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公开(公告)号：CN101587074B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910062846.7
申请日：2009-06-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于激光探测技术领域，具体为一种激光探针微区成分分析仪。其结构为：激光器，扩束镜和第一全反射镜依次位于同一水平光路上；第一全反射镜的反射面与水平光路的夹角为45度；工业CCD位于第一全反射镜的上方，工业CCD和第一聚焦物镜自上而下依次放置且光轴重合；三维工作台的工作台面位于第一聚焦物镜的下方；全反射镜活动安装在样品的反射光路上，光纤探头位于全反射镜的反射光路上；工业CCD通过光纤与带有显示器的计算机连接，光纤探头与光栅光谱仪、增强型CCD和计算机连接。该激光探针仪能对物质微区元素进行无损探测，能满足各种材料及尺寸的器件的快速元素成分定性分析，还可以针对样品微区的微量甚至痕量元素进行高精度的定量分析。
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公开(公告)号：CN101899592A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010243198.8
申请日：2010-08-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种原位合成任意形状NiTi形状记忆合金的方法，步骤包括：粒径小于50μm且平均粒径相同的纯Ti粉和纯Ni粉按近等原子比例均匀混合、利用选区激光熔化快速成形的方法，在纯Ti金属基板上逐层预置10～20μm厚度的混合粉末层；然后利用聚焦光斑直径小于等于40μm的连续YAG或光纤激光器，在水、氧含量小于10ppm的保护环境下，将混合粉末逐点逐线逐层熔化，完成设计形状的NiTi形状记忆合金的原位合成及熔化堆积加工。本发明可以克服现有技术的难点，提供一种周期短、成本低、柔性化程度高，能合成任意形状、致密度近乎100％、且无成分偏析和杂质的镍钛形状记忆合金。
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公开(公告)号：CN101786200A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010115968.0
申请日：2010-02-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: B23K26/00
Abstract: 本发明公开了一种自由曲面上的投影式激光刻蚀方法，该方法利用激光振镜和三轴坐标定位技术相结合，采用分块平行投影和高度映射原理，基于自由曲面零件的离散点云模型直接进行表面激光精密刻蚀加工。该方法利用激光加工在聚焦镜焦深范围内光斑形状尺寸、能量分布等加工特性保持不变的特点，将自由曲面转化为若干平面子块的加工，即便采用现有的激光刻蚀加工工艺也可以大幅度提高自由曲面高精度加工时的效率。激光束的聚焦光斑可达几个微米直径，比传统刀具加工部位的尺寸小很多，通过控制激光能量特性，可实现10微米左右的加工精度。该方法能够在满足自由曲面表面图案刻蚀加工的高精度、高效率要求前提下，实现自由曲面的高可靠性、柔性化加工。
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公开(公告)号：CN102270514A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110112926.6
申请日：2011-05-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01B1/22
Abstract: 本发明公开了一种均相导电浆料，该均相浆料由导电功能相的前驱物和载体相构成：导电功能相的前驱物的质量百分比为5～60%，其余为载体相；载体相由多种组分构成，其各组分的质量分数相对于载体相分别为：增稠剂2～20%，分散剂1～10%，其余为溶剂。该均相导电浆料不含有颗粒功能相及其它固体相，而是含有功能相的前驱物，这种前驱物能够很好的溶解在粘结相的溶剂当中，并在接下来的后处理工艺中，能够转换成导电功能相；该浆料避免了传统的含有颗粒功能相的浆料在制备与存储过程中颗粒的沉降与团聚问题；将该浆料采用旋涂、丝网印刷、微细笔和微喷直写等方法加工成型，经干燥和烧结等后处理，即可得到具有良好导电性、高分辨率的导电线或者图案。
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公开(公告)号：CN101899592B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201010243198.8
申请日：2010-08-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种原位合成任意形状NiTi形状记忆合金的方法，步骤包括：粒径小于50μm且平均粒径相同的纯Ti粉和纯Ni粉按近等原子比例均匀混合、利用选区激光熔化快速成形的方法，在纯Ti金属基板上逐层预置10～20μm厚度的混合粉末层；然后利用聚焦光斑直径小于等于40μm的连续YAG或光纤激光器，在水、氧含量小于10PPM的保护环境下，将混合粉末逐点逐线逐层熔化，完成设计形状的NiTi形状记忆合金的原位合成及熔化堆积加工。本发明可以克服现有技术的难点，提供一种周期短、成本低、柔性化程度高，能合成任意形状、致密度近乎100％、且无成分偏析和杂质的镍钛形状记忆合金。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101782517B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010114115.5
