一种控制PbS或PbSe量子点尺寸分布的方法

    公开(公告)号:CN106882837B

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201710117705.5

    申请日:2017-03-01

    Abstract: 本发明公开了一种控制PbS或PbSe量子点尺寸分布的方法,其步骤包括:(1)首先在铅的前驱物中注入较大尺寸的CdSe(或者CdS)量子点,此时通过阳离子交换反应得到了较大尺寸PbSe(或者PbS)量子点,(2)然后继续注入较小尺寸CdSe(或者CdS)量子点,这时通过阳离子交换反应会得到较小尺寸PbSe(或者PbS)量子点,(3)然后在奥斯特瓦尔德熟化效应的作用下,PbSe(或者PbS)量子点的尺寸分布会越来越窄,从而控制了PbSe(或者PbS)量子点的尺寸分布。通过该方法可以得到尺寸分布极好的各种尺寸的PbSe(或者PbS)量子点,而且在空气中特别稳定,该方法成本低、操作简单、对环境要求不严格。

    一种高稳定性透明电磁屏蔽薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN118221990A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410367159.0

    申请日:2024-03-28

    Inventor: 胡彬 黄震 沈澜

    Abstract: 本发明公开一种高稳定性透明电磁屏蔽薄膜及其制备方法,属于电磁屏蔽技术领域。所述方法包括以下步骤:S1.将聚酰胺酸溶液涂布在基材上,然后进行预固化,得到聚酰胺酸薄膜;S2.将聚酰胺酸薄膜进行等离子体处理,在聚酰胺酸薄膜上涂布银纳米线分散液,再在90~120℃下进行热处理;S3.在银纳米线网络层上涂布聚酰胺酸溶液,进行梯度热亚胺化,剥离后即得。本发明可以增强银纳米线与衬底的键合强度,并将银纳米线网络层包裹在具有一体式结构的聚酰亚胺层中,相比于现有技术中具有明显界面层的两层聚酰亚胺层,本发明的一体式聚酰亚胺层具有优异的机械强度,可以更好的将导电网络保护起来,增强导电网络的稳定性,进而提升电磁屏蔽薄膜的耐候性和稳定性。

    一种PbS量子点的制备方法

    公开(公告)号:CN106753357B

    公开(公告)日:2019-12-17

    申请号:CN201611050553.3

    申请日:2016-11-21

    Abstract: 本发明公开了一种PbS量子点的制备方法,包括以下步骤:(1)将铅的卤族化合物与油胺混合形成混合物;接着,在惰性气氛下,将该混合物加热至80℃~150℃,并保温得到铅的卤化物的油胺溶液;(2)将预先制备好的ZnS纳米棒溶液在注入到铅的卤化物的油胺溶液中,在80℃~190℃的温度下进行反应,即得到包括PbS量子点在内的反应产物。本发明通过对关键的制备方法原理、以及各步反应的反应条件等进行改进,与现有技术相比能够有效解决PbS量子点制备方法复杂、成本高的问题,并且本发明制备得到的纳米颗粒具有高度结晶性、尺寸均匀性、稳定性、良好的光学特性等特点,非常利于发挥PbS量子点的各种特性。

    一种PbS量子点的制备方法

    公开(公告)号:CN106753357A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611050553.3

    申请日:2016-11-21

    Abstract: 本发明公开了一种PbS量子点的制备方法,包括以下步骤:(1)将铅的卤族化合物与油胺混合形成混合物;接着,在惰性气氛下,将该混合物加热至80℃~150℃,并保温得到铅的卤化物的油胺溶液;(2)将预先制备好的ZnS纳米棒溶液在注入到铅的卤化物的油胺溶液中,在80℃~190℃的温度下进行反应,即得到包括PbS量子点在内的反应产物。本发明通过对关键的制备方法原理、以及各步反应的反应条件等进行改进,与现有技术相比能够有效解决PbS量子点制备方法复杂、成本高的问题,并且本发明制备得到的纳米颗粒具有高度结晶性、尺寸均匀性、稳定性、良好的光学特性等特点,非常利于发挥PbS量子点的各种特性。

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