公开(公告)号：CN110767252B

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN201910834035.8

申请日：2019-09-04

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 李震 ,  余浩 ,  缪向水 ,  唐韬

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种相变存储器单元，包括第一电极、第一相变层、中间电极、第二相变层、第二电极；第一电极与第二电极分别用于接收读或写脉冲信号；中间电极通过可控开关元件接一固定参考电压，当可控开关元件接地的情况下，实现相变存储器单元中的两个相变层的独立读写，当可控开关断开的情况下，通过所述第一电极和第二电极实现所述相变存储器单元的读操作；按照本发明实现的多值相变存储器基础结构单元，能够实现多进制的存储，并实现脉冲累加；可以在控制、工艺上实现多进制运算，进一步提高存储密度；在工艺上兼容性较强。

公开(公告)号：CN110767252A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201910834035.8

申请日：2019-09-04

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 李震 ,  余浩 ,  缪向水 ,  唐韬

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种相变存储器单元，包括第一电极、第一相变层、中间电极、第二相变层、第二电极；第一电极与第二电极分别用于接收读或写脉冲信号；中间电极通过可控开关元件接一固定参考电压，当可控开关元件接地的情况下，实现相变存储器单元中的两个相变层的独立读写，当可控开关断开的情况下，通过所述第一电极和第二电极实现所述相变存储器单元的读操作；按照本发明实现的多值相变存储器基础结构单元，能够实现多进制的存储，并实现脉冲累加；可以在控制、工艺上实现多进制运算，进一步提高存储密度；在工艺上兼容性较强。