申请日：2010-02-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于激光探测技术领域，具体为一种基于双激光光源的激光探针微区成分分析仪。其结构为：固定波长激光器、衰减器、扩束镜、小孔光阑、第一半透半反镜依此位于同一水平光路上，波长可调谐激光器通过第二全反镜反射到第一半透半反镜上后与固定波长激光器的激光束同光路。固定波长激光器和波长可调谐激光器可上下或平行放置，且通过数字延时发生器控制其开启顺序及延时。由光纤探头接收并通过光纤传输到光栅光谱仪后至增强型CCD的等离子体光谱采集时间也由数字延时发生器控制。这种双激光光源激发的激光探针仪探测极限低，元素分析精度高，元素选择性好，更加稳定可靠。可用于各种物质微区的微量、痕量元素的准确定性和精确定量分析。
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公开(公告)号：CN102000913A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010528434.0
申请日：2010-11-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供公开了一种多轴数控激光加工装置，结构为：直线导轨安装在固定框架基体的横梁上，悬臂安装在直线导轨上，伺服电机安装在悬臂中部，伺服电机通过传动机构带动悬臂在直线导轨上直线移动；多关节机器人倒挂安装在悬臂的末端，多关节机器人为三轴以上的工业机器人；多关节机器人的最后一个关节末端上安装有激光加工头；激光加工头通过光纤与激光器相连；激光加工头和激光器又通过冷却管分别与冷却机相连；工作台位于激光加工头的下方；控制器通过控制线分别与多关节机器人和悬臂连接。该装置简化了激光加工数控机床的结构，降低数控编程的难度，并更大程度地提高加工零件尺寸范围。
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公开(公告)号：CN101394710B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200810197225.5
申请日：2008-10-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三维模塑互连器件导电线路制作和修复方法，步骤为：①按照导电线路的设计图形，将导电浆料在模塑结构件表面上沉积0.1～50微米厚度的预置浆料层；②烘干或晾干导电浆料预置层，去除其中的有机溶剂；③利用激光束辐照预置浆料层，使导电浆料中的金属导电颗粒和塑料基体表面5～500μm的薄层发生熔化和混合，导电浆料中的金属导电颗粒埋植在基体表面，得到导电图形；④在上述导电图形表面进行化学镀2～10μm的铜，然后再进行化学镀1～3μm的耐腐蚀金属。本发明能够在各种塑料基材的三维模塑结构件表面快速直接地制备或修复各种复杂的导电线路，对基体材料无可镀性要求，对模塑成型工艺无特殊要求，工艺简单，环境友好，成本低，柔性程度高。
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公开(公告)号：CN101782517A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN201010114115.5
申请日：2010-02-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于激光探测技术领域，具体为一种基于双激光光源的激光探针微区成分分析仪。其结构为：固定波长激光器、衰减器、扩束镜、小孔光阑、第一半透半反镜依此位于同一水平光路上，波长可调谐激光器通过第二全反镜反射到第一半透半反镜上后与固定波长激光器的激光束同光路。固定波长激光器和波长可调谐激光器可上下或平行放置，且通过数字延时发生器控制其开启顺序及延时。由光纤探头接收并通过光纤传输到光栅光谱仪后至增强型CCD的等离子体光谱采集时间也由数字延时发生器控制。这种双激光光源激发的激光探针仪探测极限低，元素分析精度高，元素选择性好，更加稳定可靠。可用于各种物质微区的微量、痕量元素的准确定性和精确定量分析。
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公开(公告)号：CN1889231A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200610019740.5
申请日：2006-07-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/768 , H01L21/288 , H01L21/3205
Abstract: 本发明公开了一种直写电子/光电子元器件的微细笔及由其构成的装置。微细笔的结构为：减压装置位于笔帽内，并与位于笔帽顶部的施压气管相连，笔帽的下端与笔筒的上端活动、密封连接构成储料腔，储料腔用于储存需要沉积的物料，笔筒的下端为笔尖。该微细笔通过二个并联的压力控制装置与气源连接，并采用控制器控制两条气路的通断和微细笔相对基板的运动，构成直写装置。微细笔可用于制作电子元器件，还可用于制作光电子元器件，如聚合物光波导。结合该微细笔的结构特点和聚合物材料的特性，可将聚合物材料置于微细笔内，在基板上直写出光波导。本发明装置布线速度快，线宽范围大，制造和运行成本低，布线速度范围为2mm/s～15mm/s，线宽范围为0.06mm～2mm。
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