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公开(公告)号：CN114264632B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202111535604.2
申请日：2021-12-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于系统参数校准相关技术领域，其公开了一种角分辨式散射仪中物镜偏振效应的原位校准方法，包括以下步骤：(1)通过角分辨式散射测量系统对标准薄膜进行测量以得到物镜后焦面实测图像；同时，建立、包含物镜偏振效应的系统仿真模型，并以该标准薄膜为样品，通过系统仿真模型生成物镜后焦面仿真图像；(2)基于样品的椭偏参数系统方程、物镜后焦面实测图像及物镜后焦面仿真图像计算得到实测及理论多入射角椭偏参数；(3)基于物镜偏振效应传递矩阵来确定物镜椭偏参数求解方程，进而求解得到物镜多入射角椭偏参数，以完成角分辨式散射测量系统中物镜偏振效应的原位校准。本发明够有效降低因仪器中物镜偏振效应误差引起的测量误差。
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公开(公告)号：CN119024580A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411362569.2
申请日：2024-09-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于超表面的光场调制相关技术领域，并公开了一种全光调制的双波长单通光开关实现系统。该系统包括依次设置的光源单元、光线预处理单元、第一分束器、物镜、待测样品、第一透镜和探测单元，光源单元中设置有三束不同波长的光线，光线预处理单元对三束不同的光线合束后进行预处理，然后将预处理后汇聚在分束器上，第一分束器用于将来自光线预处理单元的光透射至物镜，物镜用于将光线照射在待测样品表面；待测样品将光线反射后经过物镜回到第一分束器，第一分束器将光线反射进入第一透镜，从该第一透镜出射的平行光线进入探测单元，探测单元用于测量工作光和调制光的光强；通过本发明，实现调制光对两个不同波长的光信号进行独立调制和控制。
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公开(公告)号：CN114264632A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111535604.2
申请日：2021-12-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于系统参数校准相关技术领域，其公开了一种角分辨式散射仪中物镜偏振效应的原位校准方法，包括以下步骤：(1)通过角分辨式散射测量系统对标准薄膜进行测量以得到物镜后焦面实测图像；同时，建立、包含物镜偏振效应的系统仿真模型，并以该标准薄膜为样品，通过系统仿真模型生成物镜后焦面仿真图像；(2)基于样品的椭偏参数系统方程、物镜后焦面实测图像及物镜后焦面仿真图像计算得到实测及理论多入射角椭偏参数；(3)基于物镜偏振效应传递矩阵来确定物镜椭偏参数求解方程，进而求解得到物镜多入射角椭偏参数，以完成角分辨式散射测量系统中物镜偏振效应的原位校准。本发明够有效降低因仪器中物镜偏振效应误差引起的测量误差。
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公开(公告)号：CN112198763B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202011056590.1
申请日：2020-09-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G03F7/20 , G01N21/956 , G01B11/00
Abstract: 本发明属于光刻相关技术领域，其公开了一种套刻误差测量装置及其测量方法和优化方法，该装置包括：照明系统；设于照明系统光路上的起偏臂，起偏臂沿光路依次包括起偏器、第一相位延迟器、第二相位延迟器以及第一透镜组；与起偏臂沿待测套刻样件表面的法线对称设置的检偏臂，检偏臂沿光路依次包括第二透镜组、第三相位延迟器、第四相位延迟器以及检偏器；设于检偏臂光路上的探测系统，探测系统将检偏臂解调的光束会聚并将光束发送至数据处理系统，数据处理系统将光束转化为穆勒矩阵，并根据穆勒矩阵获得套刻误差。本申请待测套刻样件的套刻标记周期不受限制、测量速度快、测量结果不受运动器件的干扰，测量准确度高，鲁棒性好，适用范围广。
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公开(公告)号：CN112198763A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011056590.1
申请日：2020-09-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G03F7/20 , G01N21/956 , G01B11/00
Abstract: 本发明属于光刻相关技术领域，其公开了一种套刻误差测量装置及其测量方法和优化方法，该装置包括：照明系统；设于照明系统光路上的起偏臂，起偏臂沿光路依次包括起偏器、第一相位延迟器、第二相位延迟器以及第一透镜组；与起偏臂沿待测套刻样件表面的法线对称设置的检偏臂，检偏臂沿光路依次包括第二透镜组、第三相位延迟器、第四相位延迟器以及检偏器；设于检偏臂光路上的探测系统，探测系统将检偏臂解调的光束会聚并将光束发送至数据处理系统，数据处理系统将光束转化为穆勒矩阵，并根据穆勒矩阵获得套刻误差。本申请待测套刻样件的套刻标记周期不受限制、测量速度快、测量结果不受运动器件的干扰，测量准确度高，鲁棒性好，适用范围广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112179851A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011044645.7
