一种PbS量子点探测器及其制备工艺

    公开(公告)号:CN119894332A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202510028748.0

    申请日:2025-01-08

    Abstract: 本发明公开了一种PbS量子点探测器及其制备方法,包括以下步骤:在底电极层上使用溶胶‑凝胶法制备NiO薄膜;并在NiO表面涂覆EDT溶液,形成EDT薄膜;将(S)‑(‑)‑1‑(2‑萘基)乙基溴化铅铵(S(1‑2)NPB)溶解于第一溶液中,然后加入至PbS溶液中,形成第一混合溶液;将第一混合溶液旋涂在EDT薄膜上,形成初始薄膜;使用IBr溶液对初始薄膜进行配体交换,形成PbS薄膜;在PbS量子点薄膜上真空蒸C60作为电子传输层;使用旋涂法在电子传输层上沉积SnO2纳米颗粒,形成强n型层;使用热蒸发法在强n型层沉积Au电极,形成顶电极层。本发明实施例所述的PbS量子点探测器能显著降低暗电流,提高器件的光电响应性能和信噪比。

    一种量子点器件以及量子点器件的制备方法

    公开(公告)号:CN119486349A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411662166.X

    申请日:2024-11-20

    Abstract: 本申请提供一种量子点器件以及量子点器件的制备方法,所述量子点器件包括:电子运输层和强n型层;其中,所述电子运输层和强n型层之间还包括:粘附层,所述粘附层用于增强所述电子运输层和强n型层之间的粘附性。本申请的量子点器件的制备方法,通过旋涂一层粘附层能带来以下的有效效果:1.在电子运输层C60表面形成一层羟基(粘附层为聚乙氧基乙烯亚胺溶液)有利于氧化锡层的生长。由于粘附层本身的性质,可以提升整个薄膜的机械强度和拉伸性能,薄膜的黏附性也得到了增加。有利于器件后期的制备和生产。

    一种基于皮秒紫外激光的钛合金材料表面处理方法及装置

    公开(公告)号:CN117583738A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202311647540.4

    申请日:2023-12-04

    Abstract: 本发明公开了一种基于皮秒紫外激光的钛合金材料表面处理方法及装置,包括如下步骤:对待处理的钛合金材料表面进行打磨、清洗和干燥;在钛合金材料表面涂覆胶黏剂,以形成胶粘层,再在所述胶粘层上粘附碳源层;将皮秒紫外激光作用至所述碳源层上,以在所述钛合金材料表面形成碳化层;以及对经过皮秒紫外激光处理的钛合金材料进行清洗和干燥。本发明通过皮秒紫外激光表面处理实现钛合金材料表面的同步碳化和微结构化,并在碳化层与微纳结构的协同作用下,使得钛合金材料表面的摩擦磨损性能显著提升。

    一种纳米BaTi1-xSnxO3粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN116217224B

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202310122722.3

    申请日:2023-02-10

    Abstract: 本发明属于新型纳米材料技术领域,更具体地,涉及一种纳米BaTi1‑xSnxO3粉体的制备方法。以四氯化钛、氯化钡、氯化锡为原料,以马来酸为沉淀剂,经滴定沉淀反应、液相均匀反应、洗涤过滤、冷冻干燥、热分解等步骤后制备得到纳米四方相钛酸钡或锡掺杂钛酸钡粉体。制备得到的Sn掺杂BaTiO3粉体可以满足不同掺杂浓度的需求,分散性好,纯BaTiO3的c/a大于1.006,粒径在44nm到200nm之间,均匀可控。

    一种多尺寸超厚玻璃激光切孔设备

    公开(公告)号:CN114131217A

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN202111620777.4

    申请日:2021-12-28

    Abstract: 本发明涉及玻璃激光切孔领域,一种多尺寸超厚玻璃激光切孔设备,其中底座的顶面设有滚筒组件,该滚筒组件有多组,滚筒组件用于驱动玻璃沿底座顶面X方向移动,底座的顶面设有X向驱动组件,龙门架有两组并分别安装在X向驱动组件上,龙门架上均安装一个Y向平移组件,Z向移动组件安装在Y向平移组件的移动端上,Y向平移组件可驱动Z向移动组件沿Y向移动,激光加工系统安装在Z向移动组件的移动端,激光加工系统可使其加工端在立体空间内移动并对超厚玻璃进行立体激光切孔加工。本切孔设备,面向多尺寸、孔位离散、厚度不一的高透玻璃,设备能够自动调整龙门架、激光器、滚筒位置和玻璃加工位置,实现任一尺寸、型号、孔位的玻璃加工。

    量子点吸光层及其制备方法、应用

    公开(公告)号:CN112531049A

    公开(公告)日:2021-03-19

    申请号:CN202010999796.1

    申请日:2020-09-22

    Abstract: 本申请公开了一种量子点吸光层以及制备方法、应用。所述量子点吸光层包括量子点,所述量子点为经改性组分修饰的胶体量子点;所述改性组分包括金属元素Sn和卤化铅配体;所述胶体量子点包括PbS、PbSe中的至少一种。该量子点吸光层中含有经金属元素Sn和卤化铅配体修饰的胶体量子点,并且协同制备过程中的熟化处理,大大降低了量子点的表面缺陷,提高载流子的迁移率,从而降低探测器件的暗电流噪声,提高探测性能。

    一种放射性核素吸附材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110124641B

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201910355020.3

    申请日:2019-04-29

    Abstract: 本发明属于环保技术领域,并具体公开了一种放射性核素吸附材料及其制备方法和应用。所述制备方法包括:S11将粉煤灰加入到磷酸溶液中经超声振荡后离心分离;S12将活化粉煤灰与氧氯化锆溶液、硫酸亚铁溶液充分接触反应,以生成层状结构;S13用去离子水将粉煤灰微球洗至中性后进行离心分离,烘干,得到所述吸附材料。本发明还公开了相应的产品和应用。本发明对粉煤灰进行改性,并对活化后的粉煤灰进行进一步修饰处理,使得所制备的吸附材料颗粒直径明显增大,比表面积得到有效提高,可高效吸附放射性核素离子如Sr‑90、Cs‑137和Co‑60,具有表面活性高、沉降性能好、易回收、体积小、方便储存的特点。

    一种静态随机访问存储器的存储单元

    公开(公告)号:CN100576349C

    公开(公告)日:2009-12-30

    申请号:CN200810047681.1

    申请日:2008-05-12

    Abstract: 本发明公开了一种静态随机访问存储器单元,包括锁存电路、位选择电路和单掷开关电路,单掷开关电路的两端分别接锁存电路的第一数据存储节点和第二数据存储节点。与现有的技术相比,本发明的安全自擦除链路可以等效为一个“单掷开关”,它不会影响SRAM的正常工作,只有当SRAM突然掉电的情况下,“单掷开关”才会闭合,在SRAM锁存单元的数据保存节点之间形成一条低阻通路,迫使锁存单元成为一个等势体,完成信息自擦除。这种存储器单元可以有效地保护用户信息,防止SRAM存储的敏感数据和私密信息被窃取和人为攻击,从根本上解决了SRAM的信息残留问题,拓宽了SRAM在领域的应用。

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