实现读写热点加速的分层哈希索引方法、控制器及系统

    公开(公告)号:CN118192889A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410290843.3

    申请日:2024-03-14

    Abstract: 本发明公开了实现读写热点加速的分层哈希索引方法、控制器及系统,属于固态存储领域,包括:在统一内存中建立分层哈希索引,并在DRAM中维护指纹数组;指纹数组中指纹槽与第一层的哈希槽一一对应;插入键值对KVi时,按照上至下的顺序在分层哈希索引中分配可更改的哈希槽,并将KVi插入所分配的哈希槽,同时将该哈希槽设置为可读不可更改状态;若键值对KVi的插入层为第一层,则在指纹数组中记录键值对KVi的指纹;插入键值对后,将插入位置所在哈希路径上的键值对数据插入KVi所在SSD页面。读取键时,将哈希路径下层的数据遇到到DRAM中进行缓存。本发明能够减少SSD垃圾回收和持久化的开销、提高缓存命中率,从而提高哈希索引在SSD上的读写性能。

    一种超声调控人工神经突触的装置、制备和调控方法

    公开(公告)号:CN114388687A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202011121403.3

    申请日:2020-10-19

    Inventor: 朱本鹏 王萌

    Abstract: 本发明公开一种超声调控人工神经突触的装置、制备和调控方法,属于超声应用领域。包括:人工神经突触仿生器件阵列、第一对叉指电极、第二对叉指电极和压电衬底;压电衬底位于底层,采用沿特定方向的切割处理后的压电单晶材料,特定方向是指压电单晶材料在沿该方向切割处理后,能在电场作用下产生水平剪切的声表面波的方向;人工神经突触仿生器件阵列位于压电衬底上表面中间区域,Y方向,阵列的长度不超过叉指电极;第一对叉指电极、第二对叉指电极分别位于压电衬底上表面、阵列左右两侧对称分布,第一对叉指电极和第二对叉指电极的材料相同并且尺寸相同。本发明利用超声实现对人工神经突触权重调控,为人工神经网络的智能控制提供新思路和途径。

    一种超声提升阻变存储器可靠性和容量的方法

    公开(公告)号:CN112467028B

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202011317620.X

    申请日:2020-11-23

    Abstract: 本发明公开一种超声提升阻变存储器可靠性和容量的方法,属于超声应用领域。本发明通过压电衬底在两对叉指电极产生的电场作用下,同时激发XY平面内振动、相位相同的两个声表面波,阵列中每个处于初始超高阻态的阻变存储器在两个声表面波于中间区域叠加形成的驻波声场作用下,驻波声场在XY平面拉伸阻变存储器功能层,有利于软介电击穿,“电形成”过程所需平均电压明显降低,提高存储阵列可靠性。处于低阻态的阻变存储器在第一声表面波和第二声表面波在中间区域叠加形成的驻波声场作用下,对其施加负电压进行复位操作,器件回到高阻态,撤掉超声信号,器件高阻进一步增大,对器件进行正常置位操作,从而显著提高阻变存储器开关比,提高存储容量。

    一种超声提升阻变存储器可靠性和容量的方法

    公开(公告)号:CN112467028A

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN202011317620.X

    申请日:2020-11-23

    Abstract: 本发明公开一种超声提升阻变存储器可靠性和容量的方法,属于超声应用领域。本发明通过压电衬底在两对叉指电极产生的电场作用下,同时激发XY平面内振动、相位相同的两个声表面波,阵列中每个处于初始超高阻态的阻变存储器在两个声表面波于中间区域叠加形成的驻波声场作用下,驻波声场在XY平面拉伸阻变存储器功能层,有利于软介电击穿,“电形成”过程所需平均电压明显降低,提高存储阵列可靠性。处于低阻态的阻变存储器在第一声表面波和第二声表面波在中间区域叠加形成的驻波声场作用下,对其施加负电压进行复位操作,器件回到高阻态,撤掉超声信号,器件高阻进一步增大,对器件进行正常置位操作,从而显著提高阻变存储器开关比,提高存储容量。

