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公开(公告)号：CN117546239A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202180099650.4
申请日：2021-10-09
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： G11C11/412
摘要： 本申请提供了一种锁存器、触发器及芯片，涉及数字电路领域，能够减少触发器中晶体管的数量。该锁存器包括信号输入端、信号输出端、控制信号端、第一电压端、第二电压端、上拉电路和下拉电路。其中，锁存器中的晶体管均采用N型场效应晶体管。上拉电路与第一电压端、信号输出端连接。上拉电路被配置为根据第一电压端的电压上拉信号输出端的电压。下拉电路与信号输入端、控制信号端、信号输出端、第二电压端均连接。下拉电路被配置为：在控制信号端和信号输入端的信号控制下，根据第二电压端的电压下拉信号输出端的电压。
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公开(公告)号：CN116683905A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202210164222.1
申请日：2022-02-22
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H03K19/20 , H01L27/088 , H10B10/00
摘要： 本申请实施例提供一种半导体器件，和包含有该半导体器件的电子设备。涉及逻辑门电路工艺技术领域。主要提供可以简化互连工艺的逻辑门电路。该半导体器件包括衬底和形成在衬底上的第一逻辑门电路，第一逻辑门电路具有：输入端和共轭输入端，以及，输出端和共轭输出端；输入端、共轭输入端、输出端和共轭输出端形成在同一层结构内，输入端和共轭输入端沿第一直线排布；输出端和共轭输出端沿与第一直线相交的第二直线排布，比如，第一直线与第二直线相垂直；且输入端和共轭输入端设置在第二直线的两侧，输出端和共轭输出端设置在第一直线的两侧。通过单极型的、共轭的、中心对称布设的结构，简化互连工艺。
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公开(公告)号：CN117766002A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211175101.3
申请日：2022-09-26
IPC分类号： G11C11/412 , G11C11/419 , G11C5/02
摘要： 本申请提供了一种静态随机存储器、处理电路芯片及电子设备，包括：第一上拉管、第二上拉管、第一下拉管、第二下拉管、第一选通管以及第二选通管；第一上拉管与第一下拉管作为第一互补场效应晶体管，第二上拉管与第二下拉管作为第二互补场效应晶体管，第一互补场效应晶体管在第一平面上的正投影、第一选通管在第一平面上的正投影、第二选通管在第一平面上的正投影以及第二互补场效应晶体管在第一平面上的正投影沿第一方向依次间隔排列；第一互补场效应晶体管、第一选通管在第二平面上的正投影与第二互补场效应晶体管、第二选通管在第二平面上的正投影间隔排列，提供新型结构的存储单元，提高存储单元的性能。
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公开(公告)号：CN117581480A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202180099652.3
申请日：2021-10-09
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H03K19/20
摘要： 本申请提供了一种逻辑门电路、锁存器及触发器，涉及逻辑电路领域，提供一种基于NFET的逻辑门电路。该逻辑门电路包括上拉电路、下拉电路、信号输出端、至少一个信号输入端、第一电压端、第二电压端。上拉电路包括第一NFET。其中，第一NFET包括第一栅极和第二栅极，第一NFET的第一极和第一栅极连接到第一电压端，第一NFET的第二极和第二栅极连接到信号输出端连接。下拉电路中包括第二NFET；其中，下拉电路与信号输出端、至少一个信号输入端、第二电压端连接。下拉电路被配置为：根据至少一个信号输入端的电压控制第二NFET，并通过第二电压端的电压下拉信号输出端的电压。
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公开(公告)号：CN117083805A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202280003640.0
申请日：2022-01-27
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H03K19/094
摘要： 本申请实施例提供一种共轭逻辑门电路、集成电路、电子设备。涉及电路技术领域。主要用于提供一种可以实现共轭输入和共轭输出的共轭逻辑门电路。该共轭逻辑门电路包括反相器和缓冲器，以及，第一电压端和第二电压端；反相器和缓冲器并联于第一电压端和第二电压端之间；反相器的输入端口与缓冲器的输入端口电连接，以形成共轭逻辑门电路的第一输入端口；反相器的共轭输入端口与缓冲器的共轭输入端口电连接，以形成共轭逻辑门电路的第一共轭输入端口；反相器的输出端口和缓冲器的输出端口中的一个形成共轭逻辑门电路的输出端口，另一个形成共轭逻辑门电路的共轭输出端口。该共轭逻辑门电路可以实现级联。
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公开(公告)号：CN116868342A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202180093116.2
申请日：2021-05-31
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H01L27/088
摘要： 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括场效应晶体管。该场效应晶体管包括栅极、漏极、源极和氧化物半导体沟道。源极和漏极分别位于氧化物半导体沟道的两端。漏极和源极分别与氧化物半导体沟道的多个表面相接触以增大源极和漏极与氧化物半导体沟道的接触面积，从而降低接触电阻。由于半导体器件的接触电阻被降低，因此在相同电压下的电流被增加，从而提升了场效应晶体管的电流驱动能力以及响应速度。
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公开(公告)号：CN117811571A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211163788.9
申请日：2022-09-23
IPC分类号： H03K19/094
摘要： 本申请提供了一种逻辑电路、数字电路和电子设备，通过处理模块中的第一共栅互补场效应晶体管和第二共栅互补场效应晶体管，减小了逻辑电路制造工艺的难度，且大大降低了逻辑电路的制造成本。逻辑电路可以包括控制模块、处理模块和输出模块。控制模块可以用于根据第一输入信号确定第一控制信号并传输给处理模块。处理模块可以用于输出第二控制信号，第二控制信号可以用于指示处理模块的输出信号。输出模块可以用于根据第二控制信号输出第三控制信号，第三控制信号用于指示逻辑电路的输出信号。
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公开(公告)号：CN116745920A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202180087226.8
申请日：2021-05-07
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H01L29/78
摘要： 本申请实施例公开了一种冷源场效应晶体管结构，该结构包括：半导体衬底；源区，位于该半导体衬底上；漏区，位于该半导体衬底上；该源区包括第一半导体层、金属层和第二半导体层；该漏区包括第三半导体层；其中，该金属层位于该第一半导体层上，该第二半导体层位于该金属层上；其中，该第一半导体层和该第二半导体层的半导体的类型不同，该第一半导体层和该第三半导体层的半导体的类型相同。本申请实施例通过在采用Si基的CMOS工艺的晶体管的源区引入P/Metal/N结构来实现冷源场效应晶体管的功能，实现简单，可以兼容现有的平面场效应晶体管、鳍式场效应晶体管以及环栅晶体管的生产工艺，适用于主流半导体行业。
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公开(公告)号：CN116564977A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202210109230.6
申请日：2022-01-28
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本申请提供一种背照式图像传感器及其制作方法、电子设备，涉及传感器领域，该背照式图像传感器通过在探测面设置金属层使得界面缺陷造成的中间能级远离费米能级，从而能够降低传感器的暗电流，增强抗辐照性能。该背照式图像传感包括衬底以及依次设置于衬底上的金属布线层、半导体层、金属层。其中，半导体层中分布有像素阵列，半导体层远离衬底的表面为所述像素阵列的探测面。金属层设置在探测面上，并且金属层采用的金属材料的功函数大于半导体层中半导体材料的功函数。
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