公开(公告)号：CN117673129A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202211053439.1

申请日：2022-08-31

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 苏帅 ,  何林峰 ,  魏巍 ,  张亚文 ,  武龙 ,  侯明辰 ,  冯鹏 ,  韩明涛 ,  李皓天 ,  周瑞

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/67 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: 本申请实施例提供了一种制备半导体器件的方法和装置以及半导体器件。涉及半导体制造技术领域，该方法包括：确定半导体本体的盖帽层上的离子注入区域，半导体本体已被按照第一注入参数完成所述离子注入和离子激活；根据第一注入参数，确定外延层中离子的峰值浓度区域位置；根据离子的峰值浓度区域位置，确定第一深度；根据第一深度，以离子注入区域为起始区域，刻蚀外延层并暴露第一接触面；在第一接触面上沉积金属层；通过退火的方法，将金属层转化为合金层，并在第一接触面形成欧姆接触。基于该方法，使形成欧姆接触的第一接触面处于2DEG附近，能够降低接触势垒，减小接触电阻，且单次注入即可完成，避免多次注入对晶格造成较大损伤。

公开(公告)号：CN117747642A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202211107921.9

申请日：2022-09-13

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 苏帅 ,  何林峰 ,  魏巍 ,  张亚文 ,  武龙 ,  侯明辰 ,  冯鹏 ,  韩明涛 ,  李皓天 ,  周瑞

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/324

Abstract: 本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，实现了第一电极层与外延层的欧姆接触，减小了欧姆接触的接触电阻率，有助于减小半导体器件的导通电阻，进而降低半导体器件的功率损耗。半导体器件可以包括外延层、掺杂层、介质层和第一电极层。其中，外延层和介质层层叠设置。半导体器件设有第一凹槽，掺杂层和第一电极层的一部分可以层叠设置于第一凹槽内部。