申请日：2020-09-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于精密光学仪器的系统参数校准相关技术领域，其公开了一种快照式穆勒矩阵椭偏仪器件的方位角误差校准方法，所述方法首先建立包含器件方位角误差的系统模型，然后对模型进行合理约减，通过标准样品获得足够的线性无关的方程组以求解器件方位角误差，并将求解结果拟合为不随波长变动的定值作为最终校准结果，此外，将校准结果代入至系统模型中可以进一步校准待测样品穆勒矩阵。本发明公开的方法能够准确地校准快照式穆勒矩阵椭偏仪各个器件的方位角误差，能够同时适用于透射式与反射式测量配置；同时，所述方法校准出方位角误差后，可以代入至包含方位角误差的系统模型，能够有效提升穆勒矩阵的测量精度。
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公开(公告)号：CN119132465A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411130064.3
申请日：2024-08-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体材料相关技术领域，并公开了一种多层堆叠周期结构的光场注入计算方法及系统。该方法包括：构建待测的金属‑电介质多层堆叠周期结构的三维几何模型；计算三维几何模型激发表面等离子共振时需满足的最小波长；采用各向异性的均匀介质等效所述三维几何模型中的不同材料组合，获得三维几何模型对应的等效模型；采用不同波长的入射光对该等效模型进行电磁学仿真，获得在发生等离子体共振后入射光能渗透进等效模型时对应的共振波长；利用该波长的入射光再次进行电磁学仿真，获得该等效模型横截面的光场分布，即为待测的金属‑电介质多层堆叠周期结构横截面的光场分布。通过本发明，快速，完整、准确地表达出堆叠周期结构的光学特性。
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公开(公告)号：CN112378861B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202011163917.5
申请日：2020-10-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于精密光学测量仪器系统参数校准领域，并具体公开了一种快照式穆勒矩阵椭偏仪相位延迟量误差的通用校准方法，其包括如下步骤：S1、按预设相位延迟器厚度比搭建快照式穆勒矩阵椭偏仪，然后对三组标准样品进行测量，得到三组测量光谱；S2、分别对三组测量光谱进行频域分析得到频域信号，对频域信号进行分通道处理得到多阶频率通道，再根据相位延迟器厚度比对频率通道进行选择；S3、对选择的频率通道进行波数域分析计算，获得各频率通道对应的测量光谱三角函数展开式的实频、虚频系数，进而得到各相位延迟器的相位延迟量误差。本发明能准确校准快照式穆勒矩阵椭偏仪全测量光谱内的相位延迟量误差，适用于不同的相位延迟器厚度比。
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公开(公告)号：CN112378861A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011163917.5
申请日：2020-10-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于精密光学测量仪器系统参数校准领域，并具体公开了一种快照式穆勒矩阵椭偏仪相位延迟量误差的通用校准方法，其包括如下步骤：S1、按预设相位延迟器厚度比搭建快照式穆勒矩阵椭偏仪，然后对三组标准样品进行测量，得到三组测量光谱；S2、分别对三组测量光谱进行频域分析得到频域信号，对频域信号进行分通道处理得到多阶频率通道，再根据相位延迟器厚度比对频率通道进行选择；S3、对选择的频率通道进行波数域分析计算，获得各频率通道对应的测量光谱三角函数展开式的实频、虚频系数，进而得到各相位延迟器的相位延迟量误差。本发明能准确校准快照式穆勒矩阵椭偏仪全测量光谱内的相位延迟量误差，适用于不同的相位延迟器厚度比。
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公开(公告)号：CN119861526A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510229997.6
申请日：2025-02-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于投影光场调控技术领域，具体为一种投影式结构光掩膜图案可制造性增强方法及系统。根据目标结构光场和投影系统的倍率确定初始掩膜图案；采用矢量衍射成像模型计算初始生成结构光场，并计算目标函数的数值，判断是否满足预设阈值；若不满足，则采用最优梯度法对掩膜图案进行迭代优化，直至满足目标函数的预设阈值，并输出连续数值掩膜；随后根据所需的掩膜制造精度，对连续数值掩膜进行像素分裂或融合；采用局部积分近似操作，对掩膜进行二值化处理，增强掩膜的可制造性。本发明能够实现高自由度、高效率、低算力需求且鲁棒的投影式结构光场优化并获得可制造的掩膜图案，且掩膜的制造精度可任意调整，以适应不同的掩膜图案制备工艺。
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