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公开(公告)号：CN116178014B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202310127476.0
申请日：2023-02-14
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿闪烁体陶瓷的制备方法。本发明通过真空烧结得到闪烁体粉末，闪烁体粉末经干压成型后依次经过温等静压和高温高压反应釜处理，得到透明的钙钛矿闪烁体陶瓷。高温高压反应釜通过调节温度、压强、保压时间等参数，可以得到在发射波长下透过率大于15％的CsCuX(X＝Cl、Br、I)卤化物闪烁体陶瓷，降低陶瓷的孔隙率即增大陶瓷的致密度，可以有效降低陶瓷的光散射和光串扰问题，提高X射线探测成像的空间分辨率。本发明利用高温高压反应釜提供大于300℃的高温、高压环境促进钙钛矿闪烁体素坯的晶粒加速流动、重排与致密化，有效解决了现有技术中需要长时间高温、制备周期长的技术问题。
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公开(公告)号：CN116024527A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310127470.3
申请日：2023-02-14
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备一维结构的柱状晶铜基卤化物闪烁体膜的方法。本发明利用具有一维晶体结构的铜基卤化物闪烁体材料(CsCu2I3、Cs5Cu3Cl6I2)，在柔性衬底上制备了柱状晶结构的闪烁体厚膜，一维结构的柱状晶铜基卤化物闪烁体厚膜从根本上解决了多晶晶界产生缺陷的问题。并且利用近空间升华法蒸发，由于蒸发源和衬底的距离很近(几毫米)，蒸发速度可以很快(30‑50μm/min)，从而能够快速制备百微米级的闪烁体厚膜，不仅提升了制备效率，而且大大降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN115403065A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211044612.1
申请日：2022-08-30
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请实施例提供一种铯铜卤晶体的制备方法，包括如下步骤：提供化学式为CsX和CuX的化合物，混合均匀得到反应物，其中X为Cl、Br、I中的至少一种；将所述反应物置于预定真空度下并加热至预定温度，同时使所述反应物进行预定时间的内部运动，得到熔体；在预定冷却速率下冷却所述熔体，得到所述铯铜卤晶体。本申请实施例提供的铯铜卤晶体的制备方法，整个制备过程十分简单，且得到的产物具有很高的纯度。
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公开(公告)号：CN117987779A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311815826.9
申请日：2023-12-27
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种柔性钙钛矿闪烁体厚膜的制备方法、闪烁体厚膜及装置，属于基本电器元件领域。所述方法包括：S1、在第一设定真空度下将全无机卤素钙钛矿加热至第一设定温度，并将柔性基底加热至第二设定温度，以使一部分所述全无机卤素钙钛矿生长在所述柔性基底上，得到种子层；S2、在第二设定真空度下将剩余部分所述全无机卤素钙钛矿加热至第三设定温度，并将所述种子层冷却至第四设定温度，以使剩余部分所述全无机卤素钙钛矿部分生长在所述种子层上；S3、多次重复步骤S2，以使剩余部分所述全无机卤素钙钛矿全部生长在所述种子层上，在所述种子层上形成自上而下的厚膜柱状晶，得到钙钛矿闪烁体厚膜。
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公开(公告)号：CN116178014A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310127476.0
申请日：2023-02-14
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿闪烁体陶瓷的制备方法。本发明通过真空烧结得到闪烁体粉末，闪烁体粉末经干压成型后依次经过温等静压和高温高压反应釜处理，得到透明的钙钛矿闪烁体陶瓷。高温高压反应釜通过调节温度、压强、保压时间等参数，可以得到在发射波长下透过率大于15％的CsCuX(X＝Cl、Br、I)卤化物闪烁体陶瓷，降低陶瓷的孔隙率即增大陶瓷的致密度，可以有效降低陶瓷的光散射和光串扰问题，提高X射线探测成像的空间分辨率。本发明利用高温高压反应釜提供大于300℃的高温、高压环境促进钙钛矿闪烁体素胚的晶粒加速流动、重排与致密化，有效解决了现有技术中需要长时间高温、制备周期长的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115403065B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202211044612.1
申请日：2022-08-30
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请实施例提供一种铯铜卤晶体的制备方法，包括如下步骤：提供化学式为CsX和CuX的化合物，混合均匀得到反应物，其中X为Cl、Br、I中的至少一种；将所述反应物置于预定真空度下并加热至预定温度，同时使所述反应物进行预定时间的内部运动，得到熔体；在预定冷却速率下冷却所述熔体，得到所述铯铜卤晶体。本申请实施例提供的铯铜卤晶体的制备方法，整个制备过程十分简单，且得到的产物具有很高的纯度。
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公开(公告)号：CN115407384A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211054339.0
申请日：2022-08-30
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: G01T1/20
Abstract: 本发明公开了一种闪烁体膜制备装置以及方法，所述装置包括：蒸发模具，包括凹槽，凹槽内设置有格栅，原料粉填充于格栅内，其中，格栅为热导率材质；近空间升华炉，包括基底以及加热器，蒸发模具设置于近空间升华炉内，加热器用于对蒸发模具中格栅内的原料粉进行加热，使得原料粉升华，升华后的原料粉沉积到基底上形成闪烁体膜。该装置可以使得原料粉末在格栅中均匀、快速地受热，以解决原料粉末受热不均匀、速度过慢等问题，进而实现高效地制备大面积高均匀性的闪烁体厚膜。
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公开(公告)号：CN221883907U
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202420360123.5
申请日：2024-02-27
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本实用新型涉及一种X射线闪烁体成像系统，包括：铅屏蔽箱、X射线源、闪烁体材料、镀银反射镜和相机，其中，所述X射线源设置于所述铅屏蔽箱中，所述闪烁体材料正对所述X射线源，所述镀银反射镜设置于所述闪烁体材料和所述相机之间，所述闪烁体材料接收所述X射线源的光线并传输至所述镀银反射镜上，而后由所述相机接收。本申请提供的一种X射线闪烁体成像系统具有移动便捷、可更换闪烁体材料的优势，可兼顾多种成像模式，能够进行闪烁体材料更换、功能性成像，获得高速、事件型、快速闪烁体成像，在便携检测、文物鉴定和科学研究方面具有显著地不可替代性优势。
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公开(公告)号：CN114381804B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210046162.3
申请日：2022-01-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种化合物单晶及其制备方法和应用、闪烁体探测器，属于高性能闪烁体材料技术领域，本申请提供的化合物单晶，化学通式为：A5B3X6X`2或A5B3X7X`1，其中，A表示一价碱金属阳离子，B表示一价过渡金属阳离子，X和X`表示一价卤素阴离子，且X和X`为不同元素，所述化合物单晶的晶体结构为一维链状型。该化合物单晶得结构特性为一维晶体结构，该结构特性的化合物单晶作为闪烁材料具有强的激子限域效果，以使拥有优异的发光性能。
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公开(公告)号：CN114447137A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210076524.3
申请日：2022-01-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本申请涉及一种X射线探测器及其制备方法，属于高能射线探测技术领域，本申请提供的X射线探测器，包括闪烁体层，所述闪烁体层的材料的化学式为A5B3X6Y2，其中，A为Cs、Rb、K中的至少一种，B为Cu或Ag，X为Cl、Br、I中的一种，Y为Cl、Br、I中一种，且X与Y为不同的化学元素。A5B3X6Y2的结构特性为一维晶体结构，该结构特性的化合物单晶作为闪烁材料具有强的激子限域效果，以使其拥有优异的发光性能。
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