一导电部(221)的厚度大于第二导电部(222)的厚度；源区电极(23)覆盖在第一导电部(221)的外表面上；漏区电极(24)覆盖在第二导电部(222)远离第一导电部(221)的外表面上；第一绝缘层(25)位于衬底层(21)的上表面，且覆盖在源区电极(23)、导电层(22)和漏区电极(24)的外表面；栅极(26)覆盖在第一绝缘层(25)远离导电层(22)的表面上，且位于源区电极(23)与漏区电极(24)之间的空隙中；第二绝缘层(27)覆盖在第一绝缘层(25)和栅极(26)远离第一绝缘层(25)的表面上。所述隧穿场效应晶体管在提升器件的开态电流和开关比的同时，能够有效提高器件性能的均一性和可重复性。
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公开(公告)号：CN109716490B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201780003482.8
申请日：2017-08-21
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/28
摘要： 一种TFET及其制备方法，涉及半导体技术领域，可大幅提高TFET制造工艺的可实现性。制备方法，包括：在形成有假栅(56)的衬底(10)上，使用填充物进行第一次填充，并进行平坦化的工艺，露出假栅(56)；利用光刻工艺，形成包括第一刻蚀窗口的第一光刻胶层(71)，第一刻蚀窗口位于第一区上方，通过各向同性刻蚀工艺去除位于第一区的填充物，对第一区进行离子注入工艺；使用填充物进行第二次填充，并进行平坦化的工艺，露出假栅(56)；利用光刻工艺，形成包括第二刻蚀窗口的第二光刻胶层(72)，第二刻蚀窗口位于第二区上方，通过各向同性刻蚀工艺去除位于第二区的填充物，对第二区进行离子注入工艺；其中，对第一区和第二区进行离子注入后分别形成源区(101)和漏区(102)。
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公开(公告)号：CN108369946B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201580084892.0
申请日：2015-12-31
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/336
摘要： 本发明提供了一种半导体器件及半导体器件的制备方法。所述半导体器件包括隧穿场效应晶体管及平面器件，所述隧穿场效应晶体管包括第一衬底和第一电气元件，所述第一电气元件形成于所述第一衬底的一侧，所述平面器件包括第二衬底及第二电气元件，所述第二衬底与所述第一衬底为一体式结构并形成一个总衬底，所述第二电气元件形成于所述第二衬底的一侧，且所述第二电气元件与所述第一电气元件设置于所述总衬底的同一侧，其中，所述平面器件包括金属氧化物半导体晶体管、电容、电阻中的任意一种。
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公开(公告)号：CN110088910B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201780078477.3
申请日：2017-11-07
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H01L29/225
摘要： 一种光波导(10)、单光子源(30)及光波导(10)的制作方法，光波导(10)包括：调控电极(103)、无源波导(101)和位于无源波导(101)之上的有源波导(102)；有源波导(102)包括：位于无源波导(101)之上的第一掺杂层(102a)、位于第一掺杂层(102a)之上的中性有源层(102b)、以及位于中性有源层(102b)之上的第二掺杂层(102c)，第一掺杂层(102a)和第二掺杂层(102c)电性相反，中性有源层(102b)含有量子点；调控电极(103)包括第一电极(103a)和第二电极(103b)；第一掺杂层(102a)上形成有第一电极部(104)，第一电极部(104)上形成有第一电极(103a)；第二掺杂层(102c)上形成有第二电极部(105)，第二电极部(105)上形成有第二电极(103b)。由于第一掺杂层(102a)和第二掺杂层(102c)上分别形成有第一电极(103a)和第二电极(103b)，通过对第一电极(103a)和第二电极(103b)施加电压，在第一掺杂层(102a)和第二掺杂层(102c)之间形成一电场，调控电场能够对发光波长进行调节。
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公开(公告)号：CN108351657B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201680056527.3
申请日：2016-03-29
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： G05F1/46
摘要： 本发明实施例提供了一种调压电路及电路调压方法，涉及集成电路领域，该调压电路包括：第一整流单元(1)、第二整流单元(2)、信号控制模块(3)、开关组(4)和负载(5)；第一整流单元(1)接收供电电压，基于供电电压生成第一电压，并将第一电压输出至第二整流单元(2)中；第二整流单元(2)基于第一电压生成第二电压，并将第二电压分别输出至负载(5)和信号控制模块(3)中；信号控制模块(3)基于第二电压生成开关信号，并将开关信号输出至开关组(4)，以控制对开关组(4)内开关的等效电容进行的充电及放电，从而对第二电压进行调节。通过调节输入至负载(5)的第二电压，从而降低了电压限制区间，减少了集成电路的损耗。
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