公开(公告)号：CN1604303A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410060914.3

申请日：2004-09-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吴昕 ,  刘胜 ,  张鸿海 ,  范细秋 ,  贾可 ,  胡晓峰 ,  甘志银 ,  汪学方

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米碳管的互连方法，包括：在硅基底上用电子束蒸发一层厚度为20～200nm的铝膜；采用阳极氧化法将铝膜制备成多孔氧化铝模板；根据硅基底的互连需要，采用曝光、湿法显影和干法刻蚀，制作开有通孔的掩膜板；将开有通孔的掩膜板置于多孔氧化铝模板上，掩膜板的通孔与硅基底上需要互连的位置对准，采用微湿含浸法在氧化铝模板的孔底部种植催化剂金属；在催化剂金属上，采用化学气相淀积的方法制备纳米碳管束。本发明的优点是：能够有效控制纳米碳管束的生长方向、直径和长度，获得所需的互连结构，满足了小节距(小于20μm)，大功耗(超过200watts)，高频率(20～50GHz)的芯片互连要求。