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公开(公告)号：CN112699628A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011590162.7
申请日：2020-12-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种三维相变存储器的OTS+PCM单元模拟系统，其中，PCM单元I‑V模块基于P‑F模型和欧姆定律构建OTS+PCM单元I‑V特性模型，当OTS+PCM单元I‑V模块接收到外界施加的电流或电压激励后，将外界施加的激励和PCM单元的非晶化率带入OTS+PCM单元I‑V特性模型中，计算得到PCM单元上的电流和电压；PCM温度模块根据PCM单元上的电流和电压，采用热阻热容RC网络实时计算PCM单元的温度；PCM相变模块根据PCM单元的温度判断PCM单元处于晶化状态还是非晶化状态，计算PCM单元的晶化速率和非晶化速率，将二者之和作为实时相变速率，并根据所得实时相变速率计算PCM单元的非晶化率，并输出到PCM单元I‑V模块中。本发明能够同时采用电流电压激励对模型进行直接操作，并保证其精确度，能够准确模拟OTS+PCM单元。
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公开(公告)号：CN105095926B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201410195323.0
申请日：2014-05-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种分级式远距离有源电子标签及其识别方法，该标签包括射频模块、控制器、存储器、电池模块，控制器与微型开关相连，当人、设备、设施或者物品的状态发生改变时，拨动微型开关，从而生成新的射频序列号，该新的序列号包含电子标签的原射频序列号和识别对象状态改变后的新的序列号，将识别对象的不同状态与不同的射频序列号相对应。按照本发明，能够实现电子标签的分级，该电子标签将识别对象不同的状态与不同的射频序列号对应，通过读写器可以将信息传输给数据管理系统，从而使管理人员对识别对象的状态有全面具体的了解，方便管理工作的开展，有效地降低管理成本。
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公开(公告)号：CN110767252A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201910834035.8
申请日：2019-09-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种相变存储器单元，包括第一电极、第一相变层、中间电极、第二相变层、第二电极；第一电极与第二电极分别用于接收读或写脉冲信号；中间电极通过可控开关元件接一固定参考电压，当可控开关元件接地的情况下，实现相变存储器单元中的两个相变层的独立读写，当可控开关断开的情况下，通过所述第一电极和第二电极实现所述相变存储器单元的读操作；按照本发明实现的多值相变存储器基础结构单元，能够实现多进制的存储，并实现脉冲累加；可以在控制、工艺上实现多进制运算，进一步提高存储密度；在工艺上兼容性较强。
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公开(公告)号：CN105095926A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410195323.0
申请日：2014-05-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种分级式远距离有源电子标签及其识别方法，该标签包括射频模块、控制器、存储器、电池模块，控制器与微型开关相连，当人、设备、设施或者物品的状态发生改变时，拨动微型开关，从而生成新的射频序列号，该新的序列号包含电子标签的原射频序列号和识别对象状态改变后的新的序列号，将识别对象的不同状态与不同的射频序列号相对应。按照本发明，能够实现电子标签的分级，该电子标签将识别对象不同的状态与不同的射频序列号对应，通过读写器可以将信息传输给数据管理系统，从而使管理人员对识别对象的状态有全面具体的了解，方便管理工作的开展，有效地降低管理成本。
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公开(公告)号：CN104793599A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510193524.1
申请日：2015-04-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: G05B19/418
CPC classification number: Y02P90/02 , G05B19/41865 , G05B19/41845
Abstract: 本发明公开了一种安全生产控制方法，用于对生产过程的各种因素进行控制以提高生产过程的安全性，包括：分解整个生产过程获得工艺流程图；构建各个工艺步骤的控制参量，输入参量，工作参量，形成安全作业流程图；制作包含有所述安全作业流程图的传播媒介，利用该媒介控制整个生产过程，规避危险因素，以此实现安全生产控制。本发明方法对整个生产过程进行系统有机的控制，可大幅度提高生产过程的安全性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112635666B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202011528520.1
