公开(公告)号：CN114496725A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111468703.3

申请日：2021-12-03

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 王俊 ,  肖春阳 ,  李家琛 ,  王海静 ,  贾艳星 ,  黄永清 ,  任晓敏

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/30

Abstract: 本发明提供一种无偏角Si(001)衬底InP材料的金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法，A)将无偏角Si(001)衬底清洗后，在氢气环境下进行表面退火处理；B)采用MOCVD方法在退火后的无偏角Si(001)衬底上依次生长GaAs成核层、中温GaAs层和高温GaAs层；C)采用MOCVD方法在所述高温GaAs层上依次生长InP成核层和高温InP层。本发明在氢气环境下进行高温退火，能够使无偏角Si(001)表面的单层原子台阶转换为双层原子台阶，避免后续生长出现的反相畴缺陷。本发明工艺简单且成本较低，能够在CMOS工艺兼容的无偏角Si(001)衬底上实现高质量无反相畴InP外延层的大规模化生产。

公开(公告)号：CN113540976A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110805761.4

申请日：2021-07-16

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 王俊 ,  王海静 ,  黄永清 ,  任晓敏 ,  刘凯

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/10

Abstract: 本申请提供了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，所述激光器包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；设置在所述衬底朝向第一表面一侧的器件堆叠结构；其中，所述器件堆叠结构包括：设置在所述衬底朝向所述第一表面一侧的N型DBR层；设置在所述N型DBR层背离所述衬底一侧的有源区；设置在所述有源区背离所述N型DBR层一侧的P型DBR层；设置在所述P型DBR层背离所述有源区一侧的模式滤波器结构，所述模式滤波器结构包括具有出光孔的反相层。应用本发明技术方案，实现垂直腔面发射激光器的单模输出，降低了光学损耗以及阈值电流，提高了调制速率，进而提高了激光器的整体性能。