    一种基于拉曼-布里渊分布式温度、应力双参量检测的传感装置

    公开(公告)号:CN106248247B

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201610635145.8

    申请日:2016-08-05

    Abstract: 本发明公开了种基于拉曼‑布里渊分布式温度、应力双参量检测的传感装置,包括:激光器、第耦合器、偏振控制器、脉冲发生器、半导体光放大器、掺铒光纤放大器、带通滤波器、第二耦合器、光衰减器、第环形器、第三耦合器、多芯光纤、第二环形器、拉曼滤波器、第光电探测器、第二光电探测器、示波器、偏振控制器、调制器、微波发生器、偏振开关、第四耦合器、第三光电探测器、电谱分析仪和数据处理模块。本发明中由于采用单模多芯光纤构成空分复用系统,不存在模分复用系统的模式耦合以及波分复用系统的功率不匹配的问题,可达到精确并同时获取温度应力双参量的效果。

    一种铝合金低压铸造用金属型涂料及其制备方法

    公开(公告)号:CN106077445B

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201610606181.1

    申请日:2016-07-28

    Abstract: 本发明公开了一种铝合金低压铸造用金属型涂料,其包括硅‑铝‑铬三元复合溶胶、磷酸盐粘结剂、耐火粉料、乙酰丙酮、消泡剂、分散剂、附着力促进剂、流平剂及防沉降剂。所述硅‑铝‑铬三元复合溶胶、所述磷酸盐粘结剂、所述耐火粉料、所述乙酰丙酮、所述消泡剂、所述分散剂、所述附着力促进剂、所述流平剂及所述防沉降剂的质量比为1:(0.2~0.6):0.15:0.02:0.005:0.03:0.01:(0.0055~0.006):(0.011~0.012)。本发明还包括如上所述的铝合金低压铸造用金属型涂料的制备方法。

    一种基于拉曼-布里渊分布式温度、应力双参量检测的传感装置

    公开(公告)号:CN106248247A

    公开(公告)日:2016-12-21

    申请号:CN201610635145.8

    申请日:2016-08-05

    CPC classification number: G01K11/32 G01K2011/322 G01K2011/324 G01L1/246

    Abstract: 本发明公开了一种基于拉曼-布里渊分布式温度、应力双参量检测的传感装置,包括:激光器、第一耦合器、偏振控制器、脉冲发生器、半导体光放大器、掺铒光纤放大器、带通滤波器、第二耦合器、光衰减器、第一环形器、第三耦合器、多芯光纤、第二环形器、拉曼滤波器、第一光电探测器、第二光电探测器、示波器、偏振控制器、调制器、微波发生器、偏振开关、第四耦合器、第三光电探测器、电谱分析仪和数据处理模块。本发明中由于采用单模多芯光纤构成空分复用系统,不存在模分复用系统的模式耦合以及波分复用系统的功率不匹配的问题,可达到精确并同时获取温度应力双参量的效果。

    一种铝合金低压铸造用金属型涂料及其制备方法

    公开(公告)号:CN106077445A

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201610606181.1

    申请日:2016-07-28

    CPC classification number: B22C3/00 B22D18/04

    Abstract: 本发明公开了一种铝合金低压铸造用金属型涂料,其包括硅‑铝‑铬三元复合溶胶、磷酸盐粘结剂、耐火粉料、乙酰丙酮、消泡剂、分散剂、附着力促进剂、流平剂及防沉降剂。所述硅‑铝‑铬三元复合溶胶、所述磷酸盐粘结剂、所述耐火粉料、所述乙酰丙酮、所述消泡剂、所述分散剂、所述附着力促进剂、所述流平剂及所述防沉降剂的质量比为1:(0.2~0.6):0.15:0.02:0.005:0.03:0.01:(0.0055~0.006):(0.011~0.012)。本发明还包括如上所述的铝合金低压铸造用金属型涂料的制备方法。

    一种超声调控人工神经突触的装置、制备和调控方法

    公开(公告)号:CN114388687B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202011121403.3

    申请日:2020-10-19

    Inventor: 朱本鹏 王萌

    Abstract: 本发明公开一种超声调控人工神经突触的装置、制备和调控方法,属于超声应用领域。包括:人工神经突触仿生器件阵列、第一对叉指电极、第二对叉指电极和压电衬底;压电衬底位于底层,采用沿特定方向的切割处理后的压电单晶材料,特定方向是指压电单晶材料在沿该方向切割处理后,能在电场作用下产生水平剪切的声表面波的方向;人工神经突触仿生器件阵列位于压电衬底上表面中间区域,Y方向,阵列的长度不超过叉指电极;第一对叉指电极、第二对叉指电极分别位于压电衬底上表面、阵列左右两侧对称分布,第一对叉指电极和第二对叉指电极的材料相同并且尺寸相同。本发明利用超声实现对人工神经突触权重调控,为人工神经网络的智能控制提供新思路和途径。

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