申请日：2020-12-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种相变存储单元，包括至上而下依次放置的上电极、OTS层、金属隔离层、绝缘层、相变层和下电极；其中，金属隔离层的下表面凹凸不平，金属隔离层的凸起部分与相变层的上表面接触，金属隔离层的凹陷部分被绝缘层填充；金属隔离层用于隔离OTS层和相变层，防止OTS层和相变层的材料发生扩散；绝缘层用于减小金属隔离层和相变层的接触面积，以减缓相变层热量的扩散。本发明所提供的结构减小了需要高温完成非晶化过程的相变层与导热率良好的金属隔离层的接触面积，大大提高了相变存储单元的电热效率；且本发明中金属隔离层的凸起部分分散在金属隔离层的下表面，使相变存储单元中的电流分布更加分散，增大了相变区域，提高了非晶化率。
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公开(公告)号：CN115035089A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210751358.2
申请日：2022-06-28
Applicant: 华中科技大学苏州脑空间信息研究院
Abstract: 本发明公开了一种适用于二维脑图像数据的脑解剖结构定位方法，通过检索的方式获取二维脑图像模板，利用分割的方法得到特征区域，并使用配准方法将待定位的二维脑图像与二维脑图像模板进行匹配，从而得到脑解剖结构的位置信息。整个定位过程不需要人工参与，可以实现快速的脑解剖结构定位，定位目标为二维脑图像上的所有脑解剖结构，相比现有方法提高了定位的精度。
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公开(公告)号：CN112699628B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011590162.7
申请日：2020-12-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种三维相变存储器的OTS+PCM单元模拟系统，其中，PCM单元I‑V模块基于P‑F模型和欧姆定律构建OTS+PCM单元I‑V特性模型，当OTS+PCM单元I‑V模块接收到外界施加的电流或电压激励后，将外界施加的激励和PCM单元的非晶化率带入OTS+PCM单元I‑V特性模型中，计算得到PCM单元上的电流和电压；PCM温度模块根据PCM单元上的电流和电压，采用热阻热容RC网络实时计算PCM单元的温度；PCM相变模块根据PCM单元的温度判断PCM单元处于晶化状态还是非晶化状态，计算PCM单元的晶化速率和非晶化速率，将二者之和作为实时相变速率，并根据所得实时相变速率计算PCM单元的非晶化率，并输出到PCM单元I‑V模块中。本发明能够同时采用电流电压激励对模型进行直接操作，并保证其精确度，能够准确模拟OTS+PCM单元。
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公开(公告)号：CN110767252B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201910834035.8
申请日：2019-09-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种相变存储器单元，包括第一电极、第一相变层、中间电极、第二相变层、第二电极；第一电极与第二电极分别用于接收读或写脉冲信号；中间电极通过可控开关元件接一固定参考电压，当可控开关元件接地的情况下，实现相变存储器单元中的两个相变层的独立读写，当可控开关断开的情况下，通过所述第一电极和第二电极实现所述相变存储器单元的读操作；按照本发明实现的多值相变存储器基础结构单元，能够实现多进制的存储，并实现脉冲累加；可以在控制、工艺上实现多进制运算，进一步提高存储密度；在工艺上兼容性较强。
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公开(公告)号：CN112635666A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011528520.1
申请日：2020-12-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种相变存储单元，包括至上而下依次放置的上电极、OTS层、金属隔离层、绝缘层、相变层和下电极；其中，金属隔离层的下表面凹凸不平，金属隔离层的凸起部分与相变层的上表面接触，金属隔离层的凹陷部分被绝缘层填充；金属隔离层用于隔离OTS层和相变层，防止OTS层和相变层的材料发生扩散；绝缘层用于减小金属隔离层和相变层的接触面积，以减缓相变层热量的扩散。本发明所提供的结构减小了需要高温完成非晶化过程的相变层与导热率良好的金属隔离层的接触面积，大大提高了相变存储单元的电热效率；且本发明中金属隔离层的凸起部分分散在金属隔离层的下表面，使相变存储单元中的电流分布更加分散，增大了相变区域，提高了非晶化